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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1111 2SA1112
描述
·采用TO- 220封装
·补键入2SC2591 / 2592
· h的线性度好
FE
●高V
首席执行官
应用
·对于音频频率，高功率
放大器的应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
参数
2SA1111
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SA1112
2SA1111
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SA1112
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
-180
-5
-1
-1.5
20
150
-55~150
V
A
A
W
发射极开路
-180
-150
V
条件
价值
-150
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2SA1111
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2SA1112
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
OB
f
T
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
I
E
= -10μA ，我
C
=0
I
C
= -0.5A ;我
B
=-50mA
I
C
= -0.5A ;我
B
=-50mA
V
CB
= -120V ;我
E
=0
V
EB
= -4V ;我
C
=0
I
C
= -150mA ; V
CE
=-10V
I
C
= -500mA ; V
CE
=-5V
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=1MHz
I
C
= 50毫安; V
CE
=-10V
I
C
= -0.1mA ，我
B
=0
条件
2SA1111 2SA1112
符号
民
-150
典型值。
最大
单位
V
-180
-5
-0.5
-1.0
-2.0
-2.0
-1
-1
65
50
30
200
pF
兆赫
330
V
V
V
A
A
h
FE-1
分类
P
65-110
Q
90-155
R
130-220
S
185-330
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1111 2SA1112
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1111 2SA1112
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1111 2SA1112
描述
·带
的TO-220封装
.Complement
键入2SC2591 / 2592
良好
h的线性度
FE
高
V
首席执行官
应用
For
音频频率，高功率
放大器的应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
2SA1111
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SA1112
2SA1111
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SA1112
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
-180
-5
-1
-1.5
20
150
-55~150
V
A
A
W
℃
℃
发射极开路
-180
-150
V
条件
价值
-150
V
单位
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
2SA1111 2SA1112
民
典型值。
最大
单位
2SA1111
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2SA1112
I
C
= -0.1mA ，我
B
=0
B
-150
V
-180
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= -10μA ，我
C
=0
-5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -0.5A ;我
B
=-50mA
-0.5
-2.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= -0.5A ;我
B
=-50mA
-1.0
-2.0
V
μA
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -120V ;我
E
=0
-1
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -4V ;我
C
=0
-1
h
FE-1
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -150mA ; V
CE
=-10V
I
C
= -500mA ; V
CE
=-5V
65
330
直流电流增益
50
C
OB
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=1MHz
30
pF
f
T
跃迁频率
I
C
= 50毫安; V
CE
=-10V
200
兆赫
h
FE-1
分类
P
65-110
Q
90-155
R
130-220
S
185-330
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1111 2SA1112
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1111 2SA1112
4
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1111 2SA1112
描述
·带
的TO-220封装
.Complement
键入2SC2591 / 2592
良好
h的线性度
FE
高
V
首席执行官
应用
For
音频频率，高功率
放大器的应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
2SA1111
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SA1112
2SA1111
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SA1112
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
-180
-5
-1
-1.5
20
150
-55~150
V
A
A
W
℃
℃
发射极开路
-180
-150
V
条件
价值
-150
V
单位
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
2SA1111 2SA1112
民
典型值。
最大
单位
2SA1111
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2SA1112
I
C
= -0.1mA ，我
B
=0
-150
V
-180
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= -10μA ，我
C
=0
-5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -0.5A ;我
B
=-50mA
-0.5
-2.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= -0.5A ;我
B
=-50mA
-1.0
-2.0
V
μA
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -120V ;我
E
=0
-1
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -4V ;我
C
=0
-1
h
FE-1
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -150mA ; V
CE
=-10V
I
C
= -500mA ; V
CE
=-5V
65
330
直流电流增益
50
C
OB
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=1MHz
30
pF
f
T
跃迁频率
I
C
= 50毫安; V
CE
=-10V
200
兆赫
h
FE-1
分类
P
65-110
Q
90-155
R
130-220
S
185-330
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1111 2SA1112
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1111 2SA1112
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2N2907AQ-LCC20
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2093
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