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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第542页 > 2SA1201
2SA1 201
晶体管（ PNP ）
特点
高压
高转换频率
补充2SC2881
最大额定值（T
A
=25
℃
除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
SOT-89
1.
BASE
2.
集热器
3.
辐射源
1
2
3
价值
-120
-120
-5
-0.8
0.5
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
结温
储存温度
电气特性（环境温度Tamb = 25
℃
除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
C
ob
TEST
条件
民
-120
-120
-5
-0.1
-0.1
80
240
-1
-1
120
30
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
=-1mA,I
E
=0
I
C
=-10mA,I
B
=0
I
E
=-1mA,I
C
=0
V
CB
=-120V,I
E
=0
V
EB
=-5V,I
C
=0
V
CE
=-5V,I
C
=-100mA
I
C
=-500mA,I
B
=-50mA
V
CE
=-5V,I
C
=-500mA
V
CE
=-5V,I
C
=-100mA
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
分类
秩
范围
记号
１　
金隅
h
FE
O
80-160
DO
Y
120-240
DY
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
2SA1 201
典型特征
２
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
2SA1201
东芝三极管
PNP硅外延型（厘过程）
2SA1201
电压放大器的应用
功率放大器的应用
高电压： V
首席执行官
=
120
V
高转换频率：F
T
= 120 MHz（典型值）。
小扁包
P
C
= 1 2 W（安装在陶瓷基板）
补充2SC2881
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
集电极耗散功率
P
C
（注1 ）
结温
存储温度范围
T
j
T
英镑
等级
120
120
5
800
160
500
1000
150
55
150
mW
单位
V
V
V
mA
mA
PW- MINI
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-62
2-5K1A
°C
°C
重量0.05克（典型值）。
注1 ：安装在一个陶瓷基体（ 250毫米
2
× 0.8 t)
注2 ：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
1
2009-12-21
2SA1201
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
h
FE
（注3）
V
CE （SAT）
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
=
120
V，I
E
= 0
V
EB
=
5
V，I
C
= 0
I
C
=
10
妈，我
B
= 0
I
E
=
1
妈，我
C
= 0
V
CE
=
5
V，I
C
=
100
mA
I
C
=
500
妈，我
B
=
50
mA
V
CE
=
5
V，I
C
=
500
mA
V
CE
=
5
V，I
C
=
100
mA
V
CB
=
10
V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
民
―
―
120
5
80
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
120
―
最大
0.1
0.1
―
―
240
1.0
1.0
―
30
V
V
兆赫
pF
单位
μA
μA
V
V
注3 ：小时
FE
分类○： 80 160 ， Y： 120240
记号
产品型号（或缩写代码）
D
LOT号
性能指标
注4
注4 ：一个批号旁边的行标识产品标签的指示。
如果没有行： [铅] /包括> MCV
用线： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
请联系您的东芝销售代表的详细情况，诸如环境问题，如RoHS指令
产品的兼容性。 RoHS指令的指令2002/95 / EC欧洲议会和27局的
2003年1月关于在电气和电子设备中使用某些有害物质的限制。
2
2009-12-21
2SA1201
I
C
– V
CE
800
10
7
5
600
4
1000
共发射极
TA = 25°C
h
FE
– I
C
共发射极
500
VCE =
5
V
TA = 100℃
25
25
100
50
30
（MA ）
集电极电流I
C
400
3
2
200
IB =
1
mA
10
3
12
16
直流电流增益
FE
300
0
0
0
4
8
10
30
100
300
1000
集电极电流I
C
（MA ）
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
V
CE （SAT）
– I
C
0.5
0.8
共发射极
IC / IB = 10
共发射极
VCE =
5
V
I
C
