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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1264N
描述
·采用TO- 3P （ I）包
·补键入2SC3181N
· 2SA1264短脚
应用
·功率放大器应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形（TO -3P （Ⅰ） ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-120
-120
-5
-8
-0.8
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1264N
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= -50mA ，我
B
=0
I
C
= -6A ;我
B
=-0.6A
I
C
= -4A ; V
CE
=-5V
V
CB
= -120V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -4A ; V
CE
=-5V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
E
=0 ; V
CB
= -10V ; F = 1MHz的
55
35
30
420
兆赫
pF
民
-120
-2.0
-1.5
-5
-5
160
典型值。
最大
单位
V
V
V
A
A
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
ob
h
FE-1
分类
R
55-110
O
80-160
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1264N
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1264N
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1264N
描述
·带
TO-3P （Ⅰ）包
.Complement
键入2SC3181N
·2SA1264
短脚
应用
“权力
扩增fi er应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形（TO -3P （Ⅰ） ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-120
-120
-5
-8
-0.8
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
P
T
T
j
T
英镑
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1264N
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -50mA ，我
B
=0
-120
V
V
CESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -6A ;我
B
=-0.6A
I
C
= -4A ; V
CE
=-5V
-2.0
V
基射极电压
-1.5
V
μA
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -120V ;我
E
=0
-5
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -5V ;我
C
=0
-5
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
55
160
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -4A ; V
CE
=-5V
35
f
T
C
ob
跃迁频率
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
E
=0 ; V
CB
= -10V ; F = 1MHz的
30
兆赫
输出电容
420
pF
h
FE-1
分类
R
55-110
O
80-160
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1264N
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1264N
4
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1264N
描述
·带
TO-3P （Ⅰ）包
.Complement
键入2SC3181N
2SA1264
短脚
应用
“权力
扩增fi er应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形（TO -3P （Ⅰ） ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-120
-120
-5
-8
-0.8
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1264N
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -50mA ，我
B
=0
-120
V
V
CESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -6A ;我
B
=-0.6A
I
C
= -4A ; V
CE
=-5V
-2.0
V
基射极电压
-1.5
V
μA
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -120V ;我
E
=0
-5
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -5V ;我
C
=0
-5
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
55
160
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -4A ; V
CE
=-5V
35
f
T
C
ob
跃迁频率
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
E
=0 ; V
CB
= -10V ; F = 1MHz的
30
兆赫
输出电容
420
pF
h
FE-1
分类
R
55-110
O
80-160
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1264N
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
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产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1264N
4
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28C010TRT4DE-12
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2QSP20-TG1-472LF
2EZ10D5
2SA719S
250P09CB
253B203B50NA
282862-7
2SD2440BL
250B15F501B1CB
2SC3330R
2SC3088L
2SD553
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    2SA1264N
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2SA1264N
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2024
20918
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全新原装正品/质量有保证
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