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SMD型
晶体管
PNP外延平面硅晶体管
2SA1772
TO-252
单位：mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
特点
高breadown电压
大电流能力（我
C
=1A)
+0.2
9.70
-0.2
+0.15
1.50
-0.15
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
Tc=25
结Tmeperature
储存温度
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
P
c
等级
-400
-400
-5
-1
-2
1
15
150
-55到150
单位
V
V
V
A
A
W
W
3
.8
0
www.kexin.com.cn
1
SMD型
2SA1772
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
GAIN-带宽积
-E饱和电压
B -E饱和电压
C- B击穿电压
C- E击穿电压
E- B击穿电压
输出电容
开启时间
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
C
ob
t
on
Testconditons
V
CB
=-300V,I
E
=0
V
EB
=-4V,I
C
=0
V
CE
=-10V,I
C
=-100mA
V
CE
=-10V,I
C
=-50mA
I
C
=-200mA,I
B
=-20mA
I
C
=-200mA,I
B
=-20mA
I
C
=-10ìA,I
E
=0
I
C
=-1mA,R
BE
=
I
E
=-10ìA,I
C
=0
V
CB
=-30V,f=1MHz
-400
-400
-5
40
民
晶体管
典型值
最大
-0.1
-0.1
200
单位
ìA
ìA
50
-1.0
-1.0
兆赫
V
V
V
V
V
12
0.25
pF
贮存时间
TSTG
3
ìs
下降时间
tf
0.3
h
FE
分类
秩
的hFE
C
40至80
D
60至120
E
100至200
2
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SMD型
晶体管
产品speci fi cation
2SA1772
TO-252
单位：mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
特点
高breadown电压
大电流能力（我
C
=1A)
+0.2
9.70
-0.2
+0.15
1.50
-0.15
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+0.1
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-0.1
+0.15
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-0.15
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2.3
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+0.15
-0.15
+0.1
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-0.1
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-0.1
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5.55
-0.15
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
Tc=25
结Tmeperature
储存温度
T
j
T
英镑
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I
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等级
-400
-400
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-55到150
单位
V
V
V
A
A
W
W
3
.8
0
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
2SA1772
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
GAIN-带宽积
-E饱和电压
B -E饱和电压
C- B击穿电压
C- E击穿电压
E- B击穿电压
输出电容
开启时间
符号
I
CBO
I
EBO
h
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f
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V
CE （ SAT ）
V
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V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
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（ BR ） EBO
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Testconditons
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=0
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-400
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-1.0
-1.0
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典型值
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-0.1
-0.1
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V
V
V
V
V
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单位
ìA
ìA
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TSTG
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下降时间
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0.3
h
FE
分类
秩
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C
40至80
D
60至120
E
100至200
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    联系人：杨小姐
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