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2SA1736
东芝三极管
PNP硅外延型(厘过程)
2SA1736
功率放大器的应用
电源开关应用
低饱和电压: V
CE (SAT)
=
0.5
V(最大值) (我
C
=
1.5
A)
高速开关时间:吨
英镑
= 0.2
μs
(典型值)。
小扁包
P
C
= 1.02.0 W(安装在陶瓷基板)
补充2SC4541
单位:mm
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
集电极耗散功率
P
C
(注1 )
结温
存储温度范围
T
j
T
英镑
等级
60
50
6
3
0.6
500
1000
150
55
150
mW
单位
V
V
V
A
A
PW- MINI
JEDEC
JEITA
东芝
SC-62
2-5K1A
°C
°C
重量0.05克(典型值)。
注1 :安装在一个陶瓷基体( 250毫米
2
× 0.8 t)
注2 :在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下(即工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” /降级的概念和方法)和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
1
2006-11-09
2SA1736
电气特性
( TA = 25°C )
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
h
FE (1)
h
FE (2)
V
CE (SAT)
V
BE (SAT)
f
T
C
ob
t
on
测试条件
V
CB
=
60
V,I
E
= 0
V
EB
=
6
V,I
C
= 0
I
C
=
10
妈,我
B
= 0
V
CE
=
2
V,I
C
=
100
mA
V
CE
=
2
V,I
C
=
2
A
I
C
=
1.5
A,I
B
=
75
mA
I
C
=
1.5
A,I
B
=
75
mA
V
CE
=
2
V,I
C
=
100
mA
V
CB
=
10
V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
50
120
40
典型值。
100
32
0.1
最大
0.1
0.1
400
0.5
1.2
V
V
兆赫
pF
单位
μA
μA
V
I
B2
I
B1
I
B2
产量
20
开关时间
贮存时间
t
英镑
输入I
B1
20
μs
0.2
μs
下降时间
t
f
I
B1
= I
B2
= 75毫安,
占空比
1%
V
CC
=
30
V
0.1
记号
产品型号(或缩写代码)
L
LOT号
D
A线指示
铅(Pb ) - 免费包或
铅(Pb ) -free完成。
2
2006-11-09
2SA1736
I
C
– V
CE
4
共发射极
1000
h
FE
– I
C
Ta
=
100°C
300
(A)
100
3
直流电流增益
FE
集电极电流I
C
80
60
50
40
30
Ta
=
25°C
100
25
25
20
15
10
IB
= 5
mA
2
30
10
1
3
0
0
0
1
2
3
4
5
1
1
3
10
30
100
共发射极
VCE
= 2
V
300
1000 3000
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
V
CE (SAT)
– I
C
10
共发射极
100
IC / IB
=
20
V
BE (SAT)
– I
C
共发射极
IC / IB
=
20
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
1
基射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
3
30
10
0.3
Ta
=
100°C
0.1
25
25
3
Ta
= 25°C
1
0.03
0.3
25
100
0.01
1
3
10
30
100
300
1000 3000
0.1
1
3
10
30
100
300
1000 3000
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
3
2006-11-09
2SA1736
I
C
– V
BE
3.0
共发射极
2.5
VCE
= 2
V
3
10
安全工作区
集成电路最大值(脉冲) *
IC最大
(连续)
100毫秒*
t
=
1毫秒*
10毫秒*
(A)
2.0
集电极电流I
C
(A)
Ta
=
100°C
25
25
1
1.5
集电极电流I
C
1.6
2.0
1.0
0.5
0.3
**:
直流操作
40
×
50
×
0.8 t
**:
直流操作
0.1
250 mm
2
×
0.8 t
DC操作的Ta
=
25°C
0.03
*:
单一不重复的脉冲
Ta
=
25°C
**:
安装在陶瓷基板
0.01
曲线必须线性降额
温度上升
0.005
0.1
1
3
10
0.3
0
0
0.4
0.8
1.2
基射极电压
V
BE
(V)
30
100
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
P
C
- TA
1.4
(1)安装在陶瓷
P
C
(W)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
(1)
基板( 250毫米
2
×
0.8 t)
( 2 )无散热片
集电极耗散功率
(2)
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度Ta (C )
4
2006-11-09
2SA1736
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
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5
2006-11-09
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