– V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
(V)
0.3
(A)
TA = 100℃
0.05
0.03
25
25
0.6
集电极电流I
C
0.1
0.4
TA = 100℃
25
25
0.01
3
10
30
100
300
1000
0.2
集电极电流I
C
（MA ）
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
基射极电压
V
BE
(V)
安全工作区
3000
集成电路最大值（脉冲） *
1000
500
IC MAX（连续）
10毫秒*
1毫秒*
P
C
- TA
1.2
（MA ）
P
C
(W)
300
DC
手术
100
50
30
TA = 25°C
1.0
(1)
（1）安装在陶瓷
基板（ 250毫米× 0.8吨）
（ 2 ）无散热片
2
集电极电流I
C
100毫秒*
集电极耗散功率
0.8
0.6
(2)
10
* ：单非重复脉冲
TA = 25°C
5
曲线必须是线性降额
3
同的温度升高。
测试：无基材。
1
0.3
1
3
10
最大VCEO
30
100
300
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
环境温度Ta （C ）
3
2009-12-21
2SA1201
限制产品使用
东芝公司及其子公司和联营公司（统称为“ TOSHIBA” ） ，保留更改信息的权利
在这个文件中，以及相关的硬件，软件和系统（统称为“产品”） ，恕不另行通知。
本文档的任何信息均不得转载未经东芝事先书面许可。即使
东芝的书面许可，复制是允许的，只要还原度没有改变/遗漏。
虽然东芝的作品不断地提高产品的质量和可靠性，产品可能出现故障或失败。客户
负责符合安全标准，并提供足够的设计和保障他们的硬件，软件和
这最大限度地降低风险，并避免出现在产品的故障或失效可能导致生命丧失，身体系统
人身伤害或财产损失，包括数据丢失或损坏。在客户使用的产品，创造设计包括
产品，或纳入产品到他们自己的应用程序，用户还必须参考，并符合第（一）的最新版本
所有相关的东芝信息，包括但不限于本文件，规格，数据表和应用说明
对于产品，并提出了“东芝半导体可靠性手册”中的注意事项和条件， （二）
与该产品将被用于或应用程序的说明。客户全权负责各方面的
自己的产品设计和应用，包括但不限于： （ a）确定在这样的使用本产品的适当性
设计或应用程序; （二）评估和确定的任何信息本文件所载的适用性，或图表，
图表，程序，算法，样本应用电路，或任何其他引用的文件; （三）确认所有操作
参数对这样的设计和应用。
东芝半导体公司没有责任为客户的产品设计或
应用程序。
产品适用于一般电子设备的应用程序（使用例如，计算机，个人设备，办公设备，测量
设备，工业机器人和家用电子电器） ，或针对特定应用本文件中的明确规定。
产品既不打算也不保证在设备或系统的使用要求非常高的质量水平和/或
可靠性和/或故障或故障可能导致人的生命，人身伤害，严重财产损失或严重损失
公众的影响（ “误用”）。意想不到的用途包括，但不限于核设施中使用的设备，二手设备
在航空航天工业，医疗设备，用于汽车，火车，轮船等运输，交通信号设备
设备，用来控制发火或爆炸，安全装置，电梯和自动扶梯设备，相关电力设备
电力，装备财务相关领域。不要使用产品的误用，除非在此特别许可
文档。
请勿拆解，分析，逆向工程，变更，修改，翻译或复制的产品，不论是全部或部分转载。
产品不应被用于或结合到任何产品或系统的制造，使用或销售下任何被禁止的
适用的法律或规例。
此处包含的信息显示仅作为产品使用指导。承担任何责任东芝对于任何
侵犯第三方专利或可能导致使用产品，任何其他知识产权。无许可证
任何知识产权授予本文档，无论明示或暗示，禁止反言或其他方式。
如果没有书面签署的协议，除非在有关的销售条款和条件
如欲了解产品，而到了最大范围内法律允许， TOSHIBA （ 1 ）不承担任何责任
负责，包括但不限于，间接的，继发的，特殊的或偶然的损坏或
损失，包括但不限于利润损失，机会损失，营业中断及
数据丢失;（2 ）拒绝任何明示或暗示的保证以及与条件
销售，使用的产品，或信息，包括有关适销性条件，适
适用于特定用途，精度信息，或不侵权的。
不要使用或以其他方式提供产品或相关软件或技术进行任何军事目的，包括但
限制，在设计，开发，使用，核武器，化学武器或生物武器或导弹储存或生产
技术产品（大规模杀伤武器） 。产品及相关软件和技术可根据被控制
日本外汇及外国贸易法和美国出口管理条例。出口和再出口产品
或相关软件或技术被严格禁止的项目除外遵守所有适用的出口法律和法规。
请联系您的东芝销售代表的详细情况，诸如环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。
请遵守该规范的受控物质列入或使用的所有适用法律和法规使用的产品，
包括但不限于欧盟的RoHS指令。东芝对发生的结果损害或损失不承担任何责任
不遵守适用的法律和法规。
4
2009-12-21
SMD型
电压放大器的应用
2SA1201
晶体管
特点
高电压： V
首席执行官
= -120V
高转换频率：F
T
= 120MHz的（典型值）。
小扁包
补充2SC2881
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
Jumction温度
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
-120
-120
-5
-800
-160
500
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
发射极截止电流
集电极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
EBO
I
