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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
2SA758
ISC
硅PNP功率晶体管
描述
高
电源Dissipation-
: P
C
= 80W(Max.)@T
C
=25℃
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= -110V （最小值）
.Complement
键入2SC898
应用
·设计
在音频放大器功率输出级使用，
一般用途的应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
-130
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
-110
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
-5
V
I
C
集电极电流连续
-7
A
I
CM
集电极电流峰值
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
-12
A
P
C
80
W
T
j
150
℃
T
英镑
储存温度
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
2SA758
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -50mA ;
BE
=
∞
-110
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -5mA ;我
E
= 0
-130
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= -5mA ;我
C
= 0
-5
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -5A ;我
B
= -1A
-1.8
V
V
BE
（上）
基射极电压上
I
C
= -1A ; V
CE
= -5V
-1.5
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= -30V ;我
E
= 0
-1.0
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -1A ; V
CE
= -5V
25
200
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -5A ; V
CE
= -5V
20
f
T
电流增益带宽积
I
C
= -1A ; V
CE
= -5V
20
兆赫
h
FE-1
分类
A
25-60
B
50-120
C
100-200
ISC的网站： www.iscsemi.cn
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA758
描述
·带
TO- 3封装
.Complement
键入2SC898
应用
For
80W音频放大器电源
输出的应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
集热器
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-130
-110
-5
-7
-12
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SA758
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -50mA ; R
BE
=∞
-110
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -5mA ，我
E
=0
-130
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= -5mA ，我
C
=0
-5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -5A ;我
B
=-1A
-1.8
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
-1.5
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -30V ;我
E
=0
-1
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
25
200
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -5A ; V
CE
=-5V
20
f
T
跃迁频率
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
20
兆赫
h
FE-1
分类
A
25-60
B
50-120
C
100-200
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA758
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
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27C256-25/J
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256702
2256-821L
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