【产品speci fi cationwww.jmnic.com硅PNP功率晶体管2SA1075 2SA】,IC型号2SA1075,2SA1075 PDF资料,2SA1075经销商,ic,电子元器件-51电子网

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产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅PNP功率晶体管

2SA1075 2SA1076

描述

·带

MT- 200封装

.Complement

键入2SC2525,2SC2526

·快速

开关速度

优秀

安全工作区

应用

高

频功率放大器

·音频

功率放大器

切换

稳压器

·直流 - 直流

转换器

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

Fig.1简化外形（ MT- 200 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

参数

2SA1075

V

CBO

集电极 - 基极电压

2SA1076

2SA1075

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2SA1076

V

EBO

I

C

P

C

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

-160

-7

-12

120

150

-65~150

V

V

A

W

℃

℃

发射极开路

-160

-120

V

V

条件

价值

-120

单位

V

JMnic

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

集电极 - 发射极

击穿电压

2SA1075

I

C

= -1mA ; R

BE

=∞

2SA1076

2SA1075

I

C

= -50μA ;我

E

=0

2SA1076

I

E

= -50μA ;我

C

=0

I

C

=-5A;I

B

=-0.5A

I

C

=-5A;V

CE

=-5V

2SA1075

I

CBO

集电极截止电流

2SA1076

2SA1075

I

首席执行官

集电极截止电流

2SA1076

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

C

ob

f

T

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

输出电容

跃迁频率

V

CE

= -160V ;我

B

=0

V

EB

= -7V ;我

C

=0

I

C

= -1A ; V

CE

=-5V

I

C

= -7A ; V

CE

=-5V

I

E

=0 ; V

CB

=-10V

I

C

= -1A ; V

CE

=-10V

V

CB

= -160V ;我

E

=0

V

CE

= -120V ;我

B

=0

V

CB

= -120V ;我

E

=0

条件

2SA1075 2SA1076

民

-120

典型值。

最大

单位

V

（ BR ） CEO

V

-160

-120

V

-160

-7

-1.8

-1.7

V

V

V

V

（ BR ） CBO

集电极 - 基

击穿电压

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BE

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

-50

μA

-1

mA

-50

60

40

300

45

200

μA

pF

兆赫

开关时间

t

r

t

s

t

f

上升时间

贮存时间

下降时间

I

C

= - 7.5A ; R

L

=4Ω

I

B1

=- I

B2

=-0.75A

-0.15

-0.50

-0.11

μs

μs

μs

JMnic

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SA1075 2SA1076

图2外形尺寸

JMnic

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2SA1075 2SA1076

描述

·采用MT- 200封装

·补键入2SC2525,2SC2526

·快速开关速度

·卓越的安全工作区

应用

·高频功率放大器

·音频功率放大器

开关稳压器

· DC-DC转换

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

Fig.1简化外形（ MT- 200 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

参数

2SA1075

V

CBO

集电极 - 基极电压

2SA1076

2SA1075

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2SA1076

V

EBO

I

C

P

C

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

T

C

=25

集电极开路

开基

-160

-7

-12

120

150

-65~150

V

V

A

W

发射极开路

-160

-120

V

V

条件

价值

-120

单位

V

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极

击穿电压

2SA1075

I

C

= -1mA ; R

BE

？＆ LT ;