CBO
Testconditons
V
EB
= -5V ，我
C
= 0
V
CB
= -120V ，我
E
= 0
-120
-5
80
240
-1.0
-1.0
120
30
V
V
兆赫
pF
民
典型值
最大
-0.1
-0.1
单位
A
A
V
V
V
（ BR ） CEO
I
C
= -10mA ，我
B
= 0
V
（ BR ） EBO
I
E
= -1mA ，我
C
= 0
h
FE
V
CE
= -5V ，我
C
= -100mA
V
CE （ SAT ）
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
V
BE
f
T
C
ob
V
CE
= -5V ，我
C
= -500mA
V
CE
= -5V ，我
C
= -100mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
www.kexin.com.cn
1
SMD型
2SA1201
h
FE
分类
记号
秩
的hFE
O
80 160
D
Y
120 240
晶体管
电气特性曲线
2
www.kexin.com.cn
2SA1201
PNP硅
公司Bauelemente
符合RoHS产品
外延平面晶体管
SOT-89
特点
高压
高转换频率
补充2SC2881
最大额定值（T
A
=25
℃
除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
价值
-120
-120
-5
-0.8
0.5
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
4.4
4.6
4.05
4.25
1.50
1.70
1.30
1.50
2.40
2.60
0.89
1.20
REF 。
G
H
I
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
3.00参考。
1.50 REF 。
0.40
0.52
1.40
1.60
0.35
0.41
5 Q TYP 。
0.70 REF 。
结温
储存温度
电气特性（环境温度Tamb = 25
℃
除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
C
ob
TEST
条件
民
-120
-120
-5
-0.1
-0.1
80
240
-1
-1
120
30
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
=-1mA,I
E
=0
I
C
=-10mA,I
B
=0
I
E
=-1mA,I
C
=0
V
CB
=-120V,I
E
=0
V
EB
=-5V,I
C
=0
V
CE
=-5V,I
C
=-100mA
I
C
=-500mA,I
B
=-50mA
V
CE
=-5V,I
C
=-500mA
V
CE
=-5V,I
C
=-100mA
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
分类
秩
范围
记号
h
FE
O
80-160
DO
Y
120-240
DY
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
08月， 2007年修订版A
第1页2
2SA1201
PNP硅
公司Bauelemente
外延平面晶体管
典型特征
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
08月， 2007年修订版A
第2页2
2SA1201
东芝三极管
PNP硅外延型（厘过程）
2SA1201
电压放大器的应用
功率放大器的应用
高电压： V
首席执行官
=
120
V
高转换频率：F
T
= 120 MHz（典型值）。
小扁包
P
C
= 1 2 W（安装在陶瓷基板）
补充2SC2881
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
集电极耗散功率
P
C
（注1 ）
结温
存储温度范围
T
j
T
英镑
等级
120
120
5
800
160
500
1000
150
55
150
mW
单位
V
V
V
mA
mA
PW- MINI
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-62
2-5K1A
°C
°C
重量0.05克（典型值）。
注1 ：安装在一个陶瓷基体（ 250毫米
2
× 0.8 t)
注2 ：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
1
2006-11-09
2SA1201
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
h
FE
（注3）
V
CE （SAT）
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
=
120
V，I
E
= 0
V
EB
=
5
V，I
C
= 0
I
C
=
10
妈，我
B
= 0
I
E
=
1
妈，我
C
= 0
V
CE
=
5
V，I
C
=
100
mA
I
C
=
500
妈，我
B
=
50
mA
V
CE
=
5
V，I
C
=
500
mA
V
CE
=
5
V，I
C
=
100
mA
V
CB
=
10
V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
民
―
―
120
5
80
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
120
―
最大
0.1
0.1
―
―
240
1.0
1.0
―
30
V
