2SA1774
PNP
1
2
3
3
SC-89
(SOT-523F)
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2SA1774
电气特性
（ TA = 25℃除非另有说明） （ Countinued ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = -1 MADC ， VCE = -6.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = -50 MADC ， IB = -5mAdc ）
输出电容
（ VCB = -12Vdc ， I E = 0A ， F = 1MHZ ）
电流增益带宽积
（ IE = 2 MADC ， VCE = -12伏直流， F = 30 MHZ ）
的hFE
VCE （ SAT ）
120
-
-
-
560
-0.5
-
VDC
PF
COB
fT
-
-
4.0
140
5.0
-
兆赫
分类的hFE的
项
范围
记号
Q
120-270
FQ
R
180-390
FR
S
270-560
FS
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2SA1774
–50
–20
I
C
，C OLLE （C T）或C UR 鄂西北（毫安）
I
C
，C OLLE （C T）或C UR 鄂西北（毫安）
T
A
= 100°C
25°C
– 40°C
V
权证
= –10 V
–10
–35.0
T
A
= 25°C
–31.5
–28.0
–24.5
–8
–10
–50
–6
–21.0
–17.5
–2
–1
–4
–14.0
–10.5
–0.5
–2
–7.0
–3.5 A
–0.2
–0.1
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1.6
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
I
B
=0
–2.0
V
Bé
，B为E T O服务è MIT T E R诉OLTAG E（ V）
V
权证
，C OLLE TOR至E MIT T E R诉OLTAG E（ V）
图1接地发射传播特性
图2接地发射极的输出特性（）
–100
T
A
= 25°C
500
450
400
350
300
500
T
A
= 25°C
I
C
，C OLLE （C T）或C UR 鄂西北（毫安）
–80
V
权证
= –5 V
–3V
–1V
h
F ê
， DC C-UR 鄂西北摹AIN
–5
–60
–250
–200
200
–40
–150
–100
100
–20
–50 A
I
B
=0
0
–1
–2
–3
–4
50
0
–0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
–20
–50
–100
V
权证
，C OLLE TOR至E MIT T E R诉OLTAG E（ V）
I
C
，C OLLE （C T）或C UR 鄂西北（毫安）
图3接地发射极的输出特性（）
图4直流电流增益与集电极电流（ ）
V
权证（SAT）
，C OLLE TOR s的UR AT ION V OLTAG E（ V）
500
–1
T
A
= 100°C
25°C
–0.5
h
F ê
， DC C-UR 鄂西北摹AIN
–40°C
200
–0.2
100
–0.1
50
–0.05
V
权证
= – 6V
–0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
–20
–50
–100
–0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
–20
–50
–100
I
C
，C OLLE （C T）或C UR 鄂西北（毫安）
I
C
，C OLLE （C T）或C UR 鄂西北（毫安）
图5直流电流增益与集电极电流（ ）
图6集电极 - 发射极饱和电压与
集电极电流（ ）
WEITRON
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2SA1774
，C OLLE TOR s的UR AT ION V OLTAG E（ V）
–1
–0.5
f
r
，T ANS IT ION由于F R é QUE NC Y（兆赫）
I
C
/ I
B
=10
1000
T
A
=25 C
V
权证
=-12V
500
–0.2
200
–0.1
T
A
=100 C
25 C
-40 C
100
–0.05
权证（S AT ）
50
–0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
–20
–50
–100
V
–0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
–20
–50
–100
I
C
，C OLLE （C T）或C UR 鄂西北（毫安）
I
E
，E MIT T E R C UR 鄂西北（毫安）
图7集电极 - 发射极饱和电压与
集电极电流（ ）
图8的增益带宽积与发射极电流
I
ob
，C OLLE （C T） OR OUT P UT AP AC IT ANC E（ pF）的
I
ib
，E MIT T E INP UT AP AC IT ANC E（ pF）的
20
C
ib
10
T
A
=25 C
f=1MHz
I
E
=0 A
I
C
=0 A
C
ob
5
2
-0.5
-1
-2
-5
-10
-20
V
C B
，C OLLE （C T）或T ○B为E V OLT AG E（ V）
V
E B
，E MIT T E T O服务B为E V OLT AG E（ V）
图9集电极输出电容vs.collector - 基极电压
发射inputcapacitance与发射极 - 基极电压
WEITRON
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2SA1774
SC- 89外形Demensions
单位：mm
A
SC-89
3
牛逼的运算V即瓦特
2
1
K
G
D
B
S
M
C
J
N
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
M
N
S
民
1.50
0.75
0.60
0.23
0.10
0.30
---
---
1.50
喃
1.60
0.85
0.70
0.28
0.50BSC
0.15
0.40
---
---
1.60
最大
1.70
0.95
0.80
0.33
0.20
0.50
10
10
1.70
WEITRON
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2SA1774
PNP硅通用
用途放大器晶体管
这PNP晶体管是专为通用放大器
应用程序。此设备被容纳在所述SC- 75 / SOT- 416 / SC- 90
包是专为低功耗表面贴装
应用中，电路板空间非常珍贵。
特点
http://onsemi.com
集热器
3
板级空间缩小
高
FE
， 210-460 （典型值）
