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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第244页 > 2SA1310
晶体管
2SC3312
NPN硅外延平面型
对于低频和低噪声放大
补充2SA1310
4.0±0.2
单位：mm
s
特点
q
q
q
0.7±0.1
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
评级
60
55
7
200
100
300
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
1
2
3
1.27 1.27
2.54±0.15
EIAJ ：SC- 72
新的S型套餐
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
跃迁频率
噪声电压
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE *
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
NV
条件
V
CB
= 20V ，我
E
= 0
V
CE
= 20V ，我
B
= 0
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 2毫安，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 5V ，我
C
= 2毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
V
CE
= 1V ，我
C
= 30毫安
V
CB
= 5V ，我
E
= -2mA ， F = 200MHz的
V
CE
= 10V ，我
C
= 1毫安，G
V
= 80分贝
R
g
= 100kΩ的，功能= FLAT
200
150
60
55
7
180
700
1
1
V
V
兆赫
mV
民
典型值
最大
0.1
1
单位
A
A
V
V
V
*
h
FE
等级分类
R
180 ~ 360
S
260 ~ 520
T
360 ~ 700
h
FE
秩
2.0±0.2
记号
+0.2
0.45–0.1
s
绝对最大额定值
(Ta=25C)
15.6±0.5
最适合高密度安装。
让供应与径向录音。
低噪声电压NV 。
3.0±0.2
1
晶体管
P
C
- TA
500
240
Ta=25C
200
100
Ta=75C
2SC3312
I
C
— V
CE
120
25C
–25C
V
CE
=5V
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
集电极电流I
C
（MA ）
160
I
B
=400A
120
350A
330A
250A
200A
150A
40
100A
50A
集电极电流I
C
（MA ）
400
80
300
60
200
80
40
100
20
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
30
10
3
1
0.3
Ta=75C
0.1
0.03
0.01
0.1
25C
–25C
I
C
/I
B
=10
1000
h
FE
— I
C
400
V
CE
=5V
f
T
— I
E
V
CB
=5V
Ta=25C
正向电流传输比H
FE
800
过渡频率f
T
（兆赫）
10
30
100
350
300
250
200
150
100
50
600
Ta=75C
400
25C
–25C
200
0.3
1
3
10
30
100
0
0.1
0.3
1
3
0
– 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
发射极电流I
E
（MA ）
C
ob
— V
CB
5
240
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
NV - 我
C
I
CE
=10V
G
V
=80dB
功能= FLAT
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
噪声电压NV （MV ）
4
200
160
3
120
R
g
=100k
80
22k
40
4.1k
2
1
0
1
3
10
30
100
0
0.01
0.03
0.1
0.3
1
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
2
晶体管
2SA1310
PNP硅外延平面型
对于低频和低噪声放大
补充2SC3312
单位：mm
4.0±0.2
3.0±0.2
0.7±0.1
s
特点
q
q
q
q
让供应与径向录音。
低噪声电压NV 。
高盼着电流传输比H
FE
.
最适合高密度安装。
(Ta=25C)
评级
–60
–55
–7
–200
–100
300
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
1.27 1.27
记号
1
2
3
+0.2
0.45–0.1
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
2.54±0.15
EIAJ ：SC- 72
新的S型套餐
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
跃迁频率
噪声电压
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE *
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
NV
条件
V
CB
= -10V ，我
E
= 0
V
CE
= -10V ，我
B
= 0
I
C
= -10μA ，我
E
= 0
I
C
= -2mA ，我
B
= 0
I
E
= -10μA ，我
C
= 0
V
CE
= -5V ，我
C
= -2mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -10mA
V
CE
= -1V ，我
C
= -30mA
V
CB
= -5V ，我
E
= 2毫安中，f = 200MHz的
V
CE
= -10V ，我
C
= -1mA ，G
V
= 80分贝
R
g
= 100kΩ的，功能= FLAT
200
150
–60
–55
–7
180
700
– 0.6
–1
V
V
兆赫
mV
民
典型值
最大
– 0.1
–1
单位
A
A
V
V
V
*
h
FE
等级分类
R
180 ~ 360
S
260 ~ 520
T
360 ~ 700
h
FE
秩
2.0±0.2
s
绝对最大额定值
15.6±0.5
1
晶体管
P
C
- TA
500
–100
Ta=25C
450
–90
–100
25C
Ta=75C
–80
2SA1310
I
C
— V
CE
–120
V
CE
=–5V
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
集电极电流I
C
（MA ）
350
300
250
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
–70
I
B
=–200A
–60
–50
–40
–30
–20
–10
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–180A
–160A
–140A
–120A
–100A
–80A
–60A
–40A
–20A
集电极电流I
C
（MA ）
400
–80
–25C
–60
–40
–20
0
0
– 0.4
– 0.8
–1.2
–1.6
–2.0
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–100
–30
–10
–3
–1
I
C
/I
B
=10
600
h
FE
— I
C
320
V
CE
=–5V
f
T
— I
E
V
CB
=–5V
Ta=25C
正向电流传输比H
FE
500
Ta=75C
400
25C
过渡频率f
T
（兆赫）
–10
–30
–100
280
240
200
160
120
80
40
300
–25C
– 0.3
25C
– 0.1
Ta=75C
200
–25C
100
– 0.03
– 0.01
– 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
0
– 0.1 – 0.3
–1
–3
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
发射极电流I
E
（MA ）
C
ob
— V
CB
10
120
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
NV - 我
C
V
CE
=–10V
G
V
=80dB
功能= FLAT
集电极输出电容C
ob
（PF ）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
–1
100
噪声电压NV （MV ）
80
R
g
=100k
60
22k
40
5k
20
–3
–10
–30
–100
0
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
2
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225NCN050M
2SD667AC
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2SB1201R
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2-102537-8
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249-1768-000
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