2SA1579 / 2SA1514K / 2SA1038S
晶体管
高电压放大器晶体管
(120V,
50mA)
2SA1579 / 2SA1514K / 2SA1038S
特点
1）高的击穿电压。 （ BV
首席执行官
=
120V)
2 ）补充了2SC4102 / 2SC3906K / 2SC2389S 。
外形尺寸
（单位：毫米）
2SA1579
(1)
0.65 0.65
0.7
0.8
0.3
(3)
1.25
2.1
0.15
0.2
(2)
0.1Min.
0~0.1
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
JEDEC ： SOT- 323
2SA1514K
(1)
0.4
(3)
1.6
2.8
0.15
0.3Min.
0-0.1
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
JEDEC ： SOT- 346
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
2SA1038S
3
4
2
(15Min.)
3Min.
0.45
2.5
5
(1) (2) (3)
0.5 0.45
大坪规格
ROHM ： SPT
EIAJ ：SC- 72
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
1.1
0.95 0.95
1.9
2.9
(2)
0.9
1.3
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
2.0
Rev.A的
1/3
2SA1579 / 2SA1514K / 2SA1038S
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电源
2SA1579 / 2SA1514K
耗散
2SA1038S
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
120
120
5
50
0.2
0.3
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
W
°C
°C
包装规格和h
FE
TYPE
包
h
FE
记号
CODE
基本订购单位（件）
指H
FE
2SA1579
UMT3
RS
R
T106
3000
2SA1514K
SMT3
RS
R
T146
3000
2SA1038S
SPT
RS
TP
5000
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
120
120
5
180
典型值。
140
3.2
马克斯。
0.5
0.5
0.5
560
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
= 50A
I
C
= -1mA
I
E
= 50A
V
CB
= 100V
V
EB
= 4V
I
C
/I
B
= -10mA / -1mA
V
CE
= 6V,
I
C
= -2mA
V
CE
= 12V,
I
E
=2mA,
f=100MHz
V
CB
= 12V,
I
E
=0A,
f=1MHz
条件
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
Rev.A的
2/3
2SA1579 / 2SA1514K / 2SA1038S
晶体管
电气特性曲线
10
Ta=25°C
50
25.0
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
Ta=25°C
V
CE
= 6V
500
Ta=25°C
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
0.2 0.4
0.6
0.8
1.0
1.2 1.4
1.6
17.5
直流电流增益：H
FE
8
22.5
20
20.0
5V
6
V
CE
= 1V
V
3
1
5.0
200
1
2.5
4
1
0.0
7
.5
100
2
5.0
2.5A
I
B
=0
50
0
4
8
12
16
20
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
基地发射极电压： V
BE
(V)
集电极电流：我
C
（MA ）
图1地面发射极输出特性
图2地面发射器传播
特征
图3直流电流增益与集电极电流
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
集电极输出电容：玉米棒（PF ）
20
Ta=25°C
0.5
跃迁频率：F
T
（ MH
Z
)
Ta=25°C
V
CE
= 6V
Ta=25°C
f=1MH
Z
I
E
=0A
500
10
COB
0.2
I
C
/I
B
=50/1
200
5
0.1
20/1
10/1
100
2
0.05
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
50
0.5
1
2
5
10
20
50
1
0.5
1
2
5
10
20
集电极电流：我
C
（MA ）
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
图4集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
图5跃迁频率
与发射极电流
图6集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
20
发射极输入电容： CIB （PF ）
兴业银行
Ta=25°C
f=1MH
Z
I
C
=0A
10
5
2
1
0.5
1
2
5
10
20
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
图7发射器的输入电容
与发射极 - 基极电压
Rev.A的
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
2SA1 57 9
晶体管（ PNP ）
SOT-323
1.基地
特点
高击穿电压。 （ BV
首席执行官
= -120V)
补充2SC4102
2.辐射源
3.收集
最大额定值（T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
结温
储存温度
价值
-120
-120
-5
-50
100
150
-55-150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
TEST
条件
民
-120