低V
CE （ SAT ）
， < 0.5 V
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
无铅包可用*
1
BASE
2
辐射源
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
C
价值
60
50
6.0
100
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
SC75
CASE 463-01
风格1
1
2
3
热特性
特征
功率耗散（注1 ）
结温
存储温度范围
符号
P
D
T
J
T
英镑
最大
150
150
55 ~ + 150
单位
mW
°C
°C
标记图
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.装置安装在FR-4玻璃环氧印刷电路板用的
推荐最低足迹。
F9 M
G
G
1
F9 =器件代码
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术参考
手动， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年5月 - 修订版6
出版订单号：
2SA1774/D
2SA1774
电气特性
(T
A
= 25°C)
特征
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 50
MADC ，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= -1.0 MADC ，我
B
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 50
MADC ，
I
E
= 0)
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= -30伏直流，我
E
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= -5.0伏，我
B
= 0)
集电极 - 发射极饱和电压（注2 ）
(I
C
= -50 MADC ，我
B
= -5.0 MADC ）
DC电流增益（注2）
(V
CE
= -6.0伏，我
C
= -1.0 MADC ）
跃迁频率
(V
CE
= -12伏直流，我
C
= -2.0 MADC ， F = 30兆赫）
输出电容
(V
CB
= -12伏直流，我
E
= 0 ADC中，f = 1 MHz）的
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
特区
≤
2%.
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
C
OB
民
60
50
6.0
120
典型值
140
3.5
最大
0.5
0.5
0.5
560
单位
VDC
VDC
VDC
nA
mA
VDC
兆赫
pF
订购信息
设备
2SA1774
2SA1774G
2SA1774T1
2SA1774T1G
包
SC75
SC75
（无铅）
SC75
SC75
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
2SA1774
包装尺寸
SC75/SOT416
CASE 463-01
本期
E
2
3
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
MILLIMETERS
民
喃最大
0.70
0.80
0.90
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.30
0.10
0.15
0.25
1.55
1.60
1.65
0.70
0.80
0.90
1.00 BSC
0.10
0.15
0.20
1.50
1.60
1.70
英寸
喃最大
0.031 0.035
0.002 0.004
0.008 0.012
0.006 0.010
0.063 0.067
0.031 0.035
0.04 BSC
0.004 0.006 0.008
0.061 0.063 0.065
民
0.027
0.000
0.006
0.004
0.059
0.027
e
1
D
b
3 PL
0.20 (0.008)
M
D
H
E
0.20 (0.008) E
暗淡
A
A1
b
C
D
E
e
L
H
E
C
A
L
A1
风格1 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
焊接足迹*
0.356
0.014
1.803
0.071
0.787
0.031
0.508
0.020
1.000
0.039
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何
责任所产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带
损害赔偿。这可能SCILLC数据表和/或规格提供“典型”参数，并会根据不同的应用和实际性能可能随
时间。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不构成对任何许可
其专利权或他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，
或有意其他应用程序来支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或死亡
可能会发生。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，
附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用，以及直接或间接引起的，合理的律师费，任何索赔
人身伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。
SCILLC是平等机会/ AF连接rmative行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
安森美半导体网站： www.onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
4
2SA1774/D
晶体管
2SA1037AK / 2SA1576A / 2SA1774 /
2SA2029 / 2SA933AS
通用晶体管
(50V,
0.15A)
2SA1037AK / 2SA1576A / 2SA1774 / 2SA2029 /
2SA933AS
！特点
1 ）优秀
FE
线性度。
2 ）补充了2SC2412K /
2SC4081 / 2SC4617 / 2SC5658 /
2SC1740S.
!
外形尺寸
（单位：毫米）
2SA1037AK
(1)
2SA1576A
(1)
0.95 0.95
1.9
2.9
0.65 0.65
0.8
0.7
0.4
(3)
0.3
(2)
(3)
1.25
1.6
2.8
0.15
0.15
2.1
0.2
(2)
0.8
1.1
!
