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C/
J.
,
L) NC 。
电话: ( 973 ) 376-2922
20斯特恩AVE 。
SPRINGFIELD ,新泽西州07081
U.S.A.
(212)227-6005
传真: ( 973 ) 376-8960
硅PNP功率晶体管
2SA1939
描述
低集电极饱和电压 -
: V
CE
( T) = -2.0V (最小值) @l
c
= -5A
MFE的线性度好
补到类型2SC51 96
I
1
r
+
应用
功率放大器应用
推荐40W高保真音频
放大器输出级的应用程序
'
m
2
i
3
PIN 1.BASE
2.收集
3.辐射源
TO- 3R包
B
_
— H—!
-*-
C (*-
*I.
'
t
& GT ;
-1
G
w$\
° K,
I/
& QUOT ;
绝对最大额定值(T
a
=25C)
符号
参数
价值
单位
}
i
VCBO
集电极 - 基极电压
-80
V
K
r
in
T T
i
.f
M
u
^ [
- 'V
!
q
J
VCEO
集电极 - 发射极电压
-80
V
U-N
VEBO
发射极 - 基极电压
-5
mm
V
暗淡
A
最大
Ic
集电极电流连续
-6
A
B
C
D
f
H
J
K
L
N
U
N
S
T
I)
Z
IB
基极电流连续
集电极耗散功率
@ I C - 25°C
结温
-0.6
A
PC
60
W
Tj
150
'C
TSTG
存储温度范围
-55-150
°c
19.90
15.50
4.40
0.90
3.20
2.90
0.50
19.90
1.90
10.80
4.40
3.30
1.40
1.00
2.10
8.90
20.10
15.70
4.60
1.10
3.40
3.10
0.70
20.10
2.10
11.00
4.60
3.35
1.60,
1.20
2.30
9.10
NJ半导体保留更改测试条件,参数限制和封装尺寸不正确
通知。提供的信息NJ半导体被认为是既准确又可靠在即将所述时间
按。然而, NJ半导体承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
NJ半导体鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
质量半导体
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25'C除非另有规定
符号
参数
条件
2SA1939
典型值。
最大
单位
V( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
LC = -50mA ;我
B
= 0
-80
V
VCE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和电压
LC = -5A ;我
B
= -0.5A
-2.0
V
VeEton )
基射极电压上
LC = -3A ; V
CE
= -5V
-1.5
V
伊博语
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= -80V ;我
E
= 0
-5
nA
IEBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= -5V ;升
c
= 0
-5
uA
hpE-1
直流电流增益
l
c
=-1A;V
ce
=-5V
55
160
hFE-2
直流电流增益
LC = -3A ; V
CE
= -5V
35
COB
输出电容
I
E
=0;V
C
B = -10V ; F
TES
T = 1.0MHz的
180
pF
fr
目前, GAIN-带宽积
I
G
=-1A;V
C
E=-5V
30
兆赫
HPE - 1分类
R
55-110
0
80-160
2SA1939
PNP
平面硅晶体管
音频功率放大器
直流到直流转换器
SC-65
!
!
!
高电流能力
高功率耗散
补充2SC5196
绝对最大额定值(T
a
=25°c)
c
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
TSTG
等级
-120
-80
-6
-6
60
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
电气特性(Ta = 25℃)
c
Characterristic
集电极基极击穿电压
集电极发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
*直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
VCE ( SAT )
测试条件
IC = -5毫安IE = 0
IC = -10毫安
RBE =
IE = -5mA IC = 0
VCB = -40V IE = 0
VEB = -4V IC = 0
VCE = -5V IC = -1A
VCE = -5V IC = -2A
IC = -3A IB = -0.3A
-120
-80
-6
典型值
最大
单位
V
V
V
mA
mA
55
50
-0.1
-0.1
160
-2.5
V
永诚电脑配件有限公司, (香港)有限公司。
主页:
http://www.wingshing.com
联系电话: ( 852 ) 2341 9276传真: ( 852 ) 2797 8153
电子信箱: wsccltd@hkstar.com
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1939
描述
·带
TO-3P (Ⅰ)包
.Complement
键入2SC5196
应用
“权力
扩增fi er应用
※推荐
为40W高保真
音频放大器的输出级
钉扎
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形(TO -3P (Ⅰ) )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
固电
IN
导½
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
CH
MIC
ê SE
发射极开路
开基
集电极开路
条件
ND
O
OR
UCT
价值
-80
-80
-5
-6
-0.6
单位
V
V
V
A
A
W
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
60
150
-55~150
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -50mA ;我
B
=0
I
C
= -5 A;我
B
=-0.5A
I
C
= -3A ; V
CE
=-5V
V
CB
= -80V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -3A ; V
CE
=-5V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
E
=0; V
CB
=-10V;f=1MHz
55
35
30
-80
2SA1939
典型值。
最大
单位
V
-2.0
-1.5
-5
-5
160
V
V
μA
μA
固电
IN
输出电容
导½
h
FE-1
分类
R
55-110
O
80-160
ES
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
180
兆赫
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1939
固电
IN
导½
ES
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1939
固电
IN
导½
ES
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
4
2SA1939
东芝三极管
PNP硅三重扩散型
2SA1939
功率放大器的应用
单位:mm
补充2SC5196
推荐40 -W高保真音频放大器的输出
阶段。
绝对最大额定值
( TC = 25 ° C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
