【SMD型PNP硅外延2SA1182SOT-23+0.12.9-0.1+0.10.4-0.1晶体管单位】,IC型号2SA1182,2SA1182 PDF资料,2SA1182经销商,ic,电子元器件-51电子网

SMD型

PNP硅外延

2SA1182

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

晶体管

单位：mm

+0.1

2.4

-0.1

特点

SOT- 23封装

+0.1

1.3

-0.1

+0.1

0.95

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

0.55

0.4

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

0.97

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

-35

-30

-5

-500

-50

150

125

-55到+125

单位

电气特性TA = 25

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

集电极输出电容

跃迁频率

符号

CBO

EBO

Testconditons

= -35 V，I

= 0

= -5 V，I

= 0

= -1 V，I

= -100毫安

= -6 V，I

= -400毫安

CE （SAT）

= -100毫安，我

= -10毫安

= -1 V，I

= -100毫安

= -6 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

= -6 V，I

= -20毫安

-0.1

-0.8

200

-0.25

-1.0

兆赫

民

典型值

最大

-0.1

240

单位

分类

记号

秩

的hFE

70 140

120 240

+0.1

0.38

-0.1

0-0.1

www.kexin.com.cn

SMD型

2SA1182

典型特征

晶体管

图2集电极电流

图。 1集电极发射极电压

图3集电极电流

图4环境温度

图5基极发射极电压

www.kexin.com.cn

2SA1182

东芝三极管

PNP硅外延（ PCT程序）

2SA1182

音频频率低功耗运算放大器应用

驱动级放大器的应用

切换应用程序

优秀

线性：H

FE （2）

= 25 （分钟）

在V

V，I

400

补充2SC2859 。

单位：mm

绝对最大额定值

（大

25°C)

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

500

150

125

55~125

单位

°C

注：在重负载下连续使用的（如高的应用

JEDEC

TO-236MOD

温度/电流/电压和在显著变化

JEITA

SC-59

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使工作条件下（即

东芝

2-3F1A

工作温度/电流/电压等）内的

重0.012克（典型值）

绝对最大额定值。

请在审查设计相应的可靠性

东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ），并

个别可靠性数据（即可靠性试验报告和估计故障率等）。

电气特性

（大

25°C)

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

（注）

符号

CBO

EBO

FE （1）

FE （2）

CE （SAT）

测试条件

= 35

V，I

= 5

V，I

= 1

V，I

= 100

= 6

V，I

= 400

= 100

妈，我

= 10

= 1

V，I

= 100

= 6

V，I

= 20

= 6

V，I

0, f

1兆赫

民

典型值。

0.1

0.8

200

最大

0.1

240

0.25

1.0

兆赫

单位

μA

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

跃迁频率

集电极输出电容

注：H

FE （1）

分类O（ O）： 70 140 ， Y（ Y）： 120 240 ， GR （ G）： 200 400 （

FE （2）

分类○： 25 （分钟）， Y： 40 （分钟）， GR ： 70 （分钟）

）标记符号

记号

2007-11-01

2SA1182

2007-11-01

2SA1182

限制产品使用

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

20070701 - EN GENERAL

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等），这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他

文件应在客户自己的风险进行。

本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中

制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利

东芝或第三方。

请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节

兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品

该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任

如发生不遵守适用的法律和法规的结果。

2007-11-01

产品speci fi cation

2SA1182

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

单位：mm

+0.1

2.4

-0.1

特点

SOT- 23封装

+0.1

1.3

-0.1

+0.1

0.95

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

0.55

0.4

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

0.97

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

-35

-30

-5

-500

-50

150

125

-55到+125

单位

电气特性TA = 25

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

集电极输出电容

跃迁频率

符号

CBO

EBO

Testconditons

= -35 V，I

= 0

= -5 V，I

= 0

= -1 V，I

= -100毫安

= -6 V，I

= -400毫安

CE （SAT）

= -100毫安，我

= -10毫安

= -1 V，I

= -100毫安

= -6 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

= -6 V，I

= -20毫安

-0.1

-0.8

200

-0.25

-1.0

兆赫

民

典型值

最大

-0.1

240

单位

分类

记号

秩

的hFE

70 140

120 240

+0.1

0.38

-0.1

0-0.1

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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产品speci fi cation

典型特征

2SA1182

图2集电极电流

图。 1集电极发射极电压

图3集电极电流

图4环境温度

图5基极发射极电压

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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