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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1079
描述
·采用TO- 220封装
·高转换频率
·卓越的安全工作区
应用
·高频功率放大器
·音频功率放大器和驱动程序
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-160
-160
-5
-2
25
150
-65~150
单位
V
V
V
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= -1mA ，R
BE
=8
I
C
= -1μA ，我
E
=0
I
E
= -1μA ，我
C
=0
I
C
= -0.7A ;我
B
=-70mA
I
C
= -0.7A ; V
CE
=-5V
V
CB
= -160V ;我
E
=0
V
CE
= -160V ;我
B
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -0.3A ; V
CE
=-5V
I
C
= -0.7A ; V
CE
=-5V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-10V;f=10MHz
I
E
=0 ; V
CB
=-20V;f=1MHz
100
50
民
-160
-160
-5
2SA1079
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
典型值。
最大
单位
V
V
V
-0.45
-0.8
-1.0
-1.7
-1
-100
-1
350
V
V
A
A
A
120
100
兆赫
pF
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1079
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1079
描述
·带
的TO-220封装
高
跃迁频率
优秀
安全工作区
应用
·高频
功率放大器
·音频
功率放大器和驱动程序
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-160
-160
-5
-2
25
150
-65~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= -1mA ，R
BE
=∞
I
C
= -1μA ，我
E
=0
I
E
= -1μA ，我
C
=0
I
C
= -0.7A ;我
B
=-70mA
I
C
= -0.7A ; V
CE
=-5V
V
CB
= -160V ;我
E
=0
V
CE
= -160V ;我
B
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -0.3A ; V
CE
=-5V
I
C
= -0.7A ; V
CE
=-5V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-10V;f=10MHz
I
E
=0 ; V
CB
=-20V;f=1MHz
100
50
120
100
民
-160
-160
-5
-0.45
-0.8
典型值。
2SA1079
最大
单位
V
V
V
-1.0
-1.7
-1
-100
-1
350
V
V
μA
μA
μA
兆赫
pF
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1079
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1079
描述
·带
的TO-220封装
高
跃迁频率
优秀
安全工作区
应用
·高频
功率放大器
·音频
功率放大器和驱动程序
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-160
-160
-5
-2
25
150
-65~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= -1mA ，R
BE
=∞
I
C
= -1μA ，我
E
=0
I
E
= -1μA ，我
C
=0
I
C
= -0.7A ;我
B
=-70mA
I
C
= -0.7A ; V
CE
=-5V
V
CB
= -160V ;我
E
=0
V
CE
= -160V ;我
B
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -0.3A ; V
CE
=-5V
I
C
= -0.7A ; V
CE
=-5V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-10V;f=10MHz
I
E
=0 ; V
CB
=-20V;f=1MHz
100
50
120
100
民
-160
-160
-5
-0.45
-0.8
典型值。
2SA1079
最大
单位
V
V
V
-1.0
-1.7
-1
-100
-1
350
V
V
μA
μA
μA
兆赫
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1079
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
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