订购数量： EN2005A
PNP / NPN外延平面硅晶体管
2SA1416/2SC3646
高压开关的应用
特点
·采用FBET ， MBIT过程。
·高击穿电压和大电流的能力。
·快速切换时间。
·超小尺寸使其易于提供高
密度，小尺寸的混合集成电路。
包装尺寸
单位：mm
2038
[2SA1416/2SC3646]
E：发射器
C：收藏家
B：基本
（）： 2SA1416
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
条件
三洋： PCP
（底视图）
评级
(–)120
(–)100
(–)6
(–)1
(–)2
500
单位
V
V
V
A
A
mW
W
Moutned陶瓷板（ 250毫米
×0.8mm)
2
1.3
150
-55到+150
Tj
TSTG
C
C
电气特性
在Ta = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿Votage
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VCB = （ - ） 100V ， IE = 0
VEB = （ - ） 4V， IC = 0
VCE = （ - ） 5V ， IC = （ - ） 100毫安
VCE = （ - ） 10V ， IC = （ - ） 100毫安
VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的
IC = （ - ） 400毫安， IB = （ - ） 40毫安
100*
120
(13)
8.5
(–0.2)
0.1
IC = （ - ） 400毫安， IB = （ - ） 40毫安
V（ BR ） CBO IC = （ - ） 10μA ， IE = 0
V（ BR ） CEO IC = （ - ） 1mA时， RBE = ∞
V（ BR ） EBO IE = （ - ） 10μA ， IC = 0
吨
TSTG
tf
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
(–)0.85
(–)120
(–)100
(–)6
(80)
80
(700)
850
(40)
50
(–0.6)
0.4
(–)1.2
条件
评级
民
典型值
最大
(–)100
(–)100
400*
兆赫
pF
pF
V
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
nA
nA
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务指挥部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
71598HA （ KT ） / 3277KI / N255MW ， TS No.2005-1 / 4
2SA1416/2SC3646
* ：本2SA1416 / 2SC3646进行分类100毫安
FE
如下：
100
R
200
140
S
280
200
T
400
记号
2SA1416 ： AB
2SC3646 ： CB
h
FE
级别： R， S，T
开关时间测试电路
（对于PNP ，极性是相反的）
单位（电阻：
,
电容： F）
No.2005-2/4
2SA1416/2SC3646
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PS No.2005-4 / 4
