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2SA2097
东芝晶体管PNP硅外延型
2SA2097
高速Swtching应用
DC- DC转换器应用
高直流电流增益:H
FE
= 200 500 (我
C
=
0.5
A)
低集电极 - 发射极饱和: V
CE (SAT)
=
0.27
V(最大值)
高速开关:吨
f
= 55 ns(典型值)。
单位:mm
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
Ta
=
25°C
Tc
=
25°C
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
50
7
5
10
0.5
1
20
150
55
150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
2-7J1A
重量:0.58克(典型值)。
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
温度等)可能会导致此产品的可靠性降低显著即使操作
条件(即工作温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” /降级的概念和方法)和个人数据的可靠性(即可靠性试验报告
和估计故障率等)。
1
2006-11-09
2SA2097
电气特性
( TA = 25°C )
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
上升时间
开关时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
h
FE
(1)
h
FE
(2)
V
CE (SAT)
V
BE (SAT)
t
r
t
英镑
t
f
测试条件
V
CB
= 50
V,I
E
=
0
V
EB
= 7
V,I
C
=
0
I
C
= 10
妈,我
B
=
0
V
CE
= 2
V,I
C
= 0.5
A
V
CE
= 2
V,I
C
= 1.6
A
I
C
= 1.6
A,I
B
= 53
mA
I
C
= 1.6
A,I
B
= 53
mA
参见图1 V
CC
24
V ,R
L
=
15
Ω
I
B1
= I
B2
= 53
mA
50
200
100
典型值。
63
280
55
最大
100
100
500
0.27
1.10
ns
V
V
单位
nA
nA
V
V
CC
R
L
产量
I
B2
I
B1
20
μs
占空比
& LT ;
1%
输入
I
B1
I
B2
图1
记号
开关时间测试电路&时序图
A2097
产品型号(或缩写代码)
LOT号
A线指示
铅(Pb ) - 免费包或
铅(Pb ) -free完成。
2
2006-11-09
2SA2097
I
C
– V
CE
6
60
mA
50
mA
共发射极
Tc
=
25°C
30
mA
20
mA
3000
1000
500
300
100
50
30
10
5
3
共发射极
VCE
= 2
V
h
FE
– I
C
(A)
70
mA
4
40
mA
Tc
=
100°C
集电极电流I
C
直流电流增益
FE
25°C
55°C
10
mA
2
5
mA
2
mA
0
0
IB
= 1
mA
0
2
4
6
8
1
0.001 0.003 0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
10
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
CE (SAT)
– I
C
3
1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.03
0.01
0.005
0.003
0.001
0.001 0.003 0.01 0.03
Tc
=
100°C
55°C
25°C
共发射极
IC / IB
=
30
30
10
共发射极
IC / IB
=
30
V
BE (SAT)
– I
C
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
基射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
5
3
1
0.5
0.3
25°C
0.1
0.05
0.03
0.01
0.001 0.003 0.01 0.03
100°C
Tc
= 55°C
0.1
0.3
1
3
10
0.1
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
I
C
– V
BE
2
共发射极
VCE
= 2
V
10
共发射极
5
Tc
=
25°C
3
1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.03
2
A
V
CE
– I
B
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
IC
= 2.5
A
1
Tc
=
100°C
55°C
1
A
25°C
0
0
0.5
1
1.5
0.01
0.001 0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
基射极电压
V
BE
(V)
基极电流I
B
(A)
3
2006-11-09
2SA2097
r
日(J -C )
– t
w
瞬态热阻( junction-情况下)
r
日(J -C )
( ° C / W)
50
30
10
5
3
Tc
=
25℃无限散热器
1
0.5
0.001
曲线应该被应用
热面积有限。
(单非重复脉冲)
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
100
50
30
IC MAX (脉冲)
*
100
μs*
10
μs*
10
(A)
5
3
IC MAX(连续)
1毫秒*
集电极电流I
C
1
0.5
0.3
直接运行
( TC
=
25°C)
10毫秒*
100毫秒*
0.1
0.05
0.03
*:
单脉冲锝
=
25°C
曲线必须降低
线性地增加
温度
1
0.01
0.1
10
最大VCEO
100
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
(V)
4
2006-11-09
2SA2097
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
5
2006-11-09
2SA2097
东芝晶体管PNP硅外延型
2SA2097
高速Swtching应用
DC- DC转换器应用
·
·
·
高直流电流增益:H
