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2SA1193(K)
PNP硅外延,达林顿
ADE - 208-1013 ( Z)
1日。版
2001年3月
应用
高增益放大器
概要
TO-92MOD
2
3
1.发射器
2.收集
3. BASE
1
3
2
1
2SA1193(K)
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
i
C(峰值)
P
C
Tj
TSTG
评级
–60
–60
–7
–0.5
–1.0
0.9
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
符号
–60
2000
典型值
0.3
0.9
最大
–1.0
–1.0
–1.5
–2.0
V
V
s
s
I
C
= -250毫安
I
B1
= –I
B2
= -0.5毫安
单位
V
A
A
测试条件
I
C
= -1毫安,R
BE
=
V
CB
= -60 V,I
E
= 0
V
EB
= -7 V,I
C
= 0
V
CE
= -3 V,I
C
= -250毫安*
1
I
C
= -250毫安,我
B
= -0.5毫安*
1
集电极到发射极击穿V
( BR ) CEO
电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和
电压
启动时间
关闭时间
注意:
1.脉冲测试
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
t
on
t
关闭
2
2SA1193(K)
最大集电极耗散曲线
0.9
集电极耗散功率P
C
(W)
集电极电流I
C
(A)
–3
–1.0
0.6
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.003
–3
i
C(峰值)
I
C(最大值)
安全工作区
PW
=1
m
0毫秒1
=1
s1
ot
sh
ot
sh
PW
TA = 25°C
PW
=1
1
ms
00
t
0.3
0
50
100
150
环境温度Ta (C )
–10
–30
–100
–300
集电极Emiter电压V
CE
(V)
典型的输出特性
–500
集电极电流I
C
(MA )
–1
00
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
100,000
直流电流传输比H
FE
30,000
10,000
3,000
1,000
300
100
–10
V
CE
= –3 V
脉冲
–30
–100
–300
集电极电流I
C
(MA )
–1,000
TA = 75
°C
25
°C
–400
0
–8
0
–6
–40
–300
P
C
=
–20
0.
9W
–200
–10
–100
–5
A
I
B
= 0
0
–2
–4
–6
–8
–10
集电极到发射极电压V
CE
(V)
3
2SA1193(K)
饱和电压与
集电极电流
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
–10
I
C
= 500 I
B
脉冲
–3
TA = 25°C
V
BE ( SAT )
开关时间t(微秒)
10
3
1.0
t
英镑
0.3
0.1
0.03
–0.1
–10
0.01
–10
I
C
= 500 I
B
TA = 25°C
–100
–300
–30
收藏家Curret我
C
(MA )
–1,000
t
on
t
d
t
关闭
开关时间与集电极电流
–1.0
V
CE ( SAT )
–0.3
75°C
–30
–100
–300
集电极电流I
C
(MA )
–1,000
开关时间测试电路
I
C
V
IN
R
1
V
IN
TR , TF
& LT ;
10纳秒
=
PW
& GT ;
10
s
=
占空比
& LT ;
10 %
=
R
2
50
V
RB
6V
I
B1
I
B2
0.002
响应波形
D.U.T.
R
3
0.002
10%
输入
–10 V
0
产量
t
d
t
on
90%
t
英镑
10%
90%
t
关闭
10%
90%
+ –
50
+ –
50
V
CC
4
2SA1193(K)
包装尺寸
至于, 2001年1月
单位:mm
4.8
±
0.4
3.8
±
0.4
0.65
±
0.1
0.75最大
0.55Max
0.7
0.60 MAX
2.3最大
10.1敏
8.0
±
0.5
0.5Max
1.27
2.54
日立代码
JEDEC
EIAJ
质谱(参考值)
TO-92国防部
符合
0.35 g
5
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