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数据表
PNP硅外延晶体管
2SA1836
PNP硅外延晶体管
描述
该2SA1836是PNP硅外延晶体管。
封装图（单位：mm ）
0.3 ± 0.05
0.1
+0.1
–0.05
特点
1.6 ± 0.1
0.8 ± 0.1
高直流电流增益：H
FE2
= 200 TYP 。
高电压： V
首席执行官
=
50
V
3
0-0.1
2
0.2
+0.1
–0
0.5
0.5
0.6
0.75 ± 0.05
1
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
Note1
Note2
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C（ DC ）
I
C（脉冲）
P
T
T
j
T
英镑
60
50
5.0
100
200
200
150
-55到+ 150
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
1.0
1.6 ± 0.1
总功率耗散（T
A
= 25°C)
结温
存储温度范围
1 ：发射器
2 ：基本
3 ：收藏家
注意事项1 。
PW
≤
10毫秒，占空比
≤
50%
2
2.
当安装在3.0厘米陶瓷基板X 0.64毫米
电气特性（T
A
= 25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
记
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
测试条件
V
CB
=
60
V，I
E
= 0
V
EB
=
5.0
V，I
C
= 0
V
CE
=
6.0
V，I
C
=
0.1
mA
V
CE
=
6.0
V，I
C
=
1.0
mA
V
CE
=
6.0
V，I
C
=
1.0
mA
I
C
=
100
妈，我
B
=
10
mA
I
C
=
100
妈，我
B
=
10
mA
V
CE
=
6.0
V，I
E
= 10毫安
V
CE
=
6.0
V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
分钟。
典型值。
马克斯。
100
100
单位
nA
nA
50
90
200
0.62
0.18
0.86
50
180
4.5
6.0
0.3
1.0
600
V
V
V
兆赫
pF
基地发射极电压
记
记
V
BE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
集电极饱和电压
基本饱和电压
增益带宽积
输出电容
记
记
脉冲： PW
≤
350
S，占空比
≤
2%
h
FE
CLASSFICATION
记号
h
FE2
M4
90至180
M5
135 270
M6
200至400
M7
300至600
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号
D15615EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2001年7月NS CP （ K）
日本印刷
2001
2SA1836
典型特征（T
A
= 25°C)
总功耗对比
环境温度
300
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
V
CE
=
6.0
V
P
T
- 总功率耗散 - 毫瓦
自由的空气
W
I
C
- 集电极电流 - 毫安
250
he
30
10
5C
=7
25
C
200
150
100
50
nm
ou
NTE
do
nc
3
1
0.3
0.1
er
am
茶
te
of
3.0
cm
2
x0
.64
mm
0.03
150
0
25
50
75
100
125
0.01
0.4
0.5
T
A
su
bs
0.6
–25
C
ic
0.7
0.8
0.9
1.0
T
A
- 环境温度 - C
V
BE
- 基地发射极电压 - V
100
I
C
- 集电极电流 - 毫安
集电极电流与集电极
发射极电压
1.6
1.4
2.0
1.8
8
I
C
- 集电极电流 - 毫安
集电极电流与集电极
发射极电压
80
60
40
20
1.2
45
6
40
35
4
30
25
20
2
15
10
I
B
=
5.0
A
10
20
30
40
1.0
0.8
0.6
0.4
I
B
=
0.2
mA
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
V
CE
- 集电极到发射极电压 - V
V
CE
- 集电极到发射极电压 - V
集电极和基极饱和电压与
集电极电流
V
BE （ SAT ）
- 基本饱和电压 - V
V
CE （ SAT ）
- 集电极饱和电压 - V
输出电容与反向电压
10
F = 1.0 MHz的
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
V
BE （ SAT ）
C
ob
- 输出电容 - pF的
I
C
= 10
.
I
B
5
2
1
0.5
0.2
0.1
1
2
5
10
20
50
100
V
CE （ SAT ）
0.01
1
2
5
10
20
50
100
I
C
- 集电极电流 - 毫安
V
CB
- 集电极基极电压 - V
2
数据表D15615EJ1V0DS
2SA1836
直流电流增益与集电极电流
1000
500
h
FE
- 直流电流增益
直流电流增益与集电极电流
1000
500
V
CE
=
6.0
V
200
100
50
20
10
0.1
0.3
V
CE
=
6
V
1
V
h
FE
- 直流电流增益
T
A
= 75
C
25
C
25
C
200
100
50
20
1
3
10
30
100
10
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
- 集电极电流 - 毫安
I
C
- 集电极电流 - 毫安
增益带宽积主场迎战
发射极电流
1000
f
T
- 增益带宽积 - 兆赫
500
200
100
50
20
10
1
2
5
10
20
50
100
V
CE
=
6
V
1
V
I
E
- 发射极电流 - 毫安
数据表D15615EJ1V0DS
3
2SA1836
本文档中的信息为7月， 2001年的信息如有变化
恕不另行通知。在实际设计时，请参阅各产品的数据表或数据的最新出版物
书籍等，为NEC半导体产品的最先进的最新规格。并非所有产品
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半导体产品操作和应用实例。这些纳入
电路，软件和信息在客户设备的设计应在全面完成
客户的责任。 NEC不承担招致顾客或第三方的任何损失承担任何责任
从使用这些电路，软件和信息时造成当事人。
虽然本公司致力于提高半导体产品，客户的质量，可靠性和安全性
同意并确认缺陷的可能不能完全消除。为了最大限度地减少
损坏的财产或人身伤害（包括死亡）的风险，而产生的缺陷NEC人士
半导体产品，客户必须在设计过程中应加强安全措施，比如
冗余度，防火和防故障功能。
NEC半导体产品分为以下三个质量等级：
＆ QUOT ;标准＆ QUOT ;，＆ QUOT ;特殊＆ QUOT ;和＆ QUOT ;比＆ QUOT ;.在＆ QUOT ;比＆ QUOT ;只有质量等级适用于半导体产品
开发了基于客户指定的"quality保证program"针对特定应用程序。该
半导体产品的推荐用途取决于其质量等级，详见如下。
在一个特定的使用之前，客户必须检查每个半导体产品的质量等级
应用程序。
＆ QUOT ;标准＆ QUOT ;：计算机，办公自动化设备，通信设备，测试和测量设备，音频
·视频设备，家用电子电器，机械工具，个人电子设备
工业机器人
＆ QUOT ;特殊＆ QUOT ;：运输设备（汽车，火车，船舶等） ，交通控制系统，防灾
系统，防止犯罪系统，安全设备和医疗设备（不包括专门设计的
生命支持）
＆ QUOT ;比＆ QUOT ;:飞机，航空航天设备，海底中继设备，原子能控制系统，生命
支持系统和生命支持等医疗设备
NEC半导体产品的质量等级是"Standard"除非在NEC的明确规定
数据表或数据手册等，如果客户希望使用NEC半导体产品的应用中不
旨在通过NEC ，他们必须联系本公司销售代表预先确定NEC的意愿
支持一个给定的应用程序。
（注）
（1） ＆ QUOT ; NEC ＆ QUOT ;作为本声明中表示NEC公司，也包括其控股子公司。
（ 2 ） ＆ QUOT ; NEC半导体产品＆ QUOT ;指任何半导体产品的开发或由或为制造
NEC公司（如上所定义） 。
M8E 00 4
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23624
2SJ440_07
2SC4769-1
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