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2SA1924
东芝三极管
PNP硅三重扩散型
2SA1924
高压开关的应用
单位:mm
高击穿电压: V
首席执行官
=
400
V
低饱和电压: V
CE (SAT)
=
1
V(最大值)
(I
C
=
100
妈,我
B
=
10
毫安)
收藏家金属(FIN )完全覆盖与模具树脂。
绝对最大额定值
( TC = 25 ° C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
TA = 25°C
TC = 25°C
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
400
400
7
0.5
1
0.25
1.5
10
150
55
150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
2-8H1A
重量:1.3克(典型值)。
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
温度/电流/电压和温度的显著变化等)可能会导致本产品
减少在可靠性显著即使操作条件(即操作
温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” /降级的概念和方法)和个人数据的可靠性(即可靠性试验报告
和估计故障率等)。
1
2006-11-09
2SA1924
电气特性
( TC = 25 ° C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
h
FE (1)
h
FE (2)
V
CE (SAT)
V
BE (SAT)
f
T
C
ob
t
on
20
μs
I
B2
开关时间
测试条件
V
CB
=
400
V,I
E
= 0
V
EB
=
7
V,I
C
= 0
I
C
=
10
妈,我
B
= 0
V
CE
=
5
V,I
C
=
20
mA
V
CE
=
5
V,I
C
=
100
mA
I
C
=
100
妈,我
B
=
10
mA
I
C
=
100
妈,我
B
=
10
mA
V
CE
=
5
V,I
C
=
50
mA
V
CB
=
10
V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
输入
产量
20 k
400
140
140
典型值。
0.4
0.76
35
18
0.2
最大
10
1
450
400
1.0
0.9
V
V
兆赫
pF
单位
μA
μA
V
I
B1
I
B2
I
B1
贮存时间
t
英镑
2.3
μs
V
CC
=
200
V
下降时间
t
f
I
B1
=
10
妈,我
B2
= 20毫安,
占空比
1%
0.2
记号
LOT号
A1924
A线指示
铅(Pb ) -free完成。
产品型号(或缩写代码)
2
2006-11-09
2SA1924
I
C
– V
CE
500
100
400
80
60
40
20
10
5
2
400
500
共发射极
VCE =
5
V
I
C
– V
BE
(MA )
集电极电流I
C
集电极电流I
C
(MA )
300
1
200
IB =
0.5
mA
100
共发射极
TA = 25°C
0
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
300
200
TC = 100℃
25
55
100
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极 - 发射极电压V
BE
(V)
h
FE
– I
C
1000
100
25
100
50
30
TC =
55°C
30
共发射极
V
CE (SAT)
– I
C
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
500
10
5
3
IC / IB = 10
直流电流增益
FE
1
0.5
0.3
100
0.1
0.05
TC =
55°C
25
10
共发射极
5
3
1
VCE =
5
V
10
100
1000
0.03
1
10
100
1000
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
安全工作区
3000
100
μs*
1000
集成电路最大值(脉冲) *
IC MAX(连续)
300
μs*
10
μs*
(MA )
V
BE (SAT)
– I
C
10
300
直流操作
TC = 25°C
10毫秒*
1毫秒*
基射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
共发射极
5
3
IC / IB = 10
集电极电流I
C
100
30
1
0.5
0.3
55
10
* :单不重复
脉冲TC = 25℃
曲线必须降低
线性地增加
温度。
3
10
30
TC = 100℃
25
3
最大VCEO
100
300
1000
0.1
1
10
100
500
1
1
集电极电流I
C
(MA )
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
3
2006-11-09
2SA1924
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
4
2006-11-09
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SA1924
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
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原装现货真实
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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电话:0755- 82556029/82532511
联系人:高小姐/李先生
地址:深圳市福田区华强北路上步工业区鹏基上步工业厂房102栋西620
2SA1924
TOS
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联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
2SA1924
TOS
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2SA1924
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2SA1924
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联系人:李
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联系人:何小姐
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2SA1924
FAIRCHILD/仙童
21+
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TO-220
全新原装正品/质量有保证
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电话:13823538694
联系人:王
地址:龙岗区平湖街道华南城华利嘉A座603
2SA1924
TOSHIBA/东芝
19+
7000
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