( TC = 25 ° C)
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
80
80
5
6
0.6
60
150
55
150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
2-16C1A
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
重量:7.6克(典型值)。
温度等)可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下(即
工作温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” /降级的概念和方法)和个人数据的可靠性(即可靠性试验报告
和估计故障率等)。
1
2006-11-09
2SA1939
电气特性
( TC = 25 ° C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
h
FE (1)
直流电流增益
(注)
h
FE (2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
V
CE (SAT)
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
=
80
V,I
E
= 0
V
EB
=
5
V,I
C
= 0
I
C
=
50
妈,我
B
= 0
V
CE
=
5
V,I
C
=
1
A
V
CE
=
5
V,I
C
=
3
A
I
C
=
5
A,I
B
=
0.5
A
V
CE
=
5
V,I
C
=
3
A
V
CE
=
5
V,I
C
=
1
A
V
CB
=
10
V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
80
55
35
典型值。
80
1.0
0.95
30
180
最大
5.0
5.0
160
2.0
1.5
V
V
兆赫
pF
单位
μA
μA
V
注:H
FE (1)
分类R: 55 110 ,O: 80 160
记号
东芝
A1939
产品型号(或缩写代码)
LOT号
A线指示
铅(Pb ) - 免费包或
铅(Pb ) -free完成。
特征
指标
2
2006-11-09
2SA1939
I
C
– V
CE
10
共发射极
TC = 25°C
8
300
8
10
I
C
– V
BE
(A)
集电极电流I
C
6
150
100
集电极电流I
C
250
200
(A)
6
TC = 100℃
4
50
40
30
20
IB =
10
mA
4
2
2
25°C
25°C
共发射极
VCE =
5
V
1
2
3
4
5
0
0
2
4
6
8
10
0
0
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
基射极电压
V
BE
(V)
V
CE (SAT)
– I
C
10
1000
h
FE
– I
C
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
TC = 100℃
直流电流增益
FE
TC = 25°C
100
TC =
25°C
1
TC = 100℃
0.1
TC =
25°C
10
TC = 25°C
共发射极
IC / IB = 10
1
0.01
共发射极
VCE =
5
V
0.1
1
10
0.01
0.01
0.1
1
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
安全工作区
20
集成电路最大值(脉冲) *
10
IC MAX(连续)
10毫秒*
100毫秒*
1毫秒*
直流操作
TC = 25°C
(A)
集电极电流I
C
5
3
1
0.5
0.3
* :单非重复脉冲
TC = 25°C
曲线必须是线性降额
同的温度升高。
0.1
1
3
10
VCEO
最大
30
100
300
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
3
2006-11-09
2SA1939
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
4
2006-11-09
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1939
描述
·带
TO-3P (Ⅰ)包
.Complement
键入2SC5196
应用
“权力
扩增fi er应用
※推荐
为40W高保真
音频放大器的输出级
钉扎
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形(TO -3P (Ⅰ) )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-80
-80
-5
-6
-0.6
60
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= -50mA ;我
B
=0
I
C
= -5 A;我
B
=-0.5A
I
C
= -3A ; V
CE
=-5V
V
CB
= -80V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -3A ; V
CE
=-5V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
E
=0; V
CB
=-10V;f=1MHz
55
35
30
180
-80
2SA1939
典型值。
最大
单位
V
-2.0
-1.5
-5
-5
160
V
V
μA
μA
兆赫
pF
h
FE-1
分类
R
55-110
O
80-160
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1939
图2外形尺寸
3
JMnic
硅PNP功率晶体管
2SA1939
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1939
描述
·采用TO- 3P ( I)包
·补键入2SC5196
应用
·功率放大器应用
·推荐40W高保真
音频放大器的输出级
钉扎
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形(TO -3P (Ⅰ) )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-80
-80
-5
-6
-0.6
60
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= -50mA ;我
B
=0
I
C
= -5 A;我
B
=-0.5A
I
C
= -3A ; V
CE
=-5V
V
CB
= -80V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -3A ; V
CE
=-5V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
E
=0; V
CB
=-10V;f=1MHz
55
35
-80
2SA1939
符号
V
( BR ) CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
典型值。
最大
单位
V
-2.0
-1.5
-5
-5
160
V
V
A
A
30
180
兆赫
pF
h
FE-1
分类
R
55-110
O
80-160
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1939
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1939
4
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数量
封装
单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SA1939
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

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