结构
外延平面型。
PNP硅晶体管
0.3to0.6
0to0.1
0.1to0.4
每根导线具有相同的尺寸
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
0to0.1
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
缩写符号：F
缩写符号：F
2SA1774
0.2
(1)
(2)
2SA2029
1.2
0.8
(2)
(3)
(1)
0.5 0.5
1.0
0.3
0.8
1.6
0.15
0.2
1.2
0.32
0.13
0to0.1
0.55
0.5
0.1Min.
0to0.1
0.7
0.15Max.
0.22
ROHM ： EMT3
EIAJ ： SC- 75A
（1 ）发光体
（2）相应的
（3） Collecto
ROHM ： VMT3
EIAJ ：
缩写符号：F
缩写符号：F
2SA933AS
4
3
2
(15Min.)
3Min.
0.45
2.5
5
(1) (2) (3)
0.5 0.45
大坪规格
ROHM ： SPT
EIAJ ：SC- 72
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
指H
FE
0.4 0.4
(3)
1.6
0.2
0.2
（ 1 ）基本
（2）发射
（ 3 ）集电极
0.9
1.3
2.0
晶体管
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
2SA1037AK ， 2SA1576A
2SA1037AK / 2SA1576A / 2SA1774 /
2SA2029 / 2SA933AS
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
范围
60
50
6
0.15
0.2
P
C
0.15
0.3
Tj
TSTG
150
55~+150
C
C
W
单位
V
V
V
A（ DC ）
集电极电源
耗散
2SA2029 ， 2SA1774
2SA933AS
结温
储存温度
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
60
50
6
120
典型值。
140
4.0
马克斯。
0.1
0.1
0.5
560
5.0
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=50A
I
C
=1A
I
E
=50A
V
CB
=60V
V
EB
=6V
I
C
/I
B
=50mA/5mA
V
CE
=6V,
I
C
=1mA
V
CE
=12V,
I
E
=
2毫安，女
=
30MHz
V
CB
=12V,
I
E
=
0A ，女
=
1MHz
条件
!
包装规格和h
FE
包
CODE
基本订购
单位（件）
T146
3000
T106
3000
TAPING
TL
3000
T2L
8000
TP
5000
TYPE
2SA2029
h
FE
QRS
2SA1037AK QRS
2SA1576A
2SA1774
2SA933AS
QRS
QRS
QRS
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
Q
120~270
R
180~390
S
270~560
晶体管
!
电气特性曲线
50
集电极电流：IC （
毫安）
2SA1037AK / 2SA1576A / 2SA1774 /
2SA2029 / 2SA933AS
V
CE
=6V
集电极电流：我
C
(
毫安）
10
35.0
Ta=25C
31.5
28.0
24.5
6
21.0
17.5
4
14.0
10.5
2
7.0
3.5A
0
0.4
0.8
1.2
1.6
I
B
=0
2.0
100
集电极电流：我
C
(
mA
)
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
Ta=100C
25C
40C
Ta=25C
500
450
400
350
300
8
80
60
250
200
40
150
100
20
50A
I
B
=0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
基地发射极电压： V
BE
(
V)
0
1
2
3
4
5
收藏家米特电压： V
CE
(
V)
集电极到发射极电压： V
CE
(
V)
图1发射极接地传播
特征
图2接地发射极输出
特性（I）的
图3接地发射极输出
特性（II）的
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(
V)
500
500
Ta=25C
V
CE
=5V
3V
1V
直流电流增益：H
FE
200
Ta=100C
25C
40C
1
Ta=25C
直流电流增益：H
FE
0.5
200
100
0.2
I
C
/I
B
=50
0.1
20
10
100
50
50
V
CE
=6V
5 10 20 50 100
0.05
0.2 0.5 1
2
5 10 20
50 100
0.2 0.5 1
2
5 10 20
50 100
0.2 0.5 1
2
集电极电流：我
C
(
毫安）
集电极电流：我
C
(
毫安）
集电极电流：我
C
(
毫安）
图4直流电流增益与
集电极电流（I）
图5直流电流增益与
集电极电流（II）的
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（I）
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(
V)
l
C
/l
B
=10
0.5
跃迁频率：F
T
(
兆赫）
Ta=25C
V
CE
=12V
集电极输出电容：玉米棒（
pF的）
发射极输入电容
： CIB （
pF的）
1
1000
20
兴业银行
10
500
Ta=25C
f=1MHz
I
E
=0A
I
C
=0A
Co
b
0.2
Ta=100C
25C
40C
200
5
0.1
100
2
0.05
0.2 0.5 1
2
5 10 20
50 100
50
0.5
1
2
5
10
20
50
100
0.5
1
2
5
10
20
集电极电流：我
C
(
毫安）
发射极电流：我
E
(
毫安）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
图7集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（II）的
图8的增益带宽积主场迎战
发射极电流
图9集电极输出电容主场迎战
集电极 - 基极电压
发射inputcapacitance与
发射极 - 基极电压
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过2SA1774 / D
PNP硅通用
晶体管放大器
这PNP晶体管是专为通用放大器应用。这
设备被容纳在SOT -416 / SC- 90包被设计为低功耗
表面贴装应用中，电路板空间非常珍贵。
板级空间缩小
高的hFE ， 210 - 460 （典型值）
低VCE （SAT） ， < 0.5 V
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
2SA1774
