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2SA2071
晶体管
功率晶体管(
60V,
3
A)
2SA2071
!
特点
1 )高速开关。 ( TF:典型值: 20ns的,在我
C
=
3A)
2)低的饱和电压,典型地
(典型值:
200mV
在我
C
=
2A ,我
B
=
0.2A)
3 )强大的放电功率为感性负载和
电容负载。
4 )补充了2SC5824
!
外形尺寸
(单位:毫米)
MPT3
1.5
0.4
1.0
(1)
4.0
2.5
0.5
0.5
(3)
1.5
0.4
(1)Base(Gate)
(2)Collector(Drain)
(3)Emitter(Sourse)
0.4
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号: UN
!应用
低频放大器
高速开关
!
结构
PNP硅外延平面晶体管
!
包装规格
TYPE
2SA2071
CODE
基本订购单位(件)
TAPING
T100
1000
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
TSTG
范围
60
60
6
3
6
500
2.0
150
55~+150
单位
V
V
V
A
A
1
mW
W
2
°C
°C
1
Pw=100ms
2
安装在一个40 ×40× 0.7 (毫米)的陶瓷基板
1.5
1.6
4.5
3.0
(2)
1/3
2SA2071
晶体管
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号最小值。典型值。马克斯。单位
条件
BV
CBO
60
V I
C
= 100A
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压BV
首席执行官
60
V I
C
= -1mA
发射极 - 基极击穿电压
BV
EBO
6
V I
E
= 100A
1.0 A
V
CB
= 40V
I
CBO
集电极截止电流
I
EBO
1.0 A
V
EB
= 4V
发射极截止电流
200 500
我毫伏
C
= 2A,
I
B
= 0.2A
1
集电极 - 发射极饱和电压V
CE (SAT)
h
FE
V
CE
= 2V,
I
C
= -100mA
120
390
直流电流增益
f
T
180
兆赫V
CE
= 10V,
I
E
=10mA,
f=10MHz
跃迁频率
集电极输出电容
COB
50
pF的V
CB
= 10V,
I
E
=0mA,
f=1MHz
20
NS我
C
= 3A
开启时间
I
B1
= -300mA
TSTG
150
NS我
B2
=300mA
贮存时间
Tf
20
NS V
CC
25V
2
下降时间
1
非重复脉冲
2
见开关特征研究测量cicuits
1
!
h
FE
Q
120270
!
电气特性曲线
10
集电极电流:我
C
(A)
1000
Ta=25°C
V
CC
= 25V
I
C
/I
B
=10/1
1000
直流电流增益:H
FE
V
CE
= 2V
切换时间(纳秒)
1
TSTG
Tf
100
Ta=125°C
Ta=25°C
TA
40°C
10
0.1
0.01
100us
1ms
10ms
100ms
DC
100
0.001
0.1
1
10
100
10
0.01
0.1
1
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
图1安全工作区
图2开关时间
图3直流电流增益与
集电极电流( Ι )
1000
Ta=25°C
10
I
C
/I
B
=10/1
10
Ta=25°C
集电极饱和
电压: V
CE (SAT)
(V)
100
V
CE
= 5V
V
CE
= 3V
V
CE
= 2V
1
Ta=125°C
Ta=25°C
TA
40°C
0.1
集电极饱和
电压: V
CE (SAT)
(V)
直流电流增益:H
FE
1
I
C
/I
B
=20/1
I
C
/I
B
=10/1
0.1
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
图4直流电流增益与
集电极电流( ΙΙ )
图5集电极 - 发射极饱和
电压 -
集电极电流( Ι )
图6集电极 - 发射极饱和
电压 -
集电极电流( ΙΙ )
2/3
2SA2071
晶体管
I
C
/I
B
=10/1
V
CE
= 2V
跃迁频率:FT (兆赫)
10
10
集电极电流:我
C
(A)
1000
基极发射极饱和
电压: V
BE (SAT)
(V)
Ta=25°C
V
CE
= 10V
1
Ta=125°C
Ta=25°C
1
TA
40°C
100
TA
40°C
0.1
Ta=25°C
Ta=125°C
0.1
10
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0
0.5
1
1.5
1
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极电流:我
C
(A)
基地发射极电压: V
BE
(V)
发射极电流:我
E
(A)
图7基极 - 发射极饱和
电压与电流捕集器
图8发射极接地
传播特性
图9过渡频率
1000
集电极输出
电容:玉米棒(PF )
Ta=25°C
f=1MHz
100
10
1
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压: V
CB
(V)
图10集电极输出电容
!
