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2SA1930

东芝晶体管PNP硅外延型

2SA1930

功率放大器的应用

驱动级放大器的应用

单位：mm

高转换频率：F

= 200 MHz（典型值）。

补充2SC5171

绝对最大额定值

（ TC = 25 ° C）

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

集电极电源

耗散

结温

存储温度范围

TA = 25°C

TC = 25°C

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

180

2.0

150

单位

°C

JEDEC

JEITA

东芝

―

SC-67

2-10R1A

注：在重负载下连续使用的（如高的应用

重量：2.7克（典型值）。

温度/电流/电压和在显著变化

温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使操作

条件（即工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告

和估计故障率等）。

2007-06-15

2SA1930

电气特性

（ TC = 25 ° C）

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极击穿电压

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

跃迁频率

集电极输出电容

符号

CBO

EBO

（ BR ） CEO

(1)

(2)

CE （SAT）

测试条件

180

V，I

= 0

V，I

= 0

妈，我

= 0

V，I

0.1

V，I

A，I

0.1

V，I

0.3

V，I

= 0中，f = 1 MHz的

民

―

180

100

―

典型值。

―

0.24

0.68

200

最大

5.0

―

320

―

1.0

1.5

―

兆赫

单位

μA

记号

A1930

产品型号（或缩写代码）

LOT号

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

2007-06-15

2SA1930

– V

2.0

300

1.6

200

100

1.2

0.8

IB =

0.4

共发射极

TC = 25°C

0.4

2.0

– V

共发射极

VCE =

(A)

集电极电流I

(A)

1.6

1.2

0.8

TC = 100℃

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

集电极 - 发射极电压

(V)

基射极电压

(V)

CE （SAT）

– I

1000

共发射极

IC / IB = 10

TC = 100℃

TC = 25°C

TC =

25°C

100

– I

共发射极

VCE =

集电极 - 发射极饱和电压

CE （SAT）

(V)

TC = 100℃

0.1

直流电流增益

0.01

0.1

TC = 25°C

TC =

25°C

0.01

0.1

集电极电流I

(A)

集电极电流I

(A)

安全工作区

1毫秒*

IC最大

（连续）

10毫秒*

0.5

0.3

直流操作

TC = 25°C

100毫秒*

集成电路最大值（脉冲） *

100

μs*

集电极电流I

(A)

0.1

0.05

0.03

* ：单非重复脉冲

TC = 25°C

曲线必须降低

线性地增加

0.01

温度。

100

最大VCEO

300

1000

集电极 - 发射极电压V

(V)

2007-06-15

2SA1930

– t

100

曲线应在热应用限制

区。（单个非重复脉冲）

瞬态热阻

（ ° C / W）

无散热器

无限大的散热器

0.1

0.001

0.01

0.1

100

1000

脉冲宽度

(s)

2007-06-15

2SA1930

限制产品使用

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

20070701-EN

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等），这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他

文件应在客户自己的风险进行。

本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中

制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利

东芝或第三方。

请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节

兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品

该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任

如发生不遵守适用的法律和法规的结果。

2007-06-15

E.IIS.U

NE 。

电话：（ 973 ） 376-2922

(212)227-6005

传真：（ 973 ） 376-8960

20斯特恩AVE 。

SPRINGFIELD ，新泽西州07081

U.S.A.

硅PNP功率晶体管

2SA1930

描述

高转换法时频： FR =为200MHz （典型值）

为了配合2SC5171

应用

功率放大器应用

驱动级放大器的应用

PIN 1.BASE

2.COLLECTOR

3.辐射源

1 2 3

- C-

TO- 220F封装

绝对最大额定值（T

=25'C)

符号

VCBO

VCEO

VEBO

-s-

U I

I F ，

'-*

; i

我， _L -

- R-

" -V ; ，U

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流连续

基极电流连续

集电极耗散功率

@ T

=25'C

结温

存储温度范围

价值

-180

-5

-2

-1

150

-55-150

单位

°C

.-D

- N-

J --

WIN

暗淡

14.95

10.00

4.40

0.75

最大

15.05

10.10

4.60

0.80

3.30

3.90

0.70

13.6

1.30

5.20

2.90

2.40

2.85

6.60

3.10

3.70

0.50

13.4

1.10

5.00

2.70

2.20

2.65

6.40

TSTG

NJ半导体保留更改测试条件，参数限制和封装尺寸不正确

通知。提供的信息NJ半导体被认为是既准确又可靠nt下的持续时间

按。然而， NJ半导体承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。

NJ半导体鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。

质量半导体

硅PNP功率晶体管

电气特性

锝 25'C ，除非另有说明

符号

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

集电极输出电容

目前， GAIN-带宽积

条件

lc=-10mA;l

=-1.0A;I

=-0.1A

lc=-1A;V

=-5V

在额定电压

LC = -0.1A ; VCE = -5V

lc=-1A;V

=-5V

lE=0;V

=-10V,f=1MHz

LC = -0.3A ; V

=-5V

100

民

2SA1930

典型值。

最大

单位

VCEO （ SUS）

-180

-1.0

-1.5

-5

320

VOE （SAT）

VBE （ OH）

ICBO

IEBO

hpE-1

hpE-2

COB

兆赫

200