PNP一般
用途放大器
晶体管
表面贴装
3
最大额定值
（ TA = 25°C ）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
IC
价值
–60
–50
–6.0
–100
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
2
CASE 463-01 ，风格1
SOT–416/SC–90
器件标识
2SA1774 = F9
集热器
3
热特性
等级
功率耗散（ 1 ）
结温
存储温度范围
符号
PD
TJ
TSTG
最大
150
150
– 55 ~ + 150
单位
mW
°C
°C
1
BASE
2
辐射源
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极击穿电压（ IC = -50
μAdc ，
IE = 0 ）
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = -1.0 MADC ， IB = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压（IE = -50
μAdc ，
IE = 0 ）
集电极 - 基极截止电流（ VCB = -30伏直流， IE = 0 ）
发射基截止电流（ VEB = -5.0伏， IB = 0 ）
集电极 - 发射极饱和电压（ 2 ）
（ IC = -50 MADC ， IB = -5.0 MADC ）
DC电流增益（2）
（ VCE = -6.0伏， IC = -1.0 MADC ）
跃迁频率
（ VCE = -12伏直流， IC = -2.0 MADC ， F = 30兆赫）
输出电容（ VCB = -12伏直流， IE = 0 ADC ， F = 1兆赫）
符号
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
ICBO
IEBO
VCE （ SAT ）
—
的hFE
120
fT
—
COB
—
140
3.5
—
—
pF
—
560
兆赫
—
–0.5
—
民
–60
–50
–6.0
—
—
典型值
—
—
—
—
—
最大
—
—
—
–0.5
–0.5
单位
VDC
VDC
VDC
nA
A
VDC
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
特区
≤
2%.
热复合是贝格斯公司的商标。
REV 1
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
2SA1774
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.5分钟。 （3×）
典型
焊接格局
单位：mm
0.5分钟。 （3×）
1.4
SOT - 416 / SC- 90功耗
采用SOT- 416的功率消耗/ SC- 90是一种功能
的焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给定的最大功率的焊盘尺寸
耗散。功耗为表面安装器件
由TJ （最大值）时，最大额定结温测定
在模具中，R的TURE
θJA
从装置的热阻
结到环境;和操作温度TA 。
使用提供的数据表中的值， PD可
计算方法如下。
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是125毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
833°C/W
= 150毫瓦
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
在833 ° C / W，假设使用的建议
足迹在玻璃环氧印刷电路板，实现了
的150毫瓦功率耗散。将另一种选择
可以使用陶瓷基板或铝芯板
如热复合 。使用的基板材料，如
热复合，更高的功耗，可以实现
使用相同的足迹。
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应该是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
0.5
1
3
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过2SA1774 / D
PNP硅通用
晶体管放大器
这PNP晶体管是专为通用放大器应用。这
设备被容纳在SOT -416 / SC- 90包被设计为低功耗
表面贴装应用中，电路板空间非常珍贵。
板级空间缩小
高的hFE ， 210 - 460 （典型值）
低VCE （SAT） ， < 0.5 V
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
2SA1774
PNP一般
用途放大器
晶体管
表面贴装
3
最大额定值
（ TA = 25°C ）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
IC
价值
–60
–50
–6.0
–100
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
2
CASE 463-01 ，风格1
SOT–416/SC–90
器件标识
2SA1774 = F9
集热器
3
热特性
等级
功率耗散（ 1 ）
结温
存储温度范围
符号
PD
TJ
TSTG
最大
150
150
– 55 ~ + 150
单位
mW
°C
°C
1
BASE
2
辐射源
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极击穿电压（ IC = -50
μAdc ，
IE = 0 ）
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = -1.0 MADC ， IB = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压（IE = -50
μAdc ，
IE = 0 ）
集电极 - 基极截止电流（ VCB = -30伏直流， IE = 0 ）
发射基截止电流（ VEB = -5.0伏， IB = 0 ）
集电极 - 发射极饱和电压（ 2 ）
（ IC = -50 MADC ， IB = -5.0 MADC ）
DC电流增益（2）
（ VCE = -6.0伏， IC = -1.0 MADC ）
跃迁频率
（ VCE = -12伏直流， IC = -2.0 MADC ， F = 30兆赫）
输出电容（ VCB = -12伏直流， IE = 0 ADC ， F = 1兆赫）
符号
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
ICBO
IEBO
VCE （ SAT ）
—
的hFE
120
fT
—
COB
—
140
3.5
—
—
pF
—
560
兆赫
—
–0.5
—
民
–60
–50
–6.0
—
—
典型值
—
—
—
—
—
最大
—
—
—
–0.5
–0.5
单位
VDC
VDC
VDC
nA
A
VDC
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
特区
≤
2%.