FE
= 200 500 (我
C
=
0.5
A)
低集电极 - 发射极饱和: V
CE (SAT)
=
0.27
V(最大值)
高速开关:吨
f
= 55 ns(典型值)。
单位:mm
最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
Ta
=
25°C
Tc
=
25°C
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
Pc
T
j
T
英镑
等级
-50
-50
-7
-5
-10
-0.5
1
20
150
-55
150
单位
V
V
V
A
A
JEDEC
W
°C
°C
SC-64
2-7J1A
JEITA
东芝
重量:0.58克(典型值)。
电气特性
( TA = 25°C )
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极电压brakedown
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
上升时间
开关时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
h
FE
(1)
h
FE
(2)
V
CE (SAT)
V
BE (SAT)
t
r
t
英镑
t
f
测试条件
V
CB
= -50
V,I
E
=
0
V
EB
= -7
V,I
C
=
0
I
C
= -10
妈,我
B
=
0
V
CE
= -2
V,I
C
= -0.5
A
V
CE
= -2
V,I
C
= -1.6
A
I
C
= -1.6
A,I
B
= -53
mA
I
C
= -1.6
A,I
B
= -53
mA
参见图1电路原理图
V
CC
~ -24
V ,R
L
=
15
W
-
I
B1
= -I
B2
= -53
mA
-50
200
100
典型值。
63
280
55
最大
-100
-100
500
-0.27
-1.10
ns
V
V
单位
nA
nA
V
1
2002-08-21
2SA2097
V
CC
R
L
产量
I
B2
I
B1
20
ms
占空比
& LT ;
1%
输入
I
B1
I
B2
图1
记号
开关时间测试电路&时序图
A2097
产品编号
LOT号
批号说明
生产的月份:一月到十二月是由字母A表示为L分别。
制造年份:生产年份的最后一位小数位数
2
2002-08-21
2SA2097
I
C
– V
CE
-6
-60
mA
-50
mA
共发射极
Tc
=
25°C
-30
mA
-20
mA
3000
1000
500
300
100
50
30
10
5
3
共发射极
VCE
= -2
V
h
FE
– I
C
(A)
-70
mA
-4
-40
mA
Tc
=
100°C
I
C
h
FE
直流电流增益
25°C
-55°C
集电极电流
-10
mA
-2
-5
mA
-2
mA
0
0
IB
= -1
mA
0
-2
-4
-6
-8
1
-0.001 -0.003 -0.01 -0.03
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
集电极电流
I
C
(A)
V
CE (SAT)
– I
C
-3
共发射极
IC / IB
=
30
-30
-10
-5
-3
-1
-0.5
-0.3
25°C
-0.1
-0.05
-0.03
Tc
= -55°C
共发射极
IC / IB
=
30
V
BE (SAT)
– I
C
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
-0.5
-0.3
-0.1
-0.05
-0.03
-0.01
-0.005
-0.003
-0.001
-0.001 -0.003 -0.01 -0.03
Tc
=
100°C
-55°C
25°C
基射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
-1
100°C
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-0.01
-0.001 -0.003 -0.01 -0.03
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
集电极电流
I
C
(A)
集电极电流
I
C
(A)
I
C
– V
BE
-2
共发射极
VCE
= -2
V
-10
共发射极
-5
Tc
=
25°C
-3
-1
-0.5
-0.3
-0.1
-0.05
-0.03
-0.01
-0.001 -0.003
-2
A
V
CE
– I
B
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE
(V)
I
C
(A)
集电极电流
IC
= -2.5
A
-1
Tc
=
100°C
-55°C
-1
A
25°C
0
0
-0.5
-1
-1.5
-0.01
-0.03
-0.1
-0.3
-1
-3
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
基极电流
I
B
(A)
3
2002-08-21
2SA2097
r
日(J -C )
– t
w
瞬态热阻( junction-情况下)
r
日(J -C )
( ° C / W)
50
30
10
5
3
Tc
=
25℃无限散热器
1
0.5
0.001
曲线应该被应用
热面积有限。
(单非重复脉冲)
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
-100
-50
-30
IC MAX (脉冲)
*
100
女士*
10
女士*
-10
(A)
-5
-3
IC MAX(连续)
1毫秒*
集电极电流I
C
-1
-0.5
-0.3
直接运行
( TC
=
25°C)
10毫秒*
100毫秒*
-0.1
-0.05
-0.03
*:
单脉冲锝
=
25°C
曲线必须降低
LINEALY而增大
温度
-1
-0.01
-0.1
-10
最大VCEO
-100
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
(V)
4
2002-08-21
2SA2097
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等)。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
5
2002-08-21
2SA2097
东芝晶体管PNP硅外延型
2SA2097
高速Swtching应用
DC- DC转换器应用
·
·
·
高直流电流增益:H
FE
= 200 500 (我
