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2SA1862
晶体管
高压开关晶体管
(400V,
2A)
2SA1862
特点
1)高的击穿电压。 ( BV
首席执行官
=
400V)
2 )低饱和电压。
(典型值V
CE (SAT)
=
0.3V
在我
C
/ I
B
=
500mA
/
100mA)
3 )高开关速度,通常TF = 0.4μs在我
C
=
1A.
4 )级SOA (安全工作区) 。
外形尺寸
(单位:毫米)
0.75
5.5
1.5
(3) (2) (1)
2.3
0.9
0.9
0.65
2.3
5.1
6.5
C0.5
1.0
0.5
0.5
1.5
2.5
9.5
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
单脉冲, PW = 10毫秒
ROHM : CPT3
EIAJ : SC- 63
单位
V
V
V
A( DC )
A(脉冲)
W
W( =锝25
°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
400
400
7
2
4
1
10
150
55
to
+150
°C
°C
包装规格和h
FE
TYPE
h
FE
CODE
基本订购单位(件)
2SA1862
CPT3
P
TL
2500
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
COB
TSTG
tf
分钟。
400
400
7
82
典型值。
0.3
18
30
0.2
1.8
0.4
马克斯。
10
10
0.5
1.2
180
单位
V
V
V
A
A
V
V
兆赫
pF
s
s
s
I
C
= 50A
I
C
= -1mA
I
E
= 50A
V
CB
= 400V
V
EB
= 5V
I
C
/I
B
= 0.5A/ 0.1A
I
C
/I
B
= 0.5A/ 0.1A
V
CE
= 5V,
I
C
= 0.1A
V
CB
= 10V,
I
E
=0.1A,
f=5MHz
V
CE
= 10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
I
C
=1A,
R
L
=150
I
B1
=I
B2
= 0.2A
V
CC
条件
150V
2.3
0.8Min.
( 1 )基本(门)
( 2 )集电极(漏极)
( 3 )发射极(源)
Rev.A的
1/2
2SA1862
晶体管
电气特性曲线
0.5
Ta
=
25°C
5.0mA
4.5mA
4.0mA
3.5mA
3.0mA
2.5mA
2.0mA
1.5mA
1.0mA
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
0
直流电流增益:H
EF
0.4
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(A)
Ta=25°C
V
CE
=
5V
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
Ta=25°C
V
CE
=
5V
0.3
0.2
0.1
I
B
=
0.5mA
0
0
2
4
6
8
10
-0.2 -0.4
-0.6
-0.8
-1.0 -1.2
-1.4
1
0.001 0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1 2
5 10
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
基地发射极电压: V
BE
(V)
集电极电流:我
C
(A)
图1地面发射极输出特性
图2接地发射传播特性
图3直流电流增益与集电极电流
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(V)
BASE SAURATION VLTAGE
: V
BE ( SAT )
(V)
集电极输出饱和度:C
ob
(PF )
发射极输入电容
: C
ib
(PF )
跃迁频率:F
T
(兆赫)
10
Ta=25°C
5
I
C
/I
B
=5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.001 0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1 2
5 10
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.001 0.002 0.005 0.01 0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
1
Ta=25°C
V
CE
= 10V
10000
5000
2000
1000
500
Ta=25°C
f=1MHz
I
E
=0A
V
BE ( SAT )
C
ib
200
100
50
20
10
0.1
0.2
0.5 1
2
5 10
20
50 100
C
ob
V
CE ( SAT )
2
5 10
集电极电流:我
C
(A)
发射极电流:我
E
(A)
集电极 - 基极电压: V
CB
(V)
发射器基极电压
: V
EB
(V)
图4集电极 - 发射极饱和电压与
集电极电流
基极 - 发射极饱和电压相对于
集电极电流
图5增益带宽积与发射极电流
图6集电极输出电容主场迎战集电极电压的低音
发射器的输入电容与发射极 - 基极电压
集电极电流:我
C
(A)
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
瞬态热抵抗,R
th
( ° C / W)
10000
1000
I
C最大值。
(脉冲) *
Pw=10ms
(1)使用无限散热片
(2)Unmounted
(2)
DC
100
100ms
(1)
10
1
0.1
0.01
0.001
Tc=25°C
*单
0.02
不重复
脉冲
0.01
1
2
5 10
20
50 100 200
500 1000
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
时间: T( S)
图7安全工作区
图8瞬态热阻
Rev.A的
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
2SA1862
晶体管
高压开关晶体管
(400V,
2A)
2SA1862
特点
1)高的击穿电压。 ( BV
首席执行官
=
400V)
2 )低饱和电压。
(最大V
CE (SAT)
=
0.5V
在我
C
/ I
B
=
500mA
/
100mA)
3 )高开关速度,通常TF = 0.4μs在我
C
=
1A.