热复合是贝格斯公司的商标。
REV 1
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
2SA1774
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.5分钟。 （3×）
典型
焊接格局
单位：mm
0.5分钟。 （3×）
1.4
SOT - 416 / SC- 90功耗
采用SOT- 416的功率消耗/ SC- 90是一种功能
的焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给定的最大功率的焊盘尺寸
耗散。功耗为表面安装器件
由TJ （最大值）时，最大额定结温测定
在模具中，R的TURE
θJA
从装置的热阻
结到环境;和操作温度TA 。
使用提供的数据表中的值， PD可
计算方法如下。
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是125毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
833°C/W
= 150毫瓦
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
在833 ° C / W，假设使用的建议
足迹在玻璃环氧印刷电路板，实现了
的150毫瓦功率耗散。将另一种选择
可以使用陶瓷基板或铝芯板
如热复合 。使用的基板材料，如
热复合，更高的功耗，可以实现
使用相同的足迹。
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应该是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
0.5
1
3
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2SA1774
通用
晶体管
特点
*优秀
FE
线性
*补充了UTC
2SC4617
PNP外延硅晶体管
3
2
3
2
1
1
SOT-23
SOT-523
订购信息
订购数量
无铅
无卤
2SA1774L-x-AE3-R
2SA1774G-x-AE3-R
SOT-23
2SA1774L-x-AN3-R
2SA1774G-x-AN3-R
SOT-523
注：引脚分配： E：发射器
B：基本C：收藏家
包
引脚分配
1
2
3
E
B
C
E
B
C
填料
带盘
带盘
记号
www.unisonic.com.tw
版权所有 2012 Unisonic技术有限公司
1第3
QW-R221-011.C
2SA1774
绝对最大额定值
(T
A
=25℃)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
PNP外延硅晶体管
评级
单位
-60
V
-50
V
-6
V
-0.15
A
SOT-23
0.22
集电极耗散功率
P
C
W
SOT-523
0.15
℃
结温
T
J
150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注1：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.该设备是保证满足在0 ℃70性能规格
℃
工作温度范围
并保证所设计，从-20 ℃85℃ 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
电气特性
(T
A
= 25 ℃ ，除非另有说明）。
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （SAT）
f
T
C
OB
测试条件
I
C
= -50A
I
C
= -1mA
I
E
= -50A
V
CB
= -60V
V
EB
= -6V
V
CE
= -6V ，我
C
= -1mA
I
C
= -50mA ，我
B
=5mA
V
CE
= -12V ，我
E
= 2毫安中，f = 100MHz的
V
CB
= -12V ，我
E
= 0A ， F = 1MHz的
民
-60
-50
-6
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
120
140
4.0
-0.1
-0.1
560
-0.5
5.0
分类h及
FE1
秩
范围
Q
120 ~ 270
R
180 ~ 390
S
270 ~ 560
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 3
QW-R221-011.C
2SA1774
典型特征
PNP外延硅晶体管
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
集电极 - 发射极饱和电压，
V
CE （ SAT ）
(V)
h
FE
，直流电流增益
3 3
QW-R221-011.C
晶体管
2SA1037AK / 2SA1576A / 2SA1774 /
2SA2029 / 2SA933AS
通用晶体管
(50V,
0.15A)
2SA1037AK / 2SA1576A / 2SA1774 / 2SA2029 /
2SA933AS
特点
1 ）优秀
FE
线性度。
2 ）补充了2SC2412K /
2SC4081 / 2SC4617 / 2SC5658 /
2SC1740S.