-120
-5
-0.5
-0.5
180
560
-0.5
140
3.2
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
=-50μA,I
E
=0
I
C
=-1mA,I
B
=0
I
E
=-50μA,I
C
=0
V
CB
=-100V,I
E
=0
V
EB
=-4V,I
C
=0
V
CE
=-6V,I
C
=-2mA
I
C
=-10mA,I
B
=-1mA
V
CE
=-12V,I
C
=-2mA,f=30MHz
V
CB
=-12V,I
E
=0,f=1MHz
分类
秩
范围
记号
１
金隅
h
FE
R
180-390
RR
S
270-560
RS
半导体
www.htsemi.com
2SA1 57 9
晶体管（ PNP ）
SOT-323
1.基地
特点
高击穿电压。 （ BV
首席执行官
= -120V)
补充2SC4102
2.辐射源
3.收集
最大额定值（T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
结温
储存温度
价值
-120
-120
-5
-50
100
150
-55-150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
TEST
条件
民
-120
-120
-5
-0.5
-0.5
180
560
-0.5
140
3.2
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
=-50μA,I
E
=0
I
C
=-1mA,I
B
=0
I
E
=-50μA,I
C
=0
V
CB
=-100V,I
E
=0
V
EB
=-4V,I
C
=0
V
CE
=-6V,I
C
=-2mA
I
C
=-10mA,I
B
=-1mA
V
CE
=-12V,I
C
=-2mA,f=30MHz
V
CB
=-12V,I
E
=0,f=1MHz
分类
秩
范围
记号
１
金隅
h
FE
R
180-390
RR
S
270-560
RS
半导体
www.htsemi.com
2SA1579
公司Bauelemente
-0.05A ， -120V
PNP硅塑封晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
高击穿电压。 （ BV
首席执行官
= -120V)
互补的2SC4102的
A
L
3
SOT-323
3
顶视图
C B
1
2
2
分类h及
FE
产品等级
范围
记号
2SA1579-R
180~390
RR
2SA1579-S
270~560
RS
1
K
E
D
F
G
H
J
REF 。
包装信息
包
SOT-323
MPQ
3K
LeaderSize
7'寸
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
1.80
2.20
1.80
2.45
1.15
1.35
0.80
1.10
1.20
1.40
0.20
0.40
REF 。
G
H
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
0.100 REF 。
0.525 REF 。
0.08
0.25
-
-
0.650典型。
集热器
BASE
辐射源
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
结温和存储温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
评级
-120
-120
-5
-50
100
150, -55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿
发射极基极击穿电压
收藏家切 - 断电流
发射器切 - 关断电流
直流电流增益
集电极到发射极
饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
http://www.SeCoSGmbH.com/
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
分钟。
-120
-120
-5
-
-
180
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
140
3.2
马克斯。
-
-
-
-0.5
-0.5
560
-0.5
-
-
单位
V
V
V
A
A
测试条件
I
C
= -50A ，我
E
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
= -50A ，我
C
=0
V
CB
= -100V ，我
E
=0
V
EB
= -4V ，我
C
=0
V
CE
= -6V ，我
C
= -2mA
V
兆赫
pF
I
C
= -10mA ，我
B
= -1mA
V
CE
= -12V ，我
C
= -2mA ，
F = 30MHz的
V
CB
= -12V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
规范的任何更改将不个别通知。
26 -JAN- 2011版本A
第1页2
2SA1579
公司Bauelemente
-0.05A ， -120V
PNP硅塑封晶体管
特性曲线
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
26 -JAN- 2011版本A
第2页2
2SA1579 / 2SA1514K / 2SA1038S
晶体管
高电压放大器晶体管
(120V,
50mA)
2SA1579 / 2SA1514K / 2SA1038S
特点
1）高的击穿电压。 （ BV
首席执行官
=
120V)
2 ）补充了2SC4102 / 2SC3906K / 2SC2389S 。
外形尺寸
（单位：毫米）
2SA1579
(1)
0.65 0.65
0.7
0.8
0.3
(3)
1.25
2.1
0.15
0.2
(2)
0.1Min.
0~0.1
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
JEDEC ： SOT- 323
2SA1514K
(1)
0.4
(3)
1.6
2.8
0.15
0.3Min.
0-0.1
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
JEDEC ： SOT- 346
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
2SA1038S
3
4
2
(15Min.)
3Min.
