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JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1106
描述
·带
TO- 3PN封装
高
频率
高
功耗
应用
·音频
电源放大器的应用
·直流 - 直流
转换器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-200
-140
-6
-10
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SA1106
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -25mA ;我
B
=0
-140
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -5A ;我
B
=-0.5A
-1.5
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= -5A ;我
B
=-0.5A
-1.8
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -140V ;我
E
=0
-100
μA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -6V ;我
C
=0
-100
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= -5A ; V
CE
=4V
50
180
f
T
跃迁频率
I
E
= 1A ; V
CE
=-12V
20
兆赫
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1106
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1106
描述
·带
TO- 3PN封装
高
频率
.Complement
键入2SC2581
应用
·音频
电源放大器的应用
·直流 - 直流
转换器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
条件
价值
-140
-140
-6
-10
-4
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
集电极开路
P
C
T
j
T
英镑
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SA1106
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -25mA ;我
B
=0
-140
V
V
CE（ SAT （
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -5A ;我
B
=-0.5A
-2.0
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -140V ;我
E
=0
-100
μA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -6V ;我
C
=0
-100
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= -3A ; V
CE
=4V
30
f
T
跃迁频率
I
E
= 0.5A ; V
CE
=-12V
20
兆赫
开关时间
t
r
上升时间
I
C
=-5A;R
L
=12Ω
I
B1
=- I
B2
=-0.5A
V
CC
=60V
0.3
μs
t
s
贮存时间
0.9
μs
t
f
下降时间
0.2
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1106
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
2SA1106
音频功率放大器
直流到直流转换器
PNP
平面硅晶体管
SC-65
!
!
!
高电流能力
高功率耗散
补充2SC2581
绝对最大额定值（T
a
=25°C)
C
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
TSTG
等级
-200
-140
-6
-10
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
电气特性（Ta = 25℃）
C
Characterristic
集电极基极击穿电压
集电极发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
*直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
VCE （ SAT ）
测试条件
IC = -5毫安IE = 0
IC = -10毫安
RBE =
IE = -5mA IC = 0
VCB = -100V IE = 0
VEB = -4V IC = 0
VCE = -5V IC = -1A
VCE = -5V IC = -5A
IC = -5A IB = -0.5A
民
-200
-140
-6
典型值
最大
单位
V
V
V
mA
mA
55
50
-0.1
-0.1
160
-2.0
V
永诚电脑配件有限公司， （香港）有限公司。
主页：
http://www.wingshing.com
联系电话： （ 852 ） 2341 9276传真： （ 852 ） 2797 8153
电子信箱： wsccltd@hkstar.com
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1106
描述
·采用TO- 3PN封装
=高频
·高功耗
应用
·音频功率放大器的应用
· DC-DC转换
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-200
-140
-6
-10
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
民
2SA1106
符号
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -25mA ;我
B
=0
-140
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -5A ;我
B
=-0.5A
-1.5
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= -5A ;我
B
=-0.5A
-1.8
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -140V ;我
E
=0
-100
A
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -6V ;我
C
=0
-100
A
h
FE
直流电流增益
I
C
= -5A ; V
CE
=4V
50
180
f
T
跃迁频率
I
E
= 1A ; V
CE
=-12V
20
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1106
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
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277LMH250M2BC
2SC1358
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295S320R103B32
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2450DP15B5512
2SA1403
20020004-D041B01LF
2SC4559
250USG270M22X25
22-28-3268
2NT1-72
2SA1858P
2SC4222M
22-100-230
256616
2SK3581-01S
28F200BV-T
2SD1907Q
25LC040XT-E/SN
供货商
型号
厂家
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数量
封装
单价/备注
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    深圳市壹芯创科技有限公司
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    2SA1106
    -
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