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2SA1312
东芝三极管
PNP硅外延型（厘过程）
2SA1312
音频频率低噪声放大器的应用
高电压： V
首席执行官
=
120
V
优秀
FE
线性：H
FE
(I
C
=
0.1
毫安） /小时
FE
(I
C
=
2
毫安）
H = 0.95 （典型值）。
高
FE ：
h
FE
= 200~700
低噪音： NF （ 2 ） = 0.2分贝（典型值） ， 3分贝（最大值）在f = 1千赫
补充2SC3324
小型封装
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
120
120
5
100
20
150
125
55~125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
TO-236MOD
SC-59
2-3F1A
重0.012克（典型值）
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
温度/电流/电压和温度的显著变化等）可能会导致本产品
减少在可靠性显著即使操作条件（即操作
温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
记号
1
2007-11-01
2SA1312
电气特性
（大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
（注）
V
CE （SAT）
f
T
C
ob
NF （1）
噪声系数
NF（ 2）
测试条件
V
CB
= 120
V，I
E
=
0
V
EB
= 5
V，I
C
=
0
V
CE
= 6
V，I
C
= 2
mA
I
C
= 10
妈，我
B
= 1
mA
V
CE
= 6
V，I
C
= 1
mA
V
CB
= 10
V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
V
CE
= 6
V，I
C
= 0.1
毫安，女
=
100赫兹，
Rg
=
10 kΩ
V
CE
= 6
V，I
C
= 0.1
毫安，女
=
1千赫，
Rg
=
10 kΩ
民
200
典型值。
100
4
0.5
0.2
最大
0.1
0.1
700
0.3
6
dB
3
V
兆赫
pF
单位
μA
μA
注：H
FE
分类GR （ G） ： 200 400 ， BL （ L） ： 350 700
（ ）标记符号
2
2007-11-01
2SA1312
3
2007-11-01
2SA1312
4
2007-11-01
2SA1312
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中
制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
5
2007-11-01
SMD型
PNP硅外延型
2SA1312
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
单位：mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
高的hFE 。
低噪声。
小包装。
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
+0.1
1.3
-0.1
高电压。
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散
Jumction温度
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
-120
-120
-5
-100
-20
150
125
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
增益带宽积
输出电容
噪声系数
符号
Ic
BO
I
EBO
h
FE
Testconditons
V
CB
= -120V ，我
E
= 0
V
EB
= -5V ，我
C
= 0
V
CE
= -6V ，我
C
= -2mA
200
民
典型值
最大
-0.1
-0.1
700
-0.3
100
4
0.5
0.2
6
3
V
兆赫
pF
dB
dB
单位
ìA
ìA
V
CE （ SAT ）
I
C
= -10mA ，我
B
=-1mA
f
T
C
ob
NF
NF
V
CE
= -6V ，我
C
= -1mA
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
V
CE
= -6 V，I
C
= -0.1毫安， F = 100赫兹，R
g
=10 K
V
CE
= -6 V，I
C
= -0.1毫安， F = 1千赫，R
g
=10 K
h
FE
分类
记号
秩
的hFE
ABG
GR
200 400
ABL
BL
350 700
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
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