外形尺寸
（单位：毫米）
2SA1037AK
(1)
2SA1576A
(1)
0.95 0.95
1.9
2.9
0.65 0.65
0.8
0.7
0.4
(3)
0.3
(2)
(3)
1.25
1.6
2.8
0.15
0.15
2.1
0.2
(2)
结构
外延平面型。
PNP硅晶体管
0.8
1.1
为0.3 0.6
0-0.1
为0.1 0.4
每根导线具有相同的尺寸
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
0-0.1
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
缩写符号：F
缩写符号：F
2SA1774
0.2
(1)
(2)
2SA2029
1.2
0.8
(2)
(3)
(1)
0.5 0.5
1.0
0.3
0.8
1.6
0.15
0.2
1.2
0.32
0.13
0-0.1
0.55
0.5
0.1Min.
0-0.1
0.7
0.15Max.
0.22
ROHM ： EMT3
EIAJ ： SC- 75A
（1 ）发光体
（2）相应的
（3） Collecto
ROHM ： VMT3
EIAJ ：
缩写符号：F
缩写符号：F
2SA933AS
4
3
2
(15Min.)
3Min.
0.45
2.5
5
(1) (2) (3)
0.5 0.45
大坪规格
ROHM ： SPT
EIAJ ：SC- 72
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
指H
FE
Rev.A的
0.4 0.4
(3)
1.6
0.2
0.2
（ 1 ）基本
（2）发射
（ 3 ）集电极
0.9
1.3
2.0
1/3
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
2SA1037AK ， 2SA1576A
2SA1037AK / 2SA1576A / 2SA1774 /
2SA2029 / 2SA933AS
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
范围
60
50
6
0.15
0.2
P
C
0.15
0.3
Tj
TSTG
150
55
to
+150
C
C
W
单位
V
V
V
A（ DC ）
集电极电源
耗散
2SA2029 ， 2SA1774
2SA933AS
结温
储存温度
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
60
50
6
120
典型值。
140
4.0
马克斯。
0.1
0.1
0.5
560
5.0
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=
50A
I
C
=
1mA
I
E
=
50A
V
CB
=
60V
V
EB
=
6V
I
C
/I
B
=
50mA/5mA
V
CE
=
6V,
I
C
=
1mA
V
CE
=
12V,
I
E
=
2毫安，女
=
100MHz
V
CB
=
12V,
I
E
=
0A ，女
=
1MHz
条件
包装规格和h
FE
包
CODE
基本订购
单位（件）
T146
3000
T106
3000
TAPING
TL
3000
T2L
8000
TP
5000
TYPE
2SA2029
h
FE
QRS
2SA1037AK QRS
2SA1576A
2SA1774
2SA933AS
QRS
QRS
QRS
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
Q
120至270
R
180 390
S
270 560
Rev.A的
2/3
晶体管
电气特性曲线
50
集电极电流：IC （
毫安）
2SA1037AK / 2SA1576A / 2SA1774 /
2SA2029 / 2SA933AS
V
CE
=
6V
集电极电流：我
C
(
毫安）
10
35.0
Ta=25C
31.5
28.0
24.5
6
21.0
17.5
4
14.0
10.5
2
7.0
3.5A
0
0.4
0.8
1.2
1.6
I
B
=0
2.0
100
集电极电流：我
C
(
mA
)
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
Ta=100C
25C
40C
Ta=25C
500
450
400
350
300
8
80
60
250
200
40
150
100
20
50A
I
B
=0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
基地发射极电压： V
BE
(
V)
0
1
2
3
4
5
收藏家米特电压： V
CE
(
V)
集电极到发射极电压： V
CE
(
V)
图1发射极接地传播
特征
图2接地发射极输出
特性（I）的
图3接地发射极输出
特性（II）的
Ta=25C
V
CE
=
5V
3V
1V
直流电流增益：H
FE
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(
V)
500
500
Ta=100C
25C
200
40C
1
Ta=25C
直流电流增益：H
FE
0.5
200
100
0.2
I
C
/I
B
=50
0.1
20
10
100
50
50
V
CE
=
6V
5 10 20 50 100
0.05
0.2 0.5 1
2
5 10 20
50 100
0.2 0.5 1
2
5 10 20
50 100
0.2 0.5 1
2
集电极电流：我
C
(
毫安）
集电极电流：我
C
(
毫安）
集电极电流：我
C
(
毫安）
图4直流电流增益与
集电极电流（I）
图5直流电流增益与
集电极电流（II）的
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（I）
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(
V)
l
C
/l
B
=10
0.5
跃迁频率：F
T
(
兆赫）
Ta=25C
V
CE
=
12V
集电极输出电容：玉米棒（
pF的）
发射极输入电容
： CIB （
pF的）
1
1000
20
兴业银行
10
500
Ta=25C
f=1MHz
I
E
=0A
I
C
=0A
Co
b
0.2
Ta=100C
25C
40C
200
5
0.1
100
2
0.05
0.2 0.5 1
2
5 10 20
50 100
50
0.5
1
2
5
10
20
50
100
0.5
1
2
5
10
20
集电极电流：我
C
(
毫安）
发射极电流：我
E
(
毫安）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
