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JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1329
描述
·带
的TO-220封装
.Complement
键入2SC3346
ULOW
集电极饱和电压
高
高速开关时间
应用
高
电流开关应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-80
-80
-6
-12
-2
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
ob
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= -50mA ，我
B
=0
I
C
= -6A ;我
B
=-0.3A
I
C
= -6A ;我
B
=-0.3A
V
CB
= -80V ;我
E
=0
V
EB
= -6V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-1V
I
C
= -6A ; V
CE
=-1V
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=1MHz
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
70
40
400
50
民
-80
2SA1329
典型值。
最大
单位
V
-0.2
-0.9
-0.4
-1.2
-10
-10
240
V
V
μA
μA
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
B1
=- I
B2
=-0.3A
R
L
=5Ω;V
CC
=-30V
0.3
1.0
0.5
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
O
70-140
Y
120-240
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1329
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1329
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1329
描述
·采用TO- 220封装
·补键入2SC3346
·低集电极饱和电压
·高速开关时间
应用
·高电流开关应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-80
-80
-6
-12
-2
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= -50mA ，我
B
=0
I
C
= -6A ;我
B
=-0.3A
I
C
= -6A ;我
B
=-0.3A
V
CB
= -80V ;我
E
=0
V
EB
= -6V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-1V
I
C
= -6A ; V
CE
=-1V
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=1MHz
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
70
40
民
-80
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
ob
f
T
2SA1329
典型值。
最大
单位
V
-0.2
-0.9
-0.4
-1.2
-10
-10
240
V
V
A
A
400
50
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
B1
=- I
B2
=-0.3A
R
L
=5B;V
CC
=-30V
0.3
1.0
0.5
s
s
s
h
FE-1
分类
O
70-140
Y
120-240
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1329
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1329
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1329
描述
·带
的TO-220封装
.Complement
键入2SC3346
ULOW
集电极饱和电压
高
高速开关时间
应用
高
电流开关应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-80
-80
-6
-12
-2
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
P
C
T
j
T
英镑
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
ob
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= -50mA ，我
B
=0
I
C
= -6A ;我
B
=-0.3A
I
C
= -6A ;我
B
=-0.3A
V
CB
= -80V ;我
E
=0
V
EB
= -6V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-1V
I
C
= -6A ; V
CE
=-1V
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=1MHz
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
70
40
400
50
民
-80
2SA1329
典型值。
最大
单位
V
-0.2
-0.9
-0.4
-1.2
-10
-10
240
V
V
μA
μA
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
B1
=- I
B2
=-0.3A
R
L
=5Ω;V
CC
=-30V
0.3
1.0
0.5
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
O
70-140
Y
120-240
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1329
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1329
4
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22-12-2164
28LV011RT1FI-20
供货商
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    2SA1329
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