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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1307
描述
·采用TO- 220Fa包
·补键入2SC3299
·低饱和电压
·高速开关时间
应用
·高电流开关应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
T
C
=25
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
2
150
-55~150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-60
-50
-5
-5
-1
20
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= -10mA ，我
B
=0
I
C
= -3A ;我
B
=-0.15A
I
C
= -3A ;我
B
=-0.15A
V
CB
=-50V;I
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-1V
I
C
= -3A ; V
CE
=-1V
I
E
=0; V
CB
=-10V,f=1MHz
I
C
= -1A ; V
CE
=-4V
70
30
民
-50
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
ob
f
T
2SA1307
典型值。
最大
单位
V
-0.4
-1.2
-1.0
-1.0
240
V
V
A
A
170
60
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
B1
=-I
B2
=-0.15A,V
CC
=30V
R
L
=10A
0.1
1.0
0.1
s
s
s
h
FE-1
分类
O
70-140
Y
120-240
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1307
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1307
4
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1307
描述
·带
TO- 220Fa包
.Complement
键入2SC3299
ULOW
饱和电压
高
高速开关时间
应用
高
电流开关应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
T
C
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
2
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-60
-50
-5
-5
-1
20
W
V
A
A
单位
V
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
ob
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= -10mA ，我
B
=0
I
C
= -3A ;我
B
=-0.15A
I
C
= -3A ;我
B
=-0.15A
V
CB
=-50V;I
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-1V
I
C
= -3A ; V
CE
=-1V
I
E
=0; V
CB
=-10V,f=1MHz
I
C
= -1A ; V
CE
=-4V
70
30
170
60
民
-50
2SA1307
典型值。
最大
单位
V
-0.4
-1.2
-1.0
-1.0
240
V
V
μA
μA
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
B1
=-I
B2
=-0.15A,V
CC
=30V
R
L
=10Ω
0.1
1.0
0.1
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
O
70-140
Y
120-240
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1307
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1307
4
2SA1307
PNP外延硅晶体管
功率放大器
垂直偏转输出
SC-67
!
补充2SC3299
绝对最大额定值（T
A
=25℃)
℃
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极耗散（ TC = 25
℃)
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
TSTG
等级
-60
-50
-5
-5
20
150
-50~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
电气特性（T
A
=25℃)
℃
特征
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
电流增益带宽积
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
V
CE （ SAT ）
F
t
测试条件
V
CB
= -150V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=
0
V
CE
= -1.0V ，我
C
=-1.0A
I
C
= -3A ，我
B
=-0.15mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-0.5A
民
典型值
最大
-10
-10
240
-0.4
60
单位
A
A
70
V
兆赫
永诚电脑配件有限公司， （香港）有限公司。
主页：
http://www.wingshing.com
联系电话： （ 852 ） 2341 9276传真： （ 852 ） 2797 8153
电子信箱： wsccltd@hkstar.com
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1307
描述
·带
TO- 220Fa包
.Complement
键入2SC3299
ULOW
饱和电压
高
高速开关时间
应用
高
电流开关应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
T
C
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
2
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-60
-50
-5
-5
-1
20
W
V
A
A
单位
V
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
ob
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= -10mA ，我
B
=0
I
C
= -3A ;我
B
=-0.15A
I
C
= -3A ;我
B
=-0.15A
V
CB
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E
=0
V
EB
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C
=0
I
C
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CE
=-1V
I
C
= -3A ; V
CE
=-1V
I
E
=0; V
CB
=-10V,f=1MHz
I
C
= -1A ; V
CE
=-4V
70
30
170
60
民
-50
2SA1307
典型值。
最大
单位
V
-0.4
-1.2
-1.0
-1.0
240
V
V
μA
μA
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
B1
=-I
B2
=-0.15A,V
CC
=30V
R
L
=10Ω
0.1
1.0
0.1
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
O
70-140
Y
120-240
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1307
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1307
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1307
描述
·带
TO- 220Fa包
.Complement
键入2SC3299
ULOW
饱和电压
高
高速开关时间
应用
高
电流开关应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
参数
固电
IN
导½
半
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
条件
发射极开路
开基
集电极开路
OR
UCT
价值
-60
-50
-5
-5
-1
单位
V
V
A
A
基极电流
T
C
=25℃
20
W
2
150
-55~150
℃
℃
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
ob
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= -10mA ，我
B
=0
I
C
= -3A ;我
B
=-0.15A
I
C
= -3A ;我
B
=-0.15A
V
CB
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C
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I
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CE
=-1V
I
E
=0; V
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=-10V,f=1MHz
I
C
= -1A ; V
CE
=-4V
70
30
170
60
民
-50
2SA1307
典型值。
最大
单位
V
-0.4
-1.2
-1.0
-1.0
240
V
V
μA
μA
pF
兆赫
开关时间
t
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t
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固电
下降时间
导½
半
开启时间
贮存时间
h
FE-1
分类
O
70-140
Y
120-240
IN
昂
CH
MIC
ê SE
I
B1
=-I
B2
=-0.15A,V
CC
=30V
R
L
=10Ω
ND
O
OR
UCT
0.1
1.0
0.1
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1307
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1307
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
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2020-34J
2SA2210
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251B120253C1T1
2R400SB-5
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    联系人：杨小姐
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    2SA1307
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