图7集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（II）的
图8的增益带宽积主场迎战
发射极电流
图9集电极输出电容主场迎战
集电极 - 基极电压
发射inputcapacitance与
发射极 - 基极电压
Rev.A的
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
通用晶体管（ -50V ，
0.15A)
2SA1037AK / 2SA1576A / 2SA1774 / 2SA2029
■特点
1 ）优秀
FE
线性度。
2 ）补充了2SC2412K / 2SC4081 /
2SC4617 / 2SC5658 。
尺寸
（单位：毫米）
2SA1037AK
(1)
2SA1576A
(1)
0.95 0.95
1.9
2.9
0.65 0.65
0.8
0.7
0.4
(3)
0.3
(2)
(3)
0.15
0.8
1.1
为0.3 0.6
0-0.1
为0.1 0.4
每根导线具有相同的尺寸
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
0-0.1
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
缩写符号：F
缩写符号：F
2SA1774
0.2
(1)
(3)
(2)
2SA2029
1.2
0.8
(2)
(3)
(1)
0.5 0.5
1.0
0.3
1.6
0.2
1.2
0.32
0.2
0.4 0.4
0.8
1.6
0.15
0.2
0.13
0-0.1
0.5
0.55
0.1Min.
0-0.1
0.7
0.15Max.
0.22
ROHM ： EMT3
EIAJ ： SC- 75A
（1 ）发光体
（2）相应的
（3） Collecto
ROHM ： VMT3
EIAJ ：
（ 1 ）基本
（2）发射
（ 3 ）集电极
缩写符号：F
指H
FE
缩写符号：F
www.rohm.com
c
○
2012 ROHM有限公司保留所有权利。
1/3
2012.01 - Rev.C
0.9
Structure
外延平面型。
PNP硅晶体管
1.6
2.8
0.15
1.25
2.1
0.2
(2)
1.3
2.0
2SA1037AK / 2SA1576A / 2SA1774 / 2SA2029
“绝对
最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电源
2SA1037AK ， 2SA1576A
耗散
2SA2029 ， 2SA1774
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
60
50
6
0.15
0.2
0.15
150
55
to
+150
单位
V
V
V
A（ DC ）
W
C
C
数据表
ⅵELECTRICAL
特征
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
60
50
6
120
典型值。
140
4.0
马克斯。
0.1
0.1
0.5
390
5.0
单位
V
V
V
μA
μA
V
兆赫
pF
I
C
=
50μA
I
C
=
1mA
I
E
=
50μA
V
CB
=
60V
V
EB
=
6V
I
C
/I
B
=
50mA/5mA
V
CE
=
6V,
I
C
=
1mA
V
CE
=
12V,
I
E
=
2毫安，女
=
100MHz
V
CB
=
12V,
I
E
=
0A ，女
=
1MHz
条件
Packaging
规格和h
FE
包
CODE
TYPE
2SA2029
2SA1576A
2SA1774
h
FE
QR
QR
QR
基本订购
单位（件）
T146
3000
T106
3000
TAPING
TL
3000
T2L
8000
2SA1037AK QR
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
Q
120至270
R
180 390
www.rohm.com
c
○
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2/3
2012.01 - Rev.C
2SA1037AK / 2SA1576A / 2SA1774 / 2SA2029
ⅵELECTRICAL
特性曲线
50
集电极电流：IC （
毫安）
集电极电流：我
C
(
毫安）
数据表
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
集电极电流：我
C
(
mA
)
Ta=100C
25C
40C
V
CE
=
6V
10
35.0
Ta=25C
31.5
28.0
24.5
100
Ta=25C
500
450
400
350
300
8
80
6
21.0
17.5
60
250
200
4
14.0
10.5
40
150
100
2
7.0
3.5μA
20
50μA
I
B
=0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
基地发射极电压： V
BE
(
V)
0
0.4
0.8
1.2
1.6
I
B
=0
2.0
0
1
2
3
4
5
集电极到发射极电压： V
CE
(
V)
集电极到发射极电压： V
CE
(
V)
图1发射极接地传播
特征
图2接地发射极输出
特性（I）的
图3接地发射极输出
特性（II）的
Ta=25C
V
CE
=
5V
3V
1V
Ta=100C
25C
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(
V)
500
500
1
Ta=25C
直流电流增益：H
FE
直流电流增益：H
FE
200
200
40C
0.5
100
0.2
I
C
/I
B
=50
0.1
20
10
100
50
50
V
CE
=
6V
5 10 20 50 100
0.05
0.2 0.5 1
2
5 10 20
50 100
0.2 0.5 1
2
5 10 20
50 100
0.2 0.5 1
2
集电极电流：我
C
(
毫安）
集电极电流：我
C
(
毫安）
集电极电流：我
C
(
毫安）
图4直流电流增益与
集电极电流（I）
图5直流电流增益与
集电极电流（II）的
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（I）
集电极输出电容：玉米棒（
pF的）
发射极输入电容
： CIB （
pF的）
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(
V)
1
l
C
/l
B
=10
1000
跃迁频率：F
T
(
兆赫）
Ta=25C