开关特性测量电路
R
L=
8.3
V
IN
P
W
I
B1
I
C
I
B2
P
W
50s
占空比1 %
V
CC
25V
I
B2
I
B1
基极电流
波形
90%
集电极电流
波形
I
C
10%
TSTG
Tf
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
2SA2071
晶体管
功率晶体管(
60V,
3
A)
2SA2071
!
特点
1 )高速开关。 ( TF:典型值: 20ns的,在我
C
=
3A)
2)低的饱和电压,典型地
(典型值:
200mV
在我
C
=
2A ,我
B
=
0.2A)
3 )强大的放电功率为感性负载和
电容负载。
4 )补充了2SC5824
!
外形尺寸
(单位:毫米)
MPT3
1.5
0.4
1.0
(1)
4.0
2.5
0.5
0.5
(3)
1.5
0.4
(1)Base(Gate)
(2)Collector(Drain)
(3)Emitter(Sourse)
0.4
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号: UN
!应用
低频放大器
高速开关
!
结构
PNP硅外延平面晶体管
!
包装规格
TYPE
2SA2071
CODE
基本订购单位(件)
TAPING
T100
1000
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
TSTG
范围
60
60
6
3
6
500
2.0
150
55~+150
单位
V
V
V
A
A
1
mW
W
2
°C
°C
1
Pw=100ms
2
安装在一个40 ×40× 0.7 (毫米)的陶瓷基板
1.5
1.6
4.5
3.0
(2)
1/3
2SA2071
晶体管
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号最小值。典型值。马克斯。单位
条件
BV
CBO
60
V I
C
= 100A
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压BV
首席执行官
60
V I
C
= -1mA
发射极 - 基极击穿电压
BV
EBO
6
V I
E
= 100A
1.0 A
V
CB
= 40V
I
CBO
集电极截止电流
I
EBO
1.0 A
V
EB
= 4V
发射极截止电流
200 500
我毫伏
C
= 2A,
I
B
= 0.2A
1
集电极 - 发射极饱和电压V
CE (SAT)
h
FE
V
CE
= 2V,
I
C
= -100mA
120
390
直流电流增益
f
T
180
兆赫V
CE
= 10V,
I
E
=10mA,
f=10MHz
跃迁频率
集电极输出电容
COB
50
pF的V
CB
= 10V,
I
E
=0mA,
f=1MHz
20
NS我
C
= 3A
开启时间
I
B1
= -300mA
TSTG
150
NS我
B2
=300mA
贮存时间
Tf
20
NS V
CC
25V
2
下降时间
1
非重复脉冲
2
见开关特征研究测量cicuits
1
!
h
FE
Q
120270
!
电气特性曲线
10
集电极电流:我
C
(A)
1000
Ta=25°C
V
CC
= 25V
I
C
/I
B
=10/1
1000
直流电流增益:H
FE
V
CE
= 2V
切换时间(纳秒)
1
TSTG
Tf
100
Ta=125°C
Ta=25°C
TA
40°C
10
0.1
0.01
100us
1ms
10ms
100ms
DC
100
0.001
0.1
1
10
100
10
0.01
0.1
1
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
图1安全工作区
图2开关时间
图3直流电流增益与
集电极电流( Ι )
1000
Ta=25°C
10
I
C
/I
B
=10/1
10
Ta=25°C
集电极饱和
电压: V
CE (SAT)
(V)
100
V
CE
= 5V
V
CE
= 3V
V
CE
= 2V
1
Ta=125°C
Ta=25°C
TA
40°C
0.1
集电极饱和
电压: V
CE (SAT)
(V)
直流电流增益:H
FE
1
I
C
/I
B
=20/1
I
C
/I
B
=10/1
0.1
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
图4直流电流增益与
集电极电流( ΙΙ )
图5集电极 - 发射极饱和
电压 -
集电极电流( Ι )
图6集电极 - 发射极饱和
电压 -
集电极电流( ΙΙ )
2/3
2SA2071
晶体管
I
C
/I
B
=10/1
V
CE
= 2V
跃迁频率:FT (兆赫)
10
10
集电极电流:我
C
(A)
1000
基极发射极饱和
电压: V
BE (SAT)
(V)
Ta=25°C
V
CE
= 10V
1
Ta=125°C
Ta=25°C
1
TA
40°C
100
TA
40°C
0.1
Ta=25°C
Ta=125°C
0.1
10
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0
0.5
1
1.5
1
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极电流:我
C
(A)
基地发射极电压: V
BE
(V)
发射极电流:我
E
(A)
图7基极 - 发射极饱和
电压与电流捕集器
图8发射极接地
传播特性
图9过渡频率
1000
集电极输出
电容:玉米棒(PF )
Ta=25°C
f=1MHz
100
10
1
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压: V
CB
(V)
图10集电极输出电容
!