4 )级SOA (安全工作区) 。
外形尺寸
(单位:毫米)
CPT3
6.5
5.1
2.3
0.5
5.5
1.5
0.9
0.75
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
单脉冲, PW = 10毫秒
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
400
400
7
2
4
1
10
150
55
to
+150
单位
V
V
V
A( DC )
A(脉冲)
W
W( =锝25
°C)
0.9
2.3
(2)
(3)
( 1 )基本(门)
( 2 )集电极(漏极)
( 3 )发射极(源)
(1)
2.3
0.8Min.
0.5
1.0
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
0.65
缩写符号: A1862
°C
°C
包装规格和h
FE
TYPE
h
FE
CODE
基本订购单位(件)
2SA1862
CPT3
P
TL
2500
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE
f
T
COB
TSTG
tf
分钟。
400
400
7
82
典型值。
18
30
0.2
1.8
0.4
马克斯。
10
10
0.5
1.2
180
单位
V
V
V
A
A
V
V
兆赫
pF
s
s
s
I
C
= 50A
I
C
= -1mA
I
E
= 50A
V
CB
= 400V
V
EB
= 5V
I
C
/I
B
= 0.5A/ 0.1A
I
C
/I
B
= 0.5A/ 0.1A
V
CE
= 5V,
I
C
= 0.1A
V
CB
= 10V,
I
E
=0.1A,
f=5MHz
V
CE
= 10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
I
C
=1A,
R
L
=150
I
B1
=I
B2
= 0.2A
V
CC
条件
150V
REV.B
2.5
1.5
9.5
1/2
2SA1862
晶体管
电气特性曲线
0.5
Ta
=
25°C
集电极电流:我
C
(A)
直流电流增益:H
EF
0.4
集电极电流:我
C
(MA )
5.0mA
4.5mA
4.0mA
3.5mA
3.0mA
2.5mA
2.0mA
1.5mA
1.0mA
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
0
Ta=25°C
V
CE
=
5V
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
Ta=25°C
V
CE
=
5V
0.3
0.2
0.1
I
B
=
0.5mA
0
0
2
4
6
8
10
-0.2 -0.4
-0.6
-0.8
-1.0 -1.2
-1.4
1
0.001 0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1 2
5 10
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
基地发射极电压: V
BE
(V)
集电极电流:我
C
(A)
图1地面发射极输出特性
图2接地发射传播特性
图3直流电流增益与集电极电流
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(V)
BASE SAURATION VLTAGE
: V
BE ( SAT )
(V)
集电极输出饱和度:C
ob
(PF )
发射极输入电容
: C
ib
(PF )
跃迁频率:F
T
(兆赫)
10
Ta=25°C
5
I
C
/I
B
=5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.001 0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1 2
5 10
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.001 0.002 0.005 0.01 0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
1
Ta=25°C
V
CE
= 10V
10000
5000
2000
1000
500
Ta=25°C
f=1MHz
I
E
=0A
V
BE ( SAT )
C
ib
200
100
50
20
10
0.1
0.2
0.5 1
2
5 10
20
50 100
C
ob
V
CE ( SAT )
2
5 10
集电极电流:我
C
(A)
发射极电流:我
E
(A)
集电极 - 基极电压: V
CB
(V)
发射器基极电压
: V
EB
(V)
图4集电极 - 发射极饱和电压与
集电极电流
基极 - 发射极饱和电压相对于
集电极电流
图5增益带宽积与发射极电流
图6集电极输出电容主场迎战集电极电压的低音
发射器的输入电容与发射极 - 基极电压
集电极电流:我
C
(A)
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
瞬态热抵抗,R
th
( ° C / W)
10000
1000
I
C最大值。
(脉冲) *
Pw=10ms
(1)使用无限散热片
(2)Unmounted
(2)
DC
100
100ms
(1)
10
1
0.1
0.01
0.001
Tc=25°C
*单
0.02
不重复
脉冲
0.01
1
2
5 10
20
50 100 200
500 1000
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
时间: T( S)
图7安全工作区
图8瞬态热阻
REV.B
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
晶体管
2SA1807
2SA1862
(96-102-A331)
(96-109-A343)
307
2SA1862
晶体管
高压开关晶体管
(400V,
2A)
2SA1862
特点
1)高的击穿电压。 ( BV
首席执行官
=
400V)
2 )低饱和电压。
(典型值V
CE (SAT)
=
0.3V
在我
C
/ I
B
=
500mA
/
100mA)
3 )高开关速度,通常TF = 0.4μs在我
C
=
1A.