V
兆赫
pF
单位
μA
μA
V
V
注3 ：小时
FE
分类○： 80 160 ， Y： 120240
记号
产品型号（或缩写代码）
D
LOT号
性能指标
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
2
2006-11-09
2SA1201
I
C
– V
CE
800
10
7
5
600
4
1000
共发射极
TA = 25°C
h
FE
– I
C
共发射极
500
VCE =
5
V
TA = 100℃
25
25
100
50
30
（MA ）
集电极电流I
C
400
3
2
200
IB =
1
mA
10
3
12
16
直流电流增益
FE
300
0
0
0
4
8
10
30
100
300
1000
集电极电流I
C
（MA ）
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
V
CE （SAT）
– I
C
0.5
0.8
共发射极
IC / IB = 10
共发射极
VCE =
5
V
I
C
– V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
(V)
0.3
(A)
TA = 100℃
0.05
0.03
25
25
0.6
集电极电流I
C
0.1
0.4
TA = 100℃
25
25
0.01
3
10
30
100
300
1000
0.2
集电极电流I
C
（MA ）
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
基射极电压
V
BE
(V)
安全工作区
3000
集成电路最大值（脉冲） *
1000
500
IC MAX（连续）
10毫秒*
1毫秒*
P
C
- TA
1.2
（MA ）
P
C
(W)
300
DC
手术
100
50
30
TA = 25°C
1.0
(1)
（1）安装在陶瓷
基板（ 250毫米× 0.8吨）
（ 2 ）无散热片
2
集电极电流I
C
100毫秒*
集电极耗散功率
0.8
0.6
(2)
10
* ：单非重复脉冲
TA = 25°C
5
曲线必须是线性降额
3
同的温度升高。
测试：无基材。
1
0.3
1
3
10
最大VCEO
30
100
300
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
环境温度Ta （C ）
3
2006-11-09
2SA1201
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中
制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
4
2006-11-09
2SA1201
东芝三极管
PNP硅外延型（厘过程）
2SA1201
电压放大器的应用
功率放大器的应用
高电压： V
首席执行官
=
120
V
高转换频率：F
T
= 120 MHz（典型值）。
小扁包
P
C
= 1 2 W（安装在陶瓷基板）
补充2SC2881
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
集电极耗散功率
P
C
（注1 ）
结温
存储温度范围
T
j
T
英镑
等级
120
120
5
800
160
500
1000
150
55
150
mW
单位
V
V
V
mA
mA
PW- MINI
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-62
2-5K1A
°C
°C
重量0.05克（典型值）。
注1 ：安装在一个陶瓷基体（ 250毫米
2
× 0.8 t)
注2 ：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
1
2006-11-09
2SA1201
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
h
FE
（注3）
V
CE （SAT）
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
=
120
V，I
E
= 0
V
EB
=
5
V，I
C
= 0
I
C
=
10
妈，我
B
= 0
I
E
=
1
妈，我
C
= 0
V
CE
=
5
V，I
C
=
100
mA
I
C
=
500
妈，我
B
=
50
mA
V
CE
=
5
V，I
C
=
500
mA
V
CE
=
5
V，I
C
=
100
mA
V
CB
=
10
V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
民
―
―
120
5
80
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
120
―
最大
0.1
0.1
―
―
240
1.0
1.0
―
30
V
V
兆赫
pF
单位
μA
μA
V
V
注3 ：小时
FE
分类○： 80 160 ， Y： 120240
记号
产品型号（或缩写代码）
D
LOT号
性能指标
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
2
2006-11-09
2SA1201
I
C
– V
CE
800
10
7
5
600
4
1000
共发射极
TA = 25°C
h
FE
– I
C
共发射极
500
VCE =
5
V
TA = 100℃
25
25
100
50
30
（MA ）
集电极电流I
C
400
3
2
200
IB =
1
mA
10
3
12
16
直流电流增益
FE
300
0
0
0
4
8
10
30
100
300
1000
集电极电流I
C
（MA ）
