UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2SA2016
PNP外延平面
晶体管
应用
*继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，选通。
1
PNP平面晶体管
特点
*高电流容量。
*低集电极 - 发射极饱和电压。
*高速开关
*高允许功耗。
SOT-89
*无铅电镀产品编号： 2SA2016L
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
2SA2016-AB3-R
2SA2016L-AB3-R
包
SOT-89
引脚分配
1
2
3
B
C
E
填料
带盘
2SA2016L-AB3-R
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
（ 3 ）铅电镀
（ 1 ）R ：带卷轴
（ 2 ） AB3 ： SOT- 89
（ 3）L ：无铅电镀空白：铅/锡
,
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1 6
QW-R208-018.B
2SA2016
绝对最大额定值
(Ta=25°С)
参数
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
PNP平面晶体管
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极耗散安装在陶瓷板上
Pc
1.3
W
2
(250mm *0.8mm)
集电极耗散（ TC = 25
°
C)
Pc
3.5
W
集电极电流
Ic
-7
A
集电极电流
ICP
-10
A
基极电流
I
B
-1.2
A
结温
T
J
150
°
C
储存温度
T
英镑
-55到+150
°
C
注意绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
评级
-50
-50
-6
单位
V
V
V
电气特性
(Tc=25
℃
)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
增益带宽积
输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
COB
t
ON
t
英镑
t
F
测试条件
IC = -10μA ，我
E
=0
IC = -1mA ，R
BE
=∞
集成电路= 0，余
E
= -10A
V
CB
= -40V ，我
E
=0
V
EB
= -4V ， IC = 0
V
CE
= -2V ， IC = -500mA
IC = -3.5A ，我
B
= -175mA
IC = -2A ，我
B
= -40mA
IC = -2A ，我
B
= -40mA
V
CE
= -10V ， IC = -500mA
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
民
-50
-50
-6
最大单位
V
V
V
-0.1
A
-0.1
A
560
-0.23 -0.39
V
-0.24 -0.40
V
-0.83 -1.2
V
290
兆赫
50
pF
40
ns
225
ns
25
ns
典型值
200
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QW-R208-018.B
2SA2016
开关时间测试电路
PW=20μs
D.C.≒1%
I
B2
I
B1
V
R
R
B
+
+
产量
R
L
PNP平面晶体管
输入
50Ω
100μF
470μF
V
BE
=5V
V
CC
= -25V
-20I
B1
=20I
B2
=I
C
= 2.5A
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3 6
QW-R208-018.B
2SA2016
典型特征
PNP平面晶体管
V
CE （SAT）
-IC
-10000
7 I
C
/I
B
=50
5
3
2
-1000
7
5
3
2
-100
7
5
3
2
-10
-0.01
-10000
7
5
V
BE （ SAT ）
-IC
I
C
/I
B
=50
基极 - 发射极饱和
电压，V
BE （ SAT ）
-V
集电极 - 发射极饱和
电压，V
CE （SAT）
-MV
TA = 75 ℃
TA = 25 ℃
3
2
TA = -25 ℃
-1000
7
5
3
2
-100
-0.01
TA = 25 ℃
TA = -25 ℃
TA = 75 ℃
2
3 5 7 -0.1
2 3 5 7 -1.0
2 3 5 7 -10
2
3 5 7 -0.1
2 3 5 7 -1.0
2 3 5 7 -10
集电极电流IC -A
COB -V
CB
5
3
2
1000
f=1MHz
7
5
集电极电流IC -A
fT的-Ic
V
CE
= -10V
增益带宽积， FT- MHz的
输出电容， COB- pF的
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
5 7-0.01
2 3 5 7 -0.1
2 3 5 7 -1.0
2 3 5
3
2
100
7
5
3
2
10
5 7-0.01 2 3 5 7 -0.1
2 3 5 7 -1.0
2 3 5 7 -10
集电极 - 基极电压，V
CB
-V
2
-10
7
5
3
2
-1.0
7
5
3
2
-0.1
7
5
ASO
2.0
ICP = -10A
集电极电流IC -A
PC -Ta
0
μ
10
s
1m
I
C
= -7A
DC
Op
er
at
io
s
集电极耗散，PC -W
s
μ
50
1.5
1.3
1.0
集电极电流IC -A
Mo
un
摊晒
n
on
a
100ms
10ms
0.5
3
2锝= 25 ℃
-0.01
2 3 5 7 -10 2 3 5 7 -100
-0.1 2 3 5 7 -1.0
集电极 - 发射极电压，V
CE
-V
ce
内存
ic
bo
ARD
(2
50
mm
2
* 0.
8m
m)
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度TA - ℃
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典型特征（续）
PNP平面晶体管
IC -V
CE
-7
-6
集电极电流Ic -A
-90mA
-40mA
-30mA
-20mA
-10mA
集电极电流IC -A
-5
-50mA
-60mA
-70mA
-80mA
-8
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
0
-0.2
IC -V
BE
V
CE
= -2V
-4 -100mA
-3
-2
-1
0
0
TA = 75 ℃
TA = 25 ℃
TA = -25 ℃
I
B
=0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
收藏家-to -发射极电压，V
CE
-V
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0 -1.2
基极 - 发射极电压，V
BE
-V
-1.4
h
FE
-IC
1000
7
5
直流电流增益，H
FE
V
CE
= -2V
TA = 75 ℃
3
2
100
7
5
3
2
TA = 25 ℃
集电极 - 发射极饱和
电压，V
CE （ SAT ）
-MV
-1000
7 I
C
/I
B
=20
5
3
2
-100
7
5
3
2
V
CE （ SAT ）
-IC
TA = -25 ℃
TA = 75 ℃
TA = 25 ℃
10
-0.01 2 3 5 7-0.1 2 3 5 7 -1.0
集电极电流IC -A
2 3 5 7 -10
TA = -25 ℃
-10
7
5
3
2
-1.0
-0.01 2 3 5 7 -0.1 2 3 5 7 -1.0
集电极电流IC -A
2 3 5 7 -10
4.0
3.5
集电极耗散，PC -W
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
20
40
PC -Tc
60
80 100 120
外壳温度， TC- ℃
140
160
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