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晶体管
2SA1762
PNP硅外延平面型
对于低频驱动器放大
补充2SC4606
6.9±0.1
1.5
2.5±0.1
1.0
1.0
2.4±0.2 2.0±0.2 3.5±0.1
单位：mm
s
特点
q
q
1.5 R0.9
R0.9
高集电极到发射极电压V
首席执行官
.
最适用于低频率的驱动级和25至30W
输出放大器。
0.4
1.0±0.1
R
0.
0.85
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
*
(Ta=25C)
评级
–80
–80
–5
–1
– 0.5
1
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
C
C
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
3
0.55±0.1
1.25±0.05
0.45±0.05
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C*
T
j
T
英镑
2
1
2.5
2.5
EIAJ ： SC- 71
M型模具包
印刷电路板：为1cm铜箔区
2
以上，板
厚度1.7毫米的集电极部
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25C)
符号
I
CBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
V
CB
= -20V ，我
E
= 0
I
C
= -10μA ，我
E
= 0
I
C
= -100μA ，我
B
= 0
I
E
= -10μA ，我
C
= 0
V
CE
= -10V ，我
C
= -150mA
V
CE
= -5V ，我
C
= -500mA
I
C
= -300mA ，我
B
= -30mA
I
C
= -300mA ，我
B
= -30mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 50mA时F = 200MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1 MHz的
–80
–80
–5
130
50
100
– 0.2
– 0.85
85
11
20
– 0.4
–1.2
V
V
兆赫
pF
330
民
典型值
最大
– 0.1
单位
A
V
V
V
*
h
FE1
等级分类
R
130 ~ 220
S
185 ~ 330
秩
h
FE1
4.1±0.2
4.5±0.1
7
1
晶体管
P
C
- TA
1.2
–1.2
印刷circut板：铜
为1cm箔领域
2
或更多，并且
的1.7毫米板厚度
对于集电部。
Ta=25C
–1.0
I
B
=–10mA
–1.0
2SA1762
I
C
— V
CE
–1.2
V
CE
=–10V
Ta=25C
I
C
— I
B
集电极耗散功率P
C
(W)
1.0
集电极电流I
C
(A)
0.8
– 0.8
–8mA
–7mA
–6mA
–5mA
–4mA
–3mA
–2mA
–1mA
0.6
– 0.6
0.4
– 0.4
0.2
– 0.2
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
集电极电流I
C
(A)
–9mA
– 0.8
– 0.6
– 0.4
– 0.2
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
（MA ）
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–10
–30
–10
–3
–1
25C
–25C
V
BE （ SAT ）
— I
C
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=10
–100
–30
–10
–3
–1
Ta=–25C
75C
I
C
/I
B
=10
300
h
FE
— I
C
V
CE
=–10V
正向电流传输比H
FE
250
200
Ta=75C
25C
Ta=75C
25C
150
–25C
100
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
–1
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
–1
50
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
f
T
— I
E
120
C
ob
— V
CB
集电极输出电容C
ob
（PF ）
V
CB
=–10V
f=200MHz
Ta=25C
60
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
10
4
I
CBO
- TA
V
CB
=–20V
过渡频率f
T
（兆赫）
100
50
10
3
40
80
I
CBO
（TA）
I
CBO
(Ta=25C)
–3
–10
–30
–100
60
30
10
2
40
20
10
10
20
0
1
3
10
30
100
300
1000
0
–1
1
0
60
120
180
发射极电流I
E
（MA ）
集电极基极电压V
CB
(V)
环境温度Ta （C ）
2
晶体管
I
首席执行官
- TA
10
5
V
CE
=–10V
–10
–3
2SA1762
安全操作区（ ASO ）
单脉冲
Ta=25C
集电极电流I
C
(A)
10
4
–1
I
CP
I
C
t=10ms
I
首席执行官
（TA）
I
首席执行官
(Ta=25C)
10
3
– 0.3
t=1s
– 0.1
– 0.03
– 0.01
10
2
10
– 0.003
1
0
20
40
60
80
100 120 140
– 0.001
– 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
3
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