V
CE
=
12V
20
兴业银行
10
0.5
500
Ta=25C
f=1MHz
I
E
=0A
I
C
=0A
Co
b
0.2
Ta=100C
25C
40C
200
5
0.1
100
2
0.05
0.2 0.5 1
2
5 10 20
50 100
50
0.5
1
2
5
10
20
50
100
0.5
1
2
5
10
20
集电极电流：我
C
(
毫安）
发射极电流：我
E
(
毫安）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
图7集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（II）的
图8的增益带宽积主场迎战
发射极电流
图9集电极输出电容主场迎战
集电极 - 基极电压
发射inputcapacitance与
发射极 - 基极电压
www.rohm.com
c
○
2012 ROHM有限公司保留所有权利。
3/3
2012.01 - Rev.C
通告
笔记
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这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的（在下文中
"Products" ） 。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。
时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是，如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息， ROHM ，应当承担此类损害概不负责。
本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和
为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你，或明或
隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷
使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-
讯设备，电子电器，娱乐设备） 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM
不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或
系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险（如医疗
仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，燃
控制器或其他安全装置） 。 ROHM应承担以任何方式使用任何不承担责任
的产品适用于上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途，请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
根据外汇及对外贸易法来控制，你会被要求
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感谢您的访问，以ROHM的产品信息。
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ROHM的客户支持系统
http://www.rohm.com/contact/
www.rohm.com
2012 ROHM有限公司保留所有权利。
R1120A
2SA1774
公司Bauelemente
-0.15A ， -60V
PNP硅通用晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素和无铅
特点
低C
OB
. C
OB
=4.0pF
补充2SC4617
A
M
3
SOT-523
3
分类h及
FE
1
顶视图
2
C B
1
2
产品等级
范围
记号
2SA1774-Q
120~270
FQ
2SA1774-R
180~390
FR
2SA1774-S
270~560
FS
K
E
L
D
F
REF 。
G
毫米
分钟。
马克斯。
1.5
1.7
1.45
1.75
0.75
0.85
0.7
0.9
0.9
1.1
0.15
0.25
H
REF 。
G
H
J
K
L
M
J
毫米
分钟。
马克斯。
-
0.1
0.55 REF 。
0.1
0.2
-
0.5 TYP 。
0.25
0.325
包装信息
包
SOT-523
MPQ
3K
LeaderSize
7'寸
A
B
C
D
E
F
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收藏家Currrent
集电极耗散功率
结&储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
评级
-60
-50
-6
-150
150
150, -55 ~ 150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤300us ， D.C ≤
2%
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
h
FE
f
T
C
ob
分钟。
-60
-50
-6
-
-
-
-
120
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
140
3.5
马克斯。
-
-
-
-0.1
-0.1
-0.5
-1.2
560
-
5.0
单位
V
V
V
μA
μA
V
V
测试条件
I
C
= -50μA ，我
E
=0
I
C
= -1μA ，我
B
=0
I
E
= -50μA ，我
C
=0
V
CB
= -60V ，我
E
=0
V
EB
= -6V ，我
C
=0
I
C
= -50mA ，我
B
=-5mA
I
C
= -50mA ，我
B
=-5mA
V
CE
= -3V ，我
C
=-1mA
兆赫
pF
V
CE
= -12V ，我
E
= -2mA ， F = 30MHz的
V
CB
= -12V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
31日-12月2010版本B
第1页2
2SA1774
公司Bauelemente
-0.15A ， -60V
PNP硅通用晶体管
特性曲线
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
31日-12月2010版本B
第2页2
QQ：2881677436 复制
