【晶体管2SB0709A(2SB709A)PNP硅外延平面型对于一般的放大补充2SD0601A （ 2】,IC型号2SB0709A(2SB709A),2SB0709A(2SB709A) PDF资料,2SB0709A(2SB709A)经销商,ic,电子元器件-51电子网

晶体管

2SB0709A

(2SB709A)

PNP硅外延平面型

对于一般的放大

补充2SD0601A （ 2SD601A ）

单位：mm

特点

2.8

–0.3

0.65±0.15

+0.2

+0.25

1.5

–0.05

0.65±0.15

0.95

+0.2

1.1

–0.1

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

CBO

首席执行官

EBO

英镑

–45

–7

–200

–100

200

150

–55 ~ +150

1 ：基本

2 ：发射器

3 ：收藏家

JEDEC ： TO- 236

EIAJ ： SC- 59

迷你型包装

电气特性

参数

收藏家Cuto FF电流

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

(Ta=25C)

符号

CBO

首席执行官

CBO

首席执行官

EBO

FE *

CE （ SAT ）

条件

= -20V ，我

= 0

= -10V ，我

= 0

= -10μA ，我

= 0

= -2mA ，我

= 0

= -10μA ，我

= 0

= -10V ，我

= -2mA

= -100mA ，我

= -10mA

= -10V ，我

= 1mA时， F = 200MHz的

= -10V ，我

= 0中，f = 1MHz的

–45

–7

160

– 0.3

2.7

460

– 0.5

兆赫

民

典型值

最大

– 0.1

–100

单位

等级分类

秩

160 ~ 260

210 ~ 340

290 ~ 460

标记符号

注）括号中的部分数字显示传统的零件编号。

0-0.1

为0.1 0.3

0.4±0.2

0.8

参数

符号

评级

单位

0.16

–0.06

+0.1

绝对最大额定值

(Ta=25C)

0.4

–0.05

+0.1

高盼着电流传输比H

迷你型封装，设备，允许小型化，

通过带包装盒自动插入

包装。

0.95

2.9

–0.05

1.9±0.2

+0.2

1.45

晶体管

- TA

240

–120

Ta=25C

200

–100

–50

2SB0709A

— V

–60

=–5V

Ta=25C

— I

集电极耗散功率P

（ mW）的

集电极电流I

（MA ）

160

–80

=–300A

–60

–250A

–200A

–40

–150A

–100A

–20

–50A

集电极电流I

（MA ）

–40

120

–30

–20

–10

80 100 120 140 160

–2

–4

–6

–8

–10

–12

–150

–300

–450

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

(V)

基极电流I

(

)

— V

–400

=–5V

Ta=25C

–350

–200

–240

— V

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

–10

–3

–1

=–5V

25C

Ta=75C

–25C

CE （ SAT ）

— I

=10

基极电流I

(

)

–300

–250

–200

–150

集电极电流I

（MA ）

–160

– 0.3

25C

– 0.1

Ta=75C

–120

–25C

–80

– 0.03

– 0.01

–100

–50

– 0.6

–1.2

–1.8

–40

– 0.003

– 0.001

–1

– 0.4

– 0.8

–1.2

–1.6

–2.0

–3

–10

–30

–100 –300 –1000

基极至发射极电压V

(V)

基极至发射极电压V

(V)

集电极电流I

（MA ）

— I

600

=–10V

160

140

120

100

–1

0.1

=–10V

Ta=25C

— I

— V

集电极输出电容C

（PF ）

f=1MHz

Ta=25C

正向电流传输比H

500

过渡频率f

（兆赫）

–1

400

Ta=75C

300

25C

–25C

200

100

–3

–10

–30

–100 –300 –1000

0.3

100

–3

–10

–30

–100

集电极电流I

（MA ）

发射极电流I

（MA ）

集电极基极电压V

(V)

晶体管

NF - 我

=–5V

f=1kHz

=2k

Ta=25C

=–5V

=50k

Ta=25C

2SB0709A

NF - 我

300

100

-h参数 - 我

噪声系数NF （ dB）的

-h参数

10kHz

(k)

=–5V

f=270Hz

Ta=25C

f=100Hz

1kHz

(S)

0.01 0.03

0.1

0.3

0.1

0.3

0.1

(10

–4

)

0.3

发射极电流I

（MA ）

发射极电流I

（MA ）

发射极电流I

（MA ）

-h参数 - V

300

100

=2mA

f=270Hz

Ta=25C

-h参数

(S)

(10

–4

)

(k)

–1

–3

–10

–30

–100

集电极到发射极电压V

(V)

请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息

并在此材料中描述的半导体

（ 1）出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的

换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术

＆ QUOT ;外汇及外国贸易法＆ QUOT ;要导出或带出日本。

（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表character-

istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得

物业，给予相对权利，或者给予任何许可。

（3）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或gen-

ERAL电子设备（如办公设备，通讯设备，测量IN-

struments和家用电器）。

提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：

特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，

燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和

可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或

对人体的危害。

任何应用程序比预期的标准应用程序等。

（ 4 ）在这种材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不

通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段，采购

荷兰国际集团，或使用的产品，因此，事先要求的最先进的最新产品标准

确保最新的技术规格满足您的要求。

（ 5 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -

妈妈等级，操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -

明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。

即使产品的保证值范围内使用，多余的设计建议，

所以，这样的设备可能没有违反，因为功能的有关法律，法规我们

产品。

（ 6 ）使用了该干的包装要求的产品，观察条件（包括保质期

及后拆包待机时间）约定，当规格表被单独更换。

（ 7 ）本资料的任何部分，未经书面许可，不得转载或复制任何手段

从我们公司。

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半导体产品最适合他们的应用程序。

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建议客户联系我们的半导体销售办事处，并获得最新信息

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总是有进一步的纠正将被要求在未来的可能性。因此，

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梨在这种材料。

C.这些材料仅适用于客户的个人使用。

因此，如果没有松下的事先书面同意，任何其他用途，如再现，

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2001年MAR