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
V
CE （SAT）
– I
C
0.5
0.8
共发射极
IC / IB = 10
共发射极
VCE =
5
V
I
C
– V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
(V)
0.3
(A)
TA = 100℃
0.05
0.03
25
25
0.6
集电极电流I
C
0.1
0.4
TA = 100℃
25
25
0.01
3
10
30
100
300
1000
0.2
集电极电流I
C
（MA ）
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
基射极电压
V
BE
(V)
安全工作区
3000
集成电路最大值（脉冲） *
1000
500
IC MAX（连续）
10毫秒*
1毫秒*
P
C
- TA
1.2
（MA ）
P
C
(W)
300
DC
手术
100
50
30
TA = 25°C
1.0
(1)
（1）安装在陶瓷
基板（ 250毫米× 0.8吨）
（ 2 ）无散热片
2
集电极电流I
C
100毫秒*
集电极耗散功率
0.8
0.6
(2)
10
* ：单非重复脉冲
TA = 25°C
5
曲线必须是线性降额
3
同的温度升高。
测试：无基材。
1
0.3
1
3
10
最大VCEO
30
100
300
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
环境温度Ta （C ）
3
2006-11-09
2SA1201
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中
制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
4
2006-11-09
2SA1201
东芝三极管
PNP硅外延型（厘过程）
2SA1201
电压放大器的应用
功率放大器的应用
高电压： V
首席执行官
=
120
V
高转换频率：F
T
= 120 MHz（典型值）。
小扁包
P
C
= 1 2 W（安装在陶瓷基板）
补充2SC2881
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
集电极耗散功率
P
C
（注1 ）
结温
存储温度范围
T
j
T
英镑
等级
120
120
5
800
160
500
1000
150
55
150
mW
单位
V
V
V
mA
mA
PW- MINI
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-62
2-5K1A
°C
°C
重量0.05克（典型值）。
注1 ：安装在一个陶瓷基体（ 250毫米
2
× 0.8 t)
注2 ：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
1
2006-11-09
2SA1201
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
h
FE
（注3）
V
CE （SAT）
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
=
120
V，I
E
= 0
V
EB
=
5
V，I
C
= 0
I
C
=
10
妈，我
B
= 0
I
E
=
1
妈，我
C
= 0
V
CE
=
5
V，I
C
=
100
mA
I
C
=
500
妈，我
B
=
50
mA
V
CE
=
5
V，I
C
=
500
mA
V
CE
=
5
V，I
C
=
100
mA
V
CB
=
10
V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
民
―
―
120
5
80
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
120
―
最大
0.1
0.1
―
―
240
1.0
1.0
―
30
V
V
兆赫
pF
单位
μA
μA
V
V
注3 ：小时
FE
分类○： 80 160 ， Y： 120240
记号
产品型号（或缩写代码）
D
LOT号
性能指标
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
2
2006-11-09
2SA1201
I
C
– V
CE
800
10
7
5
600
4
1000
共发射极
TA = 25°C
h
FE
– I
C
共发射极
500
VCE =
5
V
TA = 100℃
25
25
100
50
30
（MA ）
集电极电流I
C
400
3
2
200
IB =
1
mA
10
3
12
16
直流电流增益
FE
300
0
0
0
4
8
10
30
100
300
1000
集电极电流I
C
（MA ）
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
V
CE （SAT）
– I
C
0.5
0.8
共发射极
IC / IB = 10
共发射极
VCE =
5
V
I
C
– V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
(V)
0.3
(A)
TA = 100℃
0.05
0.03
25
25
0.6
集电极电流I
C
0.1
0.4
TA = 100℃
25
25
0.01
3
10
30
100
300
1000
0.2
集电极电流I
C
（MA ）
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
基射极电压
V
BE
(V)