开关特性测量电路
R
L=
8.3
V
IN
P
W
I
B1
I
C
I
B2
P
W
50s
占空比1 %
V
CC
25V
I
B2
I
B1
基极电流
波形
90%
集电极电流
波形
I
C
10%
TSTG
Tf
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
产品speci fi cation
2SA2071
特点
高速开关。 (T
f
:典型值。 :在20ns的我
C
= - 3A)
低饱和电压,通常为
(典型值: -2 00mV ,在IC = -2A , IB = -0.2A )
强大的放电功率为感性负载和
电容负载。
绝对最大额定值TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
P
P
C
T
J
T
s TG
等级
-60
-60
-6
-3
-6
0.5
150
-55到150
W
A
V
单位
电气特性TA = 25 ℃
参数
Collecto-基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极输出电容
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
Testconditons
IC = -100 μA
I
E
=0
IC = -1毫安
I
B
=0
I
E
= -100
μ
A
I
C
=0
V
CB
= -40 V,I
E
=0
V
EB
= -4V ,我
C
=0
V
CE
= -2V ,我
C
= -100mA
120
-0.2
50
180
-60
-60
-6
-1.0
-1.0
390
-0.5
V
P
F
典型值
最大
单位
V
uA
V
CE ( SAT )
I
C
= -2A ,我
B
=-200mA
COB
f
T
V
CB
= -10V ,我
E
= 0毫安, F = 1MHz的
V
CE
= -10V ,我
E
= 10毫安, F = 10MHz时
兆赫
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1第3
产品speci fi cation
2SA2071
典型特征
10
集电极电流:我
C
(A)
1000
切换时间(纳秒)
1
TSTG
Tf
Ta=25°C
V
CC
= 25V
I
C
/I
B
=10/1
0.1
100
0.01
100us
1ms
10ms
100ms
DC
0.001
0.1
1
10
100
10
0.01
0.1
1
10
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
集电极电流:我
C
(A)
图1安全工作区
图2开关时间
1000
Ta=25°C
10
I
C
/I
B
=10/1
100
V
CE
= 5V
V
CE
= 3V
V
CE
= 2V
集电极饱和
电压: V
CE (SAT)
(V)
直流电流增益:H
FE
1
Ta=125°C
Ta=25°C
TA
40°C
0.1
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
图4直流电流增益与
集电极电流( ΙΙ )
图5集电极 - 发射极饱和
电压 -
集电极电流( Ι )
10
Ta=25°C
1000
直流电流增益:H
FE
V
CE
= 2V
集电极饱和
电压: V
CE (SAT)
(V)
100
Ta=125°C
Ta=25°C
TA
40°C
10
1
I
C
/I
B
=20/1
I
C
/I
B
=10/1
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
图3直流电流增益与
集电极电流( Ι )
图6集电极 - 发射极饱和
电压 -
集电极电流( ΙΙ )
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产品speci fi cation
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典型特征
10
基极发射极饱和
电压: V
BE (SAT)
(V)
集电极电流:我
C
(A)
I
C
/I
B
=10/1
10
Ta=125°C
Ta=25°C
1
TA
40°C
V
CE
= 2V
1
TA
40°C
0.1
Ta=25°C
Ta=125°C
0.1
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0
0.5
1
1.5
集电极电流:我
C
(A)
基地发射极电压: V
BE
(V)
图7基极 - 发射极饱和
电压与电流捕集器
图8发射极接地
传播特性
集电极输出
电容:玉米棒(PF )
-
Ta=25°C
f=1MHz
跃迁频率:FT (兆赫)
1000
1000
Ta=25°C
V
CE
= 10V
100
100
10
10
1
0.1
1
10
100
1
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极 - 基极电压: V
CB
(V)
发射极电流:我
E
(A)
图10集电极输出电容
图9过渡频率
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