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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA837
描述
·采用TO-3封装
·安全运行的广域
·补键入2SC1667
应用
·对于射频功率放大器
应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
集热器
描述
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=75
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-90
-90
-5
-4
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= -25mA ;我
B
=0
I
C
= -1mA ;我
E
=0
I
E
= -1mA ;我
C
=0
I
C
= -3A ;我
B
=-0.3A
V
CB
= -90V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-4V
I
E
=0; V
CB
=-10V;f=1MHz
I
C
= -1A ; V
CE
=-10V
40
民
-90
-90
-5
2SA837
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
典型值。
最大
单位
V
V
V
-1.5
-0.1
-0.1
200
200
10
V
mA
mA
pF
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA837
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA837
描述
·带
TO- 3封装
ùWide
安全工作区
.Complement
键入2SC1667
应用
For
无线电频率和功率放大
应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
集热器
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=75℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-90
-90
-5
-4
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= -25mA ;我
B
=0
I
C
= -1mA ;我
E
=0
I
E
= -1mA ;我
C
=0
I
C
= -3A ;我
B
=-0.3A
V
CB
= -90V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-4V
I
E
=0; V
CB
=-10V;f=1MHz
I
C
= -1A ; V
CE
=-10V
40
200
10
民
-90
-90
-5
典型值。
2SA837
最大
单位
V
V
V
-1.5
-0.1
-0.1
200
V
mA
mA
pF
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA837
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA837
描述
·带
TO- 3封装
ùWide
安全工作区
.Complement
键入2SC1667
应用
For
无线电频率和功率放大
应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
集热器
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=75℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-90
-90
-5
-4
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= -25mA ;我
B
=0
I
C
= -1mA ;我
E
=0
I
E
= -1mA ;我
C
=0
I
C
= -3A ;我
B
=-0.3A
V
CB
= -90V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-4V
I
E
=0; V
CB
=-10V;f=1MHz
I
C
= -1A ; V
CE
=-10V
40
200
10
民
-90
-90
-5
典型值。
2SA837
最大
单位
V
V
V
-1.5
-0.1
-0.1
200
V
mA
mA
pF
兆赫
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA837
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
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2SD1160_06
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2N2927
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27C256-15ESO
2N6041
250USG330M20X30
2SB1130M
226-R
259646
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