【SavantIC半导体产品speci fi cation硅PNP功率晶体管2SA887描述·采用TO】,IC型号2SA887,2SA887 PDF资料,2SA887经销商,ic,电子元器件-51电子网

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SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2SA887

描述

·采用TO- 202封装

·补键入2SC1848

应用

·中等功率放大器

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 202 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

T

a

=25

P

C

集电极耗散功率

T

C

=25

T

j

T

英镑

结温

储存温度

10

150

-55~150

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

-70

-50

-5

-2

-3

1.2

W

单位

V

V

V

A

A

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

条件

民

典型值。

2SA887

符号

最大

单位

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

CESAT

V

BESAT

h

FE-1

h

FE-2

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

f

T

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= -10mA ;我

B

=0

I

C

= -1mA ;我

E

=0

I

C

= -1A ，我

B

=-0.1A

I

C

= -2A ，我

B

=-0.2 A

I

C

= -100mA ; V

CE

=-5V

I

C

= -1A ; V

CE

=-5V

V

CB

= -40V ;我

E

=0

V

CE

= -20V ;我

B

=0

V

EB

= -5V ;我

C

=0

I

E

= 0.5A ; V

CB

=-5V

-50

V

集电极 - 基极击穿电压

-70

V

集电极 - 发射极饱和电压

-0.6

-1.2

V

基射极饱和电压

-1.0

-1.5

V

直流电流增益

30

直流电流增益

50

220

集电极截止电流

-1.0

A

集电极截止电流

-100

A

发射极截止电流

-10

A

跃迁频率

150

兆赫

h

FE-2

分类

P

50-100

Q

80-160

R

120-220

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SA887

图2外形尺寸

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2SA887

描述

·带

TO- 202封装

.Complement

键入2SC1848

应用

Medium

功率放大器

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 202 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

T

a

=25℃

P

C

集电极耗散功率

T

C

=25℃

T

j

T

英镑

结温

储存温度

10

150

-55~150

℃

℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

-70

-50

-5

-2

-3

1.2

W

单位

V

V

V

A

A

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

条件

民

典型值。

2SA887

最大

单位

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= -10mA ;我

B

=0

-50

V

V

（ BR ） CBO

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= -1mA ;我

E

=0

-70

V

V

CESAT

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= -1A ，我

B

=-0.1A

B

-0.6

-1.2

V

V

BESAT

基射极饱和电压

I

C

= -2A ，我

B

=-0.2 A

B

-1.0

-1.5

V

h

FE-1

直流电流增益

I

C

= -100mA ; V

CE

=-5V

30

h

FE-2

直流电流增益

I

C

= -1A ; V

CE

=-5V

50

220

I

CBO

集电极截止电流

V

CB

= -40V ;我

E

=0

-1.0

μA

I

首席执行官

集电极截止电流

V

CE

= -20V ;我

B

=0

-100

μA

I

EBO

发射极截止电流

V

EB

= -5V ;我

C

=0

-10

μA

f

T

跃迁频率

I

E

= 0.5A ; V

CB

=-5V

150

兆赫

h

FE-2

分类

P

50-100

Q

80-160

R

120-220

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SA887

图2外形尺寸

3

JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2SA887

描述

·带

TO- 202封装

.Complement

键入2SC1848

应用

Medium

功率放大器

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 202 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

T

a

=25℃

P

C

集电极耗散功率

T

C

=25℃

T

j

T

英镑

结温

储存温度

10

150

-55~150

℃

℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

-70

-50

-5

-2

-3

1.2

W

单位

V

V

V

A

A

JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

条件

民

典型值。

2SA887

最大

单位

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= -10mA ;我

B

=0

-50

V

V

（ BR ） CBO

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= -1mA ;我

E

=0

-70

V

V

CESAT

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= -1A ，我

B

=-0.1A

-0.6

-1.2

V

V

BESAT

基射极饱和电压

I

C

= -2A ，我

B

=-0.2 A

-1.0

-1.5

V

h

FE-1

直流电流增益

I

C

= -100mA ; V

CE

=-5V

30

h

FE-2

直流电流增益

I

C

= -1A ; V

CE

=-5V

50

220

I

CBO

集电极截止电流

V

CB

= -40V ;我

E

=0

-1.0

μA

I

首席执行官

集电极截止电流

V

CE

= -20V ;我

B

=0

-100

μA

I

EBO

发射极截止电流

V

EB

= -5V ;我

C

=0

-10

μA

f

T

跃迁频率

I

E

= 0.5A ; V

CB

=-5V

150

兆赫

h

FE-2

分类

P

50-100

Q

80-160

R

120-220

2

JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SA887

图2外形尺寸

3

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联系人：连

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