订购数量： EN2005B
2SA1416 / 2SC3646
三洋半导体
数据表
2SA1416 / 2SC3646
特点
PNP / NPN外延平面硅晶体管
高压开关的应用
采用FBET的， MBIT过程。
高耐压和大电流的能力。
快速开关速度。
超小尺寸使其易于提供高密度，小尺寸的混合IC的。
特定网络阳离子
（）： 2SA1416
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
安装在陶瓷板（ 250毫米
0.8mm)
2
条件
评级
(--)120
(--)100
(--)6
(--)1
(--)2
500
1.3
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
mW
W
°C
°C
标记2SA1416 ： AB
2SC3646 ： CB
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天
仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全
设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不
的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证
客户的产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态
设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或
设备。
www.semiconductor-sanyo.com/network
31010EA TK IM / O3103TN （ KT ） / 71598HA （ KT ） / 3277KI / N255MW ， TS No.2005-1 / 5
2SA1416 / 2SC3646
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
条件
VCB = （ - ） 100V ， IE = 0A
VEB = （ -
- ） 4V ， IC = 0A
VCE = （ - ） 5V ， IC = （ -
-)100mA
VCE = （ - ） 10V ， IC = （ -
-)100mA
VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的
IC = （ -
- ） 400毫安， IB = （ -
-)40mA
IC = （ -
- ） 400毫安， IB = （ -
-)40mA
IC = （ -
- ） 10μA ， IE = 0A
IC = （ -
- ） 1mA时， RBE = ∞
IE = （ -
- ） 10μA ， IC = 0A
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
(--)120
(--)100
(--)6
(80)80
(700)850
(40)50
100*
120
(13)8.5
(-
-0.2)0.1
(--)0.85
(-
-0.6)0.4
(--)1.2
评级
民
典型值
最大
(--)100
(--)100
400*
兆赫
pF
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
单位
nA
nA
*:
该2SA1416 / 2SC3646被百毫安的hFE分类如下：
秩
R
S
T
的hFE
100至200
140至280
200至400
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7007B-004
开关时间测试电路
PW=20μs
D.C.≤1%
输入
VR
50Ω
+
100μF
--5V
+
470μF
50V
IB1
IB2
RB
RL
IC=10IB1=--10IB2=400mA
（对于PNP ，极性是相反的）
No.2005-2/5
2SA1416 / 2SC3646
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在产品规格的任何及所有三洋半导体股份有限公司上市范围或其他参数） 。
本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障或
故障可能会引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起麻烦
烟雾或火灾，事故或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用
安全的措施，确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不
为了保护电路，电路错误预防安全的设计，多余的设计和结构
设计。
倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为
在任何当地出口管制法律和法规控制，这些产品可能需要
从有关根据上述法律，当局出口许可证。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，或其他方式，
没有三洋半导体有限公司的事先书面同意。
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"的
三洋半导体有限公司。你打算使用的产品。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不能保证
量产。
当使用的技术信息或本文描述的产品，既没有担保也没有牌照，应准予
关于知识产权或三洋半导体有限公司的任何其他权利。或任何第三
派对。三洋半导体有限公司。不得与有关第三方的任何索赔或诉讼承担责任
这导致从使用的技术信息和产品中提到的知识产权
以上。
该目录规定的3月， 2010年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS No.2005-5 / 5
订购数量： EN2005C
2SA1416 / 2SC3646
三洋半导体
数据表
2SA1416/2SC3646
特点
PNP / NPN外延平面硅晶体管
高压开关
应用
采用FBET的， MBIT流程
高击穿电压和电流容量大
开关速度快
超小尺寸使其易于提供高密度，小尺寸的混合IC的
（）： 2SA1416
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
当安装在陶瓷基体（ 250毫米
×0.8mm)
2
特定网络阳离子
参数
集电极 - 基极电压
绝对最大额定值
在TA = 25℃
条件
评级
(-
-)120
(-
-)100
(-
-)6
(--)1
(--)2
500
1.3
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
mW
W
°C
°C
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7007B-004
顶视图
4.5
1.6
1.5
产品&包装信息
包
： PCP
JEITA ， JEDEC
： SC - 62 ， SOT- 89 ， TO- 243
最小包装数量： 1000个/卷。
2SA1416S-TD-E
2SA1416T-TD-E
2SC3646S-TD-E
2SC3646T-TD-E
包装类型： TD
2.5
1.0
4.0
TD
1
0.4
0.5
1.5
3.0
2
3
0.4
记号
LOT号
秩
CB
2SC3646
2
1
3
2SC3646
AB
秩
0.75
2SA1416
电气连接
2
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
底部视图
1
三洋： PCP
3
2SA1416
http://www.sanyosemi.com/en/network/
82212 TKIM / 31010EA TKIM / O3103TN （ KT ） / 71598HA （ KT ） / 3277KI / N255MW ， TS No.2005-1 / 7
LOT号
2SA1416 / 2SC3646
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
条件
VCB = （ - ） 100V ， IE = 0A
VEB = （ - ） 4V ， IC = 0A
VCE = （ - ） 5V ， IC = （ - ） 100毫安
VCE = （ - ） 10V ， IC = （ - ） 100毫安
VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的
IC = （ - ） 400毫安， IB = （ - ） 40毫安
IC = （ - ） 400毫安， IB = （ - ） 40毫安
IC = （ - ） 10μA ， IE = 0A
IC = （ - ） 1mA时， RBE = ∞
IE = （ - ） 10μA ， IC = 0A
请参阅特定网络版测试电路。
(-
-)120
(-
-)100
(--)6
(80)80
(700)850
(40)50
100*
120
(13)8.5
(--0.2)0.1
(--)0.85
(--0.6)0.4
(-
-)1.2
评级
民
典型值
最大
(--)100
(--)100
400*
兆赫
pF
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
单位
nA
nA
*
：本2SA1416 / 2SC3646的分类网络版由100毫安hFE参数如下：
秩
的hFE
R
100至200
S
140至280
T
200至400
开关时间测试电路
PW=20μs
D.C.≤1%
输入
VR
50Ω
+
100μF
--5V
+
470μF
50V
IB1
IB2
RB
RL
IC=10IB1=--10IB2=400mA
（对于PNP ，极性是相反的）
订购信息
设备
2SA1416S-TD-E
2SA1416T-TD-E
2SC3646S-TD-E
2SC3646T-TD-E
包
PCP
PCP
PCP
PCP
航运
1,000pcs./reel
1,000pcs./reel
1,000pcs./reel
1,000pcs./reel
无铅
备忘录
No.2005-2/7
2SA1416 / 2SC3646
袋装特定网络阳离子
2SA1416S - TD -E ， 2SA1416T - TD -E ， 2SC3646S - TD -E ， 2SC3646T - TD -E
No.2005-5/7
QQ：2881677436 复制
