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订购数量: ENN7990
2SA2126
2SA2126
应用
PNP外延平面硅晶体管
DC / DC转换器应用
DC / DC转换器,继电器驱动器,灯驱动器,电机驱动器。
特点
通过MBIT过程。
高电流容量。
低集电极 - 发射极饱和电压。
高速开关。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
Tc=25°C
条件
评级
-
-50
-
-50
-
-50
--6
--3
--6
--600
0.8
15
150
--55到150
单位
V
V
V
V
A
A
mA
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCB = -
-40V , IE = 0
VEB = -
-4V , IC = 0
VCE = -
-2V , IC = - 100毫安
VCE = -
-10V , IC = - 500毫安
VCB = -
-10V , F = 1MHz的
200
390
24
条件
评级
典型值
最大
--1
--1
560
兆赫
pF
单位
A
A
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
21505EA TS IM TB- 00000214 No.7990-1 / 4
2SA2126
从接下页。
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE ( SAT )
V( BR ) CBO
V( BR ) CES
V( BR ) CEO
V( BR ) EBO
TSTG
tf
条件
IC = - 1A , IB = - 50毫安
IC = - 2A , IB = - 100毫安
IC = - 2A , IB = - 100毫安
IC = - 10μA , IE = 0
IC = - 100μA , RBE = 0
IC = - 1mA时, RBE = ∞
IE = - 10μA , IC = 0
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
--50
--50
--50
--6
30
230
18
评级
典型值
--135
--260
--0.96
最大
--270
--520
--1.2
单位
mV
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
包装尺寸
单位:mm
2045B
6.5
5.0
4
包装尺寸
单位:mm
2044B
2.3
1.5
0.5
6.5
5.0
4
2.3
1.5
0.5
5.5
7.0
0.8
1.6
0.6
1
2
3
0.5
1
0.6
7.5
0.8
2
3
2.5
1.2
0.85
0.5
1.2
0.85
0.7
5.5
7.0
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
4 :收藏家
三洋: TP
1.2
0
0.2
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
4 :收藏家
三洋: TP -FA
2.3
2.3
2.3
2.3
开关时间测试电路
PW=20s
D.C.≤1%
输入
VR
50
RB
+
100F
VBE=5V
+
470F
VCC = --25V
IB1
IB2
产量
RL
--10IB1 = 10IB2 = IC = --1A
--5.0
--4.5
IC - VCE
--250
毫安0毫安
--20
mA
--150
mA
--100
--50mA
--3.0
IC - VBE
VCE = --2V
集电极电流, IC - 一个
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
集电极电流, IC - 一个
--4.0
--2.5
--2.0
5
°
C
TA
7
--1.0
--0.5
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--20mA
--10mA
--1.5
C
--0.8
25
°
--5mA
--1.0
--0.5
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
IB=0
--1.8
--2.0
--25
°
--1.0
C
--1.2
IT07643
集电极 - 发射极电压VCE - V
IT07642
基极发射极电压VBE - V
No.7990-2/4
2SA2126
1000
7
5
的hFE - IC
VCE = --2V
增益带宽积, FT - 兆赫
1000
7
5
FT - IC
VCE = --10V
直流电流增益, hFE参数
Ta=75
°C
25
°
C
--25
°C
3
2
3
2
100
7
5
3
--0.01
100
7
5
3
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
集电极电流, IC - 一个
100
5 7 --10
IT07644
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
COB - VCB
集电极电流, IC - 一个
--1.0
7
5 7 --10
IT07645
VCE (SAT) - IC
f=1MHz
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) - V
IC / IB = 20
输出电容,科夫 - pF的
7
5
3
2
5
3
--0.1
7
5
3
2
2
=7
Ta
5
°
C
C
5
°
-2
-
°
C
25
10
--0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
3
5 7 --100
IT07646
--0.01
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
集电极 - 基极电压VCB - V
3
2
VCE (SAT) - IC
集电极电流, IC - 一个
3
5 7 --10
IT07647
VBE (星期六) - IC
IC / IB = 50
基极 - 发射极
饱和电压VBE (星期六) - V
2
IC / IB = 20
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) - V
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--1.0
C
TA = --25
°
5
°
C
a=7
T
C
25
°
°
C
-25
-
7
75
°
C
5
25
°
C
--0.01
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
7
3
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
集电极电流, IC - 一个
--10
7
5
IT07648
ASO
集电极电流, IC - 一个
0.9
0.8
5 7 --10
IT07649
PC - TA
ICP = --6A
IC = --3A
<10s
集电极电流, IC - 一个
10
DC
集电极耗散,电脑 - 含
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
50
0
s
s
0
10
0m
s
10
1m
m
s
s
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
DC
op
No
ERA
TIO
he
a
OPE
RAT
n(
Ta
=2
ts
in
k
离子
( TC
5
°
C)
=2
5
°
C
)
--0.01
--0.1
Tc=25°C
单脉冲
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
3
5 7 --100
IT07650
0
20
40
60
80
100
120
140
160
集电极 - 发射极电压VCE - V
环境温度,钽 -
°C
IT07651
No.7990-3/4
2SA2126
16
15
14
PC - 锝
集电极耗散,电脑 - 含
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
外壳温度,TC -
°C
IT07652
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能,
特点,以及在独立国家所描述的产品功能,并且不保证
的性能,特点,以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态,不能在一个独立的装置来评估,
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而,任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的,这些概率的故障可能
事故或事件,危及人的生命,这可能导致冒烟或起火引起,
或可能造成损害的其他财产。在设计设备,采用安全的措施,
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路,电路错误预防安全设计,多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品(包括技术参数和服务)的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制,