4 )级SOA (安全工作区) 。
外形尺寸
(单位:毫米)
0.75
5.5
1.5
(3) (2) (1)
2.3
0.9
0.9
0.65
2.3
5.1
6.5
C0.5
1.0
0.5
0.5
1.5
2.5
9.5
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
单脉冲, PW = 10毫秒
ROHM : CPT3
EIAJ : SC- 63
单位
V
V
V
A( DC )
A(脉冲)
W
W( =锝25
°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
400
400
7
2
4
1
10
150
55
to
+150
°C
°C
包装规格和h
FE
TYPE
h
FE
CODE
基本订购单位(件)
2SA1862
CPT3
P
TL
2500
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
COB
TSTG
tf
分钟。
400
400
7
82
典型值。
0.3
18
30
0.2
1.8
0.4
马克斯。
10
10
0.5
1.2
180
单位
V
V
V
A
A
V
V
兆赫
pF
s
s
s
I
C
= 50A
I
C
= -1mA
I
E
= 50A
V
CB
= 400V
V
EB
= 5V
I
C
/I
B
= 0.5A/ 0.1A
I
C
/I
B
= 0.5A/ 0.1A
V
CE
= 5V,
I
C
= 0.1A
V
CB
= 10V,
I
E
=0.1A,
f=5MHz
V
CE
= 10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
I
C
=1A,
R
L
=150
I
B1
=I
B2
= 0.2A
V
CC
条件
150V
2.3
0.8Min.
( 1 )基本(门)
( 2 )集电极(漏极)
( 3 )发射极(源)
Rev.A的
1/2
2SA1862
晶体管
电气特性曲线
0.5
Ta
=
25°C
5.0mA
4.5mA
4.0mA
3.5mA
3.0mA
2.5mA
2.0mA
1.5mA
1.0mA
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
0
直流电流增益:H
EF
0.4
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(A)
Ta=25°C
V
CE
=
5V
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
Ta=25°C
V
CE
=
5V
0.3
0.2
0.1
I
B
=
0.5mA
0
0
2
4
6
8
10
-0.2 -0.4
-0.6
-0.8
-1.0 -1.2
-1.4
1
0.001 0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1 2
5 10
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
基地发射极电压: V
BE
(V)
集电极电流:我
C
(A)
图1地面发射极输出特性
图2接地发射传播特性
图3直流电流增益与集电极电流
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(V)
BASE SAURATION VLTAGE
: V
BE ( SAT )
(V)
集电极输出饱和度:C
ob
(PF )
发射极输入电容
: C
ib
(PF )
跃迁频率:F
T
(兆赫)
10
Ta=25°C
5
I
C
/I
B
=5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.001 0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1 2
5 10
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.001 0.002 0.005 0.01 0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
1
Ta=25°C
V
CE
= 10V
10000
5000
2000
1000
500
Ta=25°C
f=1MHz
I
E
=0A
V
BE ( SAT )
C
ib
200
100
50
20
10
0.1
0.2
0.5 1
2
5 10
20
50 100
C
ob
V
CE ( SAT )
2
5 10
集电极电流:我
C
(A)
发射极电流:我
E
(A)
集电极 - 基极电压: V
CB
(V)
发射器基极电压
: V
EB
(V)
图4集电极 - 发射极饱和电压与
集电极电流
基极 - 发射极饱和电压相对于
集电极电流
图5增益带宽积与发射极电流
图6集电极输出电容主场迎战集电极电压的低音
发射器的输入电容与发射极 - 基极电压
集电极电流:我
C
(A)
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
瞬态热抵抗,R
th
( ° C / W)
10000
1000
I
C最大值。
(脉冲) *
Pw=10ms
(1)使用无限散热片
(2)Unmounted
(2)
DC
100
100ms
(1)
10
1
0.1
0.01
0.001
Tc=25°C
*单
0.02
不重复
脉冲
0.01
1
2
5 10
20
50 100 200
500 1000
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
时间: T( S)
图7安全工作区
图8瞬态热阻
Rev.A的
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
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