0.45
2.5
5
(1) (2) (3)
0.5 0.45
大坪规格
ROHM ： SPT
EIAJ ：SC- 72
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
1.1
0.95 0.95
1.9
2.9
(2)
0.9
1.3
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
2.0
Rev.A的
1/3
2SA1579 / 2SA1514K / 2SA1038S
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电源
2SA1579 / 2SA1514K
耗散
2SA1038S
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
120
120
5
50
0.2
0.3
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
W
°C
°C
包装规格和h
FE
TYPE
包
h
FE
记号
CODE
基本订购单位（件）
指H
FE
2SA1579
UMT3
RS
R
T106
3000
2SA1514K
SMT3
RS
R
T146
3000
2SA1038S
SPT
RS
TP
5000
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
120
120
5
180
典型值。
140
3.2
马克斯。
0.5
0.5
0.5
560
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
= 50A
I
C
= -1mA
I
E
= 50A
V
CB
= 100V
V
EB
= 4V
I
C
/I
B
= -10mA / -1mA
V
CE
= 6V,
I
C
= -2mA
V
CE
= 12V,
I
E
=2mA,
f=100MHz
V
CB
= 12V,
I
E
=0A,
f=1MHz
条件
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
Rev.A的
2/3
2SA1579 / 2SA1514K / 2SA1038S
晶体管
电气特性曲线
10
Ta=25°C
50
25.0
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
Ta=25°C
V
CE
= 6V
500
Ta=25°C
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
0.2 0.4
0.6
0.8
1.0
1.2 1.4
1.6
17.5
直流电流增益：H
FE
8
22.5
20
20.0
5V
6
V
CE
= 1V
V
3
1
5.0
200
1
2.5
4
1
0.0
7
.5
100
2
5.0
2.5A
I
B
=0
50
0
4
8
12
16
20
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
基地发射极电压： V
BE
(V)
集电极电流：我
C
（MA ）
图1地面发射极输出特性
图2地面发射器传播
特征
图3直流电流增益与集电极电流
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
集电极输出电容：玉米棒（PF ）
20
Ta=25°C
0.5
跃迁频率：F
T
（ MH
Z
)
Ta=25°C
V
CE
= 6V
Ta=25°C
f=1MH
Z
I
E
=0A
500
10
COB
0.2
I
C
/I
B
=50/1
200
5
0.1
20/1
10/1
100
2
0.05
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
50
0.5
1
2
5
10
20
50
1
0.5
1
2
5
10
20
集电极电流：我
C
（MA ）
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
图4集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
图5跃迁频率
与发射极电流
图6集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
20
发射极输入电容： CIB （PF ）
兴业银行
Ta=25°C
f=1MH
Z
I
C
=0A
10
5
2
1
0.5
1
2
5
10
20
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
图7发射器的输入电容
与发射极 - 基极电压
Rev.A的
3/3
附录
笔记
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指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
2SA1579 / 2SA1514K
PNP -50mA -120V高压放大器晶体管
lOutline
参数
价值
UMT3
集热器
BASE
辐射源
BASE
辐射源
SMT3
集热器
数据表
V
首席执行官
I
C
-120V
-50mA
lFeatures
1 ）高击穿电压（ BV
首席执行官
=
-120V)
2 ）互补NPN类型：
2SC4102 （ UMT3 ） / 2SC3906K （ SMT3 ）
3 ）复合晶体管：
IMT4 （ SMT6 ）
4 ）无铅/符合RoHS标准。
2SA1579
SOT- 323 （ SC- 70 ）
2SA1514AK
SOT- 346 （ SC- 59 ）
lInner
电路
集热器
lApplications
BASE
高电压放大器
辐射源
lPackaging
特定网络阳离子
产品型号
2SA1579
2SA1514K
* 1个：H
FE
秩
包
UMT3
SMT3
包
SIZE
(mm)
2021
2928
TAPING
CODE
T106
T146
BASIC
大小盘磁带宽度
订购
(mm)
(mm)
单位（pcs ）
180
180
8
8
3,000
3,000
记号
Rx
*1
Rx
*1
www.rohm.com
2013 ROHM有限公司保留所有权利。
1/7
2013.05 - Rev.B的
QQ：2880707522 复制