C
=
0.5
A)
低集电极 - 发射极饱和: V
CE (SAT)
=
0.27
V(最大值)
高速开关:吨
f
= 55 ns(典型值)。
单位:mm
最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
Ta
=
25°C
Tc
=
25°C
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
Pc
T
j
T
英镑
等级
-50
-50
-7
-5
-10
-0.5
1
20
150
-55
150
单位
V
V
V
A
A
JEDEC
W
°C
°C
SC-64
2-7J1A
JEITA
东芝
重量:0.58克(典型值)。
电气特性
( TA = 25°C )
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极电压brakedown
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
上升时间
开关时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
h
FE
(1)
h
FE
(2)
V
CE (SAT)
V
BE (SAT)
t
r
t
英镑
t
f
测试条件
V
CB
= -50
V,I
E
=
0
V
EB
= -7
V,I
C
=
0
I
C
= -10
妈,我
B
=
0
V
CE
= -2
V,I
C
= -0.5
A
V
CE
= -2
V,I
C
= -1.6
A
I
C
= -1.6
A,I
B
= -53
mA
I
C
= -1.6
A,I
B
= -53
mA
参见图1电路原理图
V
CC
~ -24
V ,R
L
=
15
W
-
I
B1
= -I
B2
= -53
mA
-50
200
100
典型值。
63
280
55
最大
-100
-100
500
-0.27
-1.10
ns
V
V
单位
nA
nA
V
1
2002-08-21
2SA2097
V
CC
R
L
产量
I
B2
I
B1
20
ms
占空比
& LT ;
1%
输入
I
B1
I
B2
图1
记号
开关时间测试电路&时序图
A2097
产品编号
LOT号
批号说明
生产的月份:一月到十二月是由字母A表示为L分别。
制造年份:生产年份的最后一位小数位数
2
2002-08-21
2SA2097
I
C
– V
CE
-6
-60
mA
-50
mA
共发射极
Tc
=
25°C
-30
mA
-20
mA
3000
1000
500
300
100
50
30
10
5
3
共发射极
VCE
= -2
V
h
FE
– I
C
(A)
-70
mA
-4
-40
mA
Tc
=
100°C
I
C
h
FE
直流电流增益
25°C
-55°C
集电极电流
-10
mA
-2
-5
mA
-2
mA
0
0
IB
= -1
mA
0
-2
-4
-6
-8
1
-0.001 -0.003 -0.01 -0.03
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
集电极电流
I
C
(A)
V
CE (SAT)
– I
C
-3
共发射极
IC / IB
=
30
-30
-10
-5
-3
-1
-0.5
-0.3
25°C
-0.1
-0.05
-0.03
Tc
= -55°C
共发射极
IC / IB
=
30
V
BE (SAT)
– I
C
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
-0.5
-0.3
-0.1
-0.05
-0.03
-0.01
-0.005
-0.003
-0.001
-0.001 -0.003 -0.01 -0.03
Tc
=
100°C
-55°C
25°C
基射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
-1
100°C
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-0.01
-0.001 -0.003 -0.01 -0.03
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
集电极电流
I
C
(A)
集电极电流
I
C
(A)
I
C
– V
BE
-2
共发射极
VCE
= -2
V
-10
共发射极
-5
Tc
=
25°C
-3
-1
-0.5
-0.3
-0.1
-0.05
-0.03
-0.01
-0.001 -0.003
-2
A
V
CE
– I
B
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE
(V)
I
C
(A)
集电极电流
IC
= -2.5
A
-1
Tc
=
100°C
-55°C
-1
A
25°C
0
0
-0.5
-1
-1.5
-0.01
-0.03
-0.1
-0.3
-1
-3
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
基极电流
I
B
(A)
3
2002-08-21
2SA2097
r
日(J -C )
– t
w
瞬态热阻( junction-情况下)
r
日(J -C )
( ° C / W)
50
30
10
5
3
Tc
=
25℃无限散热器
1
0.5
0.001
曲线应该被应用
热面积有限。
(单非重复脉冲)
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
-100
-50
-30
IC MAX (脉冲)
*
100
女士*
10
女士*
-10
(A)
-5
-3
IC MAX(连续)
1毫秒*
集电极电流I
C
-1
-0.5
-0.3
直接运行
( TC
=
25°C)
10毫秒*
100毫秒*
-0.1
-0.05
-0.03
*:
单脉冲锝
=
25°C
曲线必须降低
LINEALY而增大
温度
-1
-0.01
-0.1
-10
最大VCEO
-100
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
(V)
4
2002-08-21
2SA2097
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等)。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
5
2002-08-21
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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