这样的产品在没有从当局取得出口许可证出口
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段,电子或
机械,包括影印和记录,或任何信息存储或检索系统,
或以其他方式,而不三洋电机有限公司的事先书面许可,
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高,等等。当设计产品时,请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品,你打算使用。
本文信息(包括电路图和电路参数)例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠,但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的2月, 2005年规范和信息此处如有
更改,恕不另行通知。
PS No.7990-4 / 4
订购数量: ENN7990
2SA2126
2SA2126
应用
PNP外延平面硅晶体管
DC / DC转换器应用
DC / DC转换器,继电器驱动器,灯驱动器,电机驱动器。
特点
通过MBIT过程。
高电流容量。
低集电极 - 发射极饱和电压。
高速开关。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICP
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PC
Tj
TSTG
Tc=25°C
条件
评级
-
-50
-
-50
-
-50
--6
--3
--6
--600
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15
150
--55到150
单位
V
V
V
V
A
A
mA
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
符号
ICBO
IEBO
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fT
COB
VCB = -
-40V , IE = 0
VEB = -
-4V , IC = 0
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-2V , IC = - 100毫安
VCE = -
-10V , IC = - 500毫安
VCB = -
-10V , F = 1MHz的
200
390
24
条件
评级
典型值
最大
--1
--1
560
兆赫
pF
单位
A
A
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
21505EA TS IM TB- 00000214 No.7990-1 / 4
2SA2126
从接下页。
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE ( SAT )
V( BR ) CBO
V( BR ) CES
V( BR ) CEO
V( BR ) EBO
TSTG
tf
条件
IC = - 1A , IB = - 50毫安
IC = - 2A , IB = - 100毫安
IC = - 2A , IB = - 100毫安
IC = - 10μA , IE = 0
IC = - 100μA , RBE = 0
IC = - 1mA时, RBE = ∞
IE = - 10μA , IC = 0
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
--50
--50
--50
--6
30
230
18
评级
典型值
--135
--260
--0.96
最大
--270
--520
--1.2
单位
mV
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
包装尺寸
单位:mm
2045B
6.5
5.0
4
包装尺寸
单位:mm
2044B
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0.5
6.5
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1.2
0.85
0.5
1.2
0.85
0.7
5.5
7.0
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
4 :收藏家
三洋: TP
1.2
0
0.2
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
4 :收藏家
三洋: TP -FA
2.3
2.3
2.3
2.3
开关时间测试电路
PW=20s
D.C.≤1%
输入
VR
50
RB
+
100F
VBE=5V
+
470F
VCC = --25V
IB1
IB2
产量
RL
--10IB1 = 10IB2 = IC = --1A
--5.0
--4.5
IC - VCE
--250
毫安0毫安
--20
mA
--150
mA
--100
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--3.0
IC - VBE
VCE = --2V
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--3.5
--3.0
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集电极电流, IC - 一个
--4.0
--2.5
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5
°
C
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7
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--25
°
--1.0
C
--1.2
IT07643
集电极 - 发射极电压VCE - V
IT07642
基极发射极电压VBE - V
No.7990-2/4
2SA2126
1000
7
5
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1000
7
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°C
25
°
C
--25
°C
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2
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100
7
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IT07644
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集电极电流, IC - 一个
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7
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IT07645
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集电极 - 发射极
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5
°
C
C
5
°
-2
-
°
C
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--0.01
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C
TA = --25
°
5
°
C
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T
C
25
°
°
C
-25
-
7
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°
C
5
25
°
C
--0.01
--0.01
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--10
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ASO
集电极电流, IC - 一个
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IT07649
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op
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k
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°
C)
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°C
IT07651
No.7990-3/4
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PC - 锝
集电极耗散,电脑 - 含
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