2SA2018 / 2SA2030 / 2SA2119K
晶体管
低频晶体管
2SA2018 / 2SA2030 / 2SA2119K
500毫安类的哪去了只能进2125尺寸的晶体管通常是达到1608年规模或1208的尺寸。
2SA2018
0.3
(3)
(1)
(2)
0.2
0.5 0.5
0.2
0.55
0.7
应用
对于开关，静音。
外形尺寸
（单位：毫米）
1.0
特点
1）集电极电流较大。
2 ）集电极饱和电压低。
V
CE （SAT）
≤
250mA
在我
C
= 200毫安/ I
B
= 10毫安
0.8
1.6
0.15
0.1Min.
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： EMT3
EIAJ ： SC- 75A
JEDEC ： SOT- 416
缩写符号：
BW
1.6
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
2SA2030
0.2
1.2
0.32
1.2
0.8
(2)
(3)
(1)
0.2
0.4 0.4
0.8
0.13
0.5
0.22
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： VMT3
缩写符号：
BW
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
0.95 0.95
1.9
（ 1 ）基本
（2）发射
（ 3 ）集电极
0.4
集电极电流
0.15
(3)
1.6
2.8
0.8
1.1
集电极耗散功率
结温
储存温度
*单
脉冲， PW = 1毫秒
150
300
150
55
to
+150
mW
°C
°C
0.3Min.
(2)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
I
CP
VMT3
P
C
EMT3
SMT3
Tj
TSTG
范围
15
12
500
1
单位
V
V
mA
A
2SA2119K
(1)
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
JEDEC ： SOT- 346
缩写符号：
BW
2.9
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号最小值。典型值。马克斯。单位
条件
集电极 - 基极击穿电压
BV
CBO
15
V I
C
=10A
12
V I
C
=1mA
集电极 - 发射极击穿电压BV
首席执行官
发射极 - 基极击穿电压
BV
EBO
6
V I
E
=10A
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
100 nA的V
CB
=15V
270
680
直流电流传输比
h
FE
V
CE
=2V
/ I
C
=10mA
100 250 mV的我
C
=200mA
/ I
B
=10mA
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （SAT）
260
兆赫V
CE
=2V,
I
E
=10mA,
f
T
=100MHz
跃迁频率
f
T
输出电容
COB
6.5
pF的V
CB
=10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
Rev.A的
1/2
2SA2018 / 2SA2030 / 2SA2119K
晶体管
包装规格和h
FE
TYPE
h
FE
2SA2119K
2SA2018
2SA2030
包名称
CODE
基本订购单位（件）
T146
3000
TAPING
TL
3000
T2L
8000
电气特性曲线
1000
V
CE
=2V
1000
500
V
CE
=2V
1000
500
I
C
/ I
B
=20
集电极电流：我
C
（MA ）
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0
Ta=125°C
Ta=25°C
TA
40°C
200
100
50
20
10
5
2
Ta=125°C
Ta=25°C
TA
40°C
集电极饱和
电压： V
CE （SAT）
(V)
直流电流增益：H
FE
200
100
50
20
10
5
2
Ta=125°C
Ta=25°C
TA
40°C
0.5
1.0
1.5
1
1
2
5
10 20
50 100 200
500 1000
1
1
2
5
10 20
50 100 200
500 1000
基地发射极电压： V
BE
(V)
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图1发射极接地传播
特征
图2直流电流增益与
集电极电流
BASER饱和电压： V
BE （SAT）
（毫伏）
10000
5000
2000
1000
500
200
100
50
20
10
1
2
5
10 20
50 100 200
500 1000
TA
40°C
Ta=25°C
Ta=125°C
图3集电极 - 发射极饱和
电压 -
集电极电流
(Ι)
1000
1000
500
跃迁频率：F
T
（兆赫）
Ta=25°C
I
C
/ I
B
=20
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10 20
V
CE
=2V
Ta=25°C
集电极饱和
电压： V
CE （SAT）
（毫伏）
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10 20
50 100 200
500 1000
I
C
/ I
B
=50
I
C
/ I
B
=20
I
C
/ I
B
=10
50 100 200
500 1000
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
发射极电流：我
C
（MA ）
图4集电极 - 发射极饱和
电压 -
集电极电流
(ΙΙ)
发射极输入电容：
CIB （PF ）
集电极输出电容：
COB （PF ）
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10 20
50 100
COB
兴业银行
图5基射极饱和
电压电流vs.Collecter
图6增益带宽积主场迎战
发射极电流
I
E
=0A
f=1MHz
Ta=25°C
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
图7集电极输出电容主场迎战
集电极 - 基极电压
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
Rev.A的
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
2SA2018
PNP属通用晶体管
P B
铅（Pb ） - 免费
1
2
3
产品特点：
*集电极电流大。
*低V
CE （ SAT ）
. V
CE （ SAT ）
≤-250mV
@ I
C
= -200mA / I
B
= -10mA
SOT-523(SC-75)
最大额定值（T
A
= 25℃除非另有说明）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
价值
-15
-12
-6
-0.5
0.15
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
TEST
条件
民
-15
-12
-6
-0.1
-0.1
270
680
-0.25
260
6.5
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
= -10μA ，我
E
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
= -10μA ，我
C
=0
V
CB
= -15 V，I
E
=0
V
EB
= - 6V ，我
C
=0
V
CE
= -2V ，我
C
=-10mA
I
C
=-200mA,I
B
=-10mA
V
CE
=-2V,I
C
= -10mA ， F = 100MHz的
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
项
2SA2018
记号
BW
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
1/3
24-Jul-07
2SA2018
典型特征