安全工作区
3000
集成电路最大值（脉冲） *
1000
500
IC MAX（连续）
10毫秒*
1毫秒*
P
C
- TA
1.2
（MA ）
P
C
(W)
300
DC
手术
100
50
30
TA = 25°C
1.0
(1)
（1）安装在陶瓷
基板（ 250毫米× 0.8吨）
（ 2 ）无散热片
2
集电极电流I
C
100毫秒*
集电极耗散功率
0.8
0.6
(2)
10
* ：单非重复脉冲
TA = 25°C
5
曲线必须是线性降额
3
同的温度升高。
测试：无基材。
1
0.3
1
3
10
最大VCEO
30
100
300
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
环境温度Ta （C ）
3
2006-11-09
2SA1201
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中
制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
4
2006-11-09
2SA1 201
晶体管（ PNP ）
特点
高压
高转换频率
补充2SC2881
最大额定值（T
A
=25
℃
除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
SOT-89
1.
BASE
2.
集热器
3.
辐射源
1
2
3
价值
-120
-120
-5
-0.8
0.5
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
结温
储存温度
电气特性（环境温度Tamb = 25
℃
除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
C
ob
TEST
条件
民
-120
-120
-5
-0.1
-0.1
80
240
-1
-1
120
30
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
=-1mA,I
E
=0
I
C
=-10mA,I
B
=0
I
E
=-1mA,I
C
=0
V
CB
=-120V,I
E
=0
V
EB
=-5V,I
C
=0
V
CE
=-5V,I
C
=-100mA
I
C
=-500mA,I
B
=-50mA
V
CE
=-5V,I
C
=-500mA
V
CE
=-5V,I
C
=-100mA
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
分类
秩
范围
记号
１　
金隅
h
FE
O
80-160
DO
Y
120-240
DY
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
2SA1 201
典型特征
２
金隅
半导体
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Ｄ½½½：２０１１／０５
SMD型
产品speci fi cation
2SA1201
特点
高电压： V
首席执行官
= -120V
高转换频率：F
T
= 120MHz的（典型值）。
小扁包
补充2SC2881
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
Jumction温度
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
-120
-120
-5
-800
-160
500
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
发射极截止电流
集电极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
EBO
I
CBO
Testconditons
V
EB
= -5V ，我
C
= 0
V
CB
= -120V ，我
E
= 0
-120
-5
80
240
-1.0
-1.0
120
30
V
V
兆赫
pF
民
典型值
最大
-0.1
-0.1
单位
A
A
V
V
V
（ BR ） CEO
I
C
= -10mA ，我
B
= 0
V
（ BR ） EBO
I
E
= -1mA ，我
C
= 0
h
FE
V
CE
= -5V ，我
C
= -100mA
V
CE （ SAT ）
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
V
BE
f
T
C
ob
V
CE
= -5V ，我
C
= -500mA
V
CE
= -5V ，我
C
= -100mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
1
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1 2
SMD型
产品speci fi cation
2SA1201
h
FE
分类
记号
秩
的hFE
O
80 160
D
Y
120 240
电气特性曲线
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22-02-2055
2SA1547A
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型号
厂家
批号
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封装
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操作
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