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功率晶体管
2SA1535 , 2SA1535A
PNP硅外延平面型
单位:mm
0.7
±0.1
低频驱动器和高功率放大
补充2SC3944和2SC3944A
I
特点
优良的电流I
C
正向电流传输比特性
h
FE
与收藏家
高转换频率f
T
一对互补与2SC3944和2SC3944A ,是最佳的
对于一个60瓦到100瓦的输出放大器的驱动器级
16.7
±0.3
10.0
±0.2
5.5
±0.2
4.2
±0.2
2.7
±0.2
7.5
±0.2
φ
3.1
±0.1
4.2
±0.2
浸焊
(4.0)
1.4
±0.1
1.3
±0.2
0.5
+0.2
–0.1
14.0
±0.5
0.8
±0.1
2.54
±0.3
I
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
收藏家基地
电压
集电极
发射极电压
2SA1535
2SA1535A
2SA1535
2SA1535A
V
EBO
I
CP
I
C
T
C
= 25°C
T
a
= 25
°C
T
j
T
英镑
P
C
V
首席执行官
符号
V
CBO
等级
150
180
150
180
5
1.5
1
15
2.0
150
55
to
+150
°C
°C
V
A
A
W
V
单位
V
5.08
±0.5
1 2 3
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
EIAJ : SC- 67
TO- 220F封装
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电源
耗散
结温
储存温度
I
电气特性
T
C
=
25°C
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极到发射极
电压
发射器基极电压
正向电流传输比
2SA1535
2SA1535A
V
EBO
h
FE1 *
h
FE2
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
注) *:等级分类
h
FE1
Q
90 155
R
130至220
S
185至330
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
符号
I
CBO
V
首席执行官
条件
V
CB
=
150
V,I
E
= 0
I
C
=
1
妈,我
B
= 0
I
C
=
100 A,
I
B
= 0
I
E
=
10 A,
I
C
= 0
V
CE
=
10
V,I
C
=
150
mA
V
CE
=
5
V,I
C
=
500
mA
I
C
=
500
妈,我
B
=
50
mA
I
C
=
500
妈,我
B
=
50
mA
V
CB
=
10
V,I
C
=
50
毫安, F = 10 MHz的
V
CB
=
10
V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
150
180
5
90
50
160
100
0.5
1.0
200
30
50
2.0
2.0
V
V
兆赫
pF
330
V
典型值
最大
10
单位
A
V
1
2SA1535 , 2SA1535A
P
C
T
a
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
32
功率晶体管
V
CE ( SAT )
I
C
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
–3
I
C
/I
B
=10
–10
V
BE ( SAT )
I
C
I
C
/I
B
=10
集电极耗散功率P
C
(W)
无散热片
28
24
20
16
12
8
4
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
–1
–3
T
C
=–25C
100C
25C
–1
– 0.3
25C
T
C
=100C
–25C
– 0.3
– 0.1
– 0.1
– 0.03
– 0.03
– 0.01
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
– 0.01
– 0.01 – 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
环境温度T
a
(C)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
h
FE
I
C
400
1000
V
CE
=–10V
f
T
I
E
100
V
CB
=–10V
f=10MHz
T
C
=25C
300
C
ob
V
CB
集电极输出电容C
ob
(PF )
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25C
80
正向电流传输比H
FE
300
T
C
=–25C
100
100C
30
25C
过渡频率f
T
(兆赫)
60
200
40
10
100
20
3
1
– 0.01 – 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
0
0.01
0.03
0.1
0.3
1
0
–1
–3
–10
–30
–100
集电极电流I
C
(A)
发射极电流I
E
(A)
集电极基极电压V
CB
(V)
安全操作区( ASO )
–10
–3
单脉冲
T
C
=25C
I
CP
t=1ms
I
C
集电极电流I
C
(A)
–1
– 0.3
– 0.1
10ms
– 0.03
– 0.01
– 0.003
– 0.001
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
2SA1535A
2SA1535
t=<50s
DC
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的
换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术
& QUOT ;外汇及外国贸易法& QUOT ;要导出或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表character-
istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得
物业,给予相对权利,或者给予任何许可。
(3)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或gen-
ERAL电子设备(如办公设备,通讯设备,测量IN-
struments和家用电器) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
燃烧设备,生命支持系统和安全装置),其中卓越的品质和
可靠性是必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 4 )在这种材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不
通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段,采购
荷兰国际集团,或使用的产品,因此,事先要求的最先进的最新产品标准
确保最新的技术规格满足您的要求。
( 5 )在设计你的装备,符合保障的价值,特别是对马克西 -
妈妈等级,操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -
明智的,我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,多余的设计建议,
所以,这样的设备可能没有违反,因为功能的有关法律,法规我们
产品。
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及后拆包待机时间)约定,当规格表被单独更换。
( 7 )本资料的任何部分,未经书面许可,不得转载或复制任何手段
从我们公司。
使用数据表之前,请仔细阅读下面的注意事项
A.这些材料的目的是作为参考,以帮助客户松下的选择
半导体产品最适合他们的应用程序。
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产品类型,技术参数等,如有更改,恕不另行通知。
建议客户联系我们的半导体销售办事处,并获得最新信息
在开始之前,精确的技术研究和/或采购活动。
B.松下正在努力不断改进这些材料的质量和可靠性,但
总是有进一步的纠正将被要求在未来的可能性。因此,
松下将不承担任何错误等,可能AP-而引起的任何损失承担任何责任
梨在这种材料。
C.这些材料仅适用于客户的个人使用。
因此,如果没有松下的事先书面同意,任何其他用途,如再现,
销售或分发该材料给第三方,通过互联网或以任何其他方式,是禁止的。
2001年MAR
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SA1535AS
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    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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