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2/3
24-Jul-07
2SA2018
SOT -523外形尺寸（ SC- 75 ）
单位：mm
A
SOT-523
B
顶视图
D
E
G
H
J
L
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
民
0.30
0.70
1.45
-
0.15
0.80
1.40
0.00
0.70
0.37
0.10
最大
0.50
0.90
1.75
0.50
0.40
1.00
1.80
0.10
1.00
0.48
0.25
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
3/3
24-Jul-07
2SA2018 / 2SA2030 / 2SA2119K
晶体管
低频晶体管
2SA2018 / 2SA2030 / 2SA2119K
500毫安类的哪去了只能进2125尺寸的晶体管通常是达到1608年规模或1208的尺寸。
应用
对于开关，静音。
尺寸
（单位：毫米）
2SA2018
特点
1）集电极电流较大。
2 ）集电极饱和电压低。
V
CE （SAT）
≤
250mA
在我
C
=
200mA
/ I
B
=
10mA
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： EMT3
EIAJ ： SC- 75A
JEDEC ： SOT- 416
缩写符号：
BW
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
2SA2030
每根导线具有相同的尺寸
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
VMT3
P
C
EMT3
SMT3
Tj
TSTG
范围
15
12
6
500
1
150
200
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
A
mW
°C
°C
ROHM ： VMT3
缩写符号：
BW
（ 1 ）基本
（2）发射
（ 3 ）集电极
2.9
1.1
0.4
0.8
2SA2119K
(3)
(2)
(1)
1.6
2.8
集电极耗散功率
结温
储存温度
*单
脉冲， PW = 1毫秒
0.95 0.95
0.15
1.9
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
JEDEC ： SOT- 346
缩写符号：
BW
0.3Min.
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号最小值。典型值。
集电极 - 基极击穿电压
BV
CBO
15
集电极 - 发射极击穿电压BV
首席执行官
12
发射极 - 基极击穿电压
BV
EBO
6
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
发射Cuto FF电流
I
EBO
270
直流电流传输比
h
FE
100
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （SAT）
260
跃迁频率
f
T
输出电容
COB
6.5
MAX 。 UNIT
条件
V I
C
= 10A
V I
C
= -1mA
V I
E
= 10A
100
nA的V
CB
= 15V
100
nA的V
EB
= 6V
680
V
CE
= 2V
/ I
C
= -10mA
250
我毫伏
C
= -200mA
/ I
B
= -10mA
兆赫V
CE
= 2V,
I
E
=10mA,
f
T
=100MHz
pF的V
CB
= 10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
REV.C
1/2
2SA2018 / 2SA2030 / 2SA2119K
晶体管
包装规格和h
FE
TYPE
h
FE
2SA2119K
2SA2018
2SA2030
包名称
CODE
基本订购单位（件）
T146
3000
TAPING
TL
3000
T2L
8000
电气特性曲线
1000
V
CE
=2V
200
I
B
=700A
1000
I
B
=600A
I
B
=500A
I
B
=400A
I
B
=300A
I
B
=200A
V
CE
=2V
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0
0.5
1.0
1.5
Ta=125°C
Ta=25°C
TA
40°C
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
I
B
=100A
I
B
=0A
500
直流电流增益：H
FE
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10 20
50 100 200
500 1000
Ta=125°C
Ta=25°C
TA
40°C
Ta=25
°C
脉冲
基地发射极电压： V
BE
(V)
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极电流：我
C
（MA ）
图1发射极接地传播
特征
1000
500
I
C
/ I
B
=20
图2典型的输出特性
BASER饱和电压： V
BE （SAT）
（毫伏）
1000
500
Ta=25°C
图3直流电流增益与
集电极电流
10000
5000
2000
1000
500
200
100
50
20
10
1
2
5
10 20
50 100 200
500 1000
TA
40°C
Ta=25°C
Ta=125°C
I
C
/ I
B
=20
集电极饱和
电压： V
CE （SAT）
（毫伏）
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10 20
50 100 200
500 1000
Ta=125°C
Ta=25°C
TA
40°C
集电极饱和
电压： V
CE （SAT）
（毫伏）
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10 20
50 100 200
500 1000
I
C
/ I
B
=50
I
C
/ I
B
=20
I
C
/ I
B
=10
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图4集电极 - 发射极饱和
电压 -
集电极电流
(Ι)
发射极输入电容：
CIB （PF ）
集电极输出电容：
COB （PF ）
1000
图5集电极 - 发射极饱和
电压 -
集电极电流
(ΙΙ)
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10 20
50 100
COB
兴业银行
图6基射极饱和
电压电流vs.Collecter
跃迁频率：F
T
（兆赫）
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10 20
V
CE
=2V
Ta=25°C
I
E
=0A
f=1MHz
Ta=25°C
50 100 200
500 1000
发射极电流：我
C
（MA ）
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
图7增益带宽积主场迎战
发射极电流
图8集电极输出电容主场迎战
集电极 - 基极电压
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
REV.C
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品，设备或装置需要相当高的水平
可靠性和故障，其中将直接危及人的生命（如医疗
仪器仪表，交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器
和其他安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
这是我们的首要任务，以提供产品以最大的质量和可靠性。然而，总有一个机会
失败是由于意外因素。因此，请考虑降容特性，并允许
供足够的安全功能，如额外的裕度，抗燃性，和故障保护措施的设计在当
为了防止可能发生的事故可能会导致人身伤害或火灾，造成部件故障的。 ROHM
可以不负责因使用该产品的情况下所产生的任何损失
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