2SA1076

2SA1075

I

C

= -50μA ;我

E

=0

2SA1076

I

E

= -50μA ;我

C

=0

I

C

=-5A;I

B

=-0.5A

I

C

=-5A;V

CE

=-5V

2SA1075

I

CBO

集电极截止电流

2SA1076

2SA1075

I

首席执行官

集电极截止电流

2SA1076

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

C

ob

f

T

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

输出电容

跃迁频率

V

CE

= -160V ;我

B

=0

V

EB

= -7V ;我

C

=0

I

C

= -1A ; V

CE

=-5V

I

C

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CE

=-5V

I

E

=0 ; V

CB

=-10V

I

C

= -1A ; V

CE

=-10V

V

CB

= -160V ;我

E

=0

V

CE

= -120V ;我

B

=0

V

CB

= -120V ;我

E

=0

条件

符号

2SA1075 2SA1076

民

-120

典型值。

最大

单位

V

（ BR ） CEO

V

-160

-120

V

-160

-7

-1.8

-1.7

V

V

V

V

（ BR ） CBO

集电极 - 基

击穿电压

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BE

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

-50

A

-1

mA

-50

60

40

300

60

200

A

pF

兆赫

开关时间

t

r

t

s

t

f

上升时间

贮存时间

下降时间

I

C

=-7.5A;R

L

=4C

I

B1

=-I

B2

=-0.75A

0.15

0.50

0.11

s

s

s

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SA1075 2SA1076

图2外形尺寸

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2SA1075 2SA1076

描述

·带

MT- 200封装

.Complement

键入2SC2525,2SC2526

·快速

开关速度

优秀

安全工作区

应用

高

频功率放大器

·音频

功率放大器

切换

稳压器

·直流 - 直流

转换器

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

Fig.1简化外形（ MT- 200 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

参数

2SA1075

V

CBO

集电极 - 基极电压

2SA1076

2SA1075

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2SA1076

V

EBO

I

C

P

C

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

-160

-7

-12

120

150

-65~150

V

V

A

W

℃

℃

发射极开路

-160

-120

V

V

条件

价值

-120

单位

V

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2SA1075

I

C

= -1mA ; R

BE

=∞

2SA1076

2SA1075

I

C

= -50μA ;我

E

=0

2SA1076

I

E

= -50μA ;我

C

=0

I

C

=-5A;I

B

=-0.5A

I

C

=-5A;V

CE

=-5V

2SA1075

I

CBO

集电极截止电流

2SA1076

2SA1075

I

首席执行官

集电极截止电流

2SA1076

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

C

ob

f

T

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

输出电容

跃迁频率

V

CE

= -160V ;我

B

=0

V

EB

= -7V ;我

C

=0

I

C

= -1A ; V

CE

=-5V

I

C

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CE

=-5V

I

E

=0 ; V

CB

=-10V

I

C

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CE

=-10V

V

CB

= -160V ;我

E

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V

CE

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B

=0

V

CB

= -120V ;我

E

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条件

2SA1075 2SA1076

民

-120

典型值。

最大

单位

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

V

-160

-120

V

-160

-7

-1.8

-1.7

V

V

V

V

（ BR ） CBO

集电极 - 基

击穿电压

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BE

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

-50

μA

-1

mA

-50

60

40

300

60

200

μA

pF

兆赫

开关时间

t

r

t

s

t

f

上升时间

贮存时间

下降时间

I

C

=-7.5A;R

L

=4Ω

I

B1

=-I

B2

=-0.75A

0.15

0.50

0.11

μs

μs

μs

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SA1075 2SA1076

图2外形尺寸

3

产品speci fi cation

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硅PNP功率晶体管

2SA1075 2SA1076

描述

·带

MT- 200封装

.Complement

键入2SC2525,2SC2526

·快速

开关速度

优秀

安全工作区

应用

高

频功率放大器

·音频

功率放大器

切换

稳压器

·直流 - 直流

转换器

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

Fig.1简化外形（ MT- 200 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

参数

2SA1075

V

CBO

集电极 - 基极电压

2SA1076

2SA1075

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2SA1076

V

EBO

I

C

P

C

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

-160

-7

-12

120

150

-65~150

V

V

A

W

℃

℃

发射极开路

-160

-120

V

V

条件

价值

-120

单位

V

JMnic

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硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

集电极 - 发射极

击穿电压

2SA1075

I

C

= -1mA ; R

BE

=∞

2SA1076

2SA1075

I

C

= -50μA ;我

E

=0

2SA1076

I

E

= -50μA ;我

C

=0

I

C

=-5A;I

B

=-0.5A

I

C

=-5A;V

CE

=-5V

2SA1075

I

CBO

集电极截止电流

2SA1076

2SA1075

I

首席执行官

集电极截止电流

2SA1076

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

C

ob

f

T

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

输出电容

跃迁频率

V

CE

= -160V ;我

B

=0

V

EB

= -7V ;我

C

=0

I

C

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CE

=-5V

I

C

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CE

=-5V

I

E

=0 ; V

CB

=-10V

I

C

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CE

=-10V

V

CB

= -160V ;我

E

=0

V

CE

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B

=0

V

CB

= -120V ;我

E

=0

条件

2SA1075 2SA1076

民

-120

典型值。

最大

单位

V

（ BR ） CEO

V

-160

-120

V

-160

-7

-1.8

-1.7

V

V

V

V

（ BR ） CBO

集电极 - 基

击穿电压

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BE

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

-50

μA

-1

mA

-50

60

40

300

45

200

μA

pF

兆赫

开关时间

t

r

t

s

t

f

上升时间

贮存时间

下降时间

I

C

= - 7.5A ; R

L

=4Ω

I

B1

=- I

B2

=-0.75A

-0.15

-0.50

-0.11

μs

μs

μs

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硅PNP功率晶体管

包装外形

2SA1075 2SA1076

图2外形尺寸

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硅PNP功率晶体管

2SA1075 2SA1076

描述

·带

MT- 200封装

.Complement

键入2SC2525,2SC2526

·快速

开关速度

优秀

安全工作区

应用

高

频功率放大器

·音频

功率放大器

切换

稳压器

·直流 - 直流

转换器

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

Fig.1简化外形（ MT- 200 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

参数

2SA1075

V

CBO

集电极 - 基极电压

2SA1076

2SA1075

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2SA1076

V

EBO

I

C

P

C

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

-160

-7

-12

120

150

-65~150

V

V

A

W

℃

℃

发射极开路

-160

-120

V

V

条件

价值

-120

单位

V

JMnic

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硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

集电极 - 发射极

击穿电压

2SA1075

I

C

= -1mA ; R

BE

=∞

2SA1076

2SA1075

I

C

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E

=0

2SA1076

I

E

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I

C

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B

=-0.5A

I

C

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CE

=-5V

2SA1075

I

CBO

集电极截止电流

2SA1076

2SA1075

I

首席执行官

集电极截止电流

2SA1076

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

C

ob

f

T

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

输出电容

跃迁频率

V

CE

= -160V ;我

B

=0

V

EB

= -7V ;我

C

=0

I

C

= -1A ; V

CE

=-5V

I

C

= -7A ; V

CE

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I

E

=0 ; V

CB

=-10V

I

C

= -1A ; V

CE

=-10V

V

CB

= -160V ;我

E

=0

V

CE

= -120V ;我

B

=0

V

CB

= -120V ;我

E

=0

条件

2SA1075 2SA1076

民

-120

典型值。

最大

单位

V

（ BR ） CEO

V

-160

-120

V

-160

-7

-1.8

-1.7

V

V

V

V

（ BR ） CBO

集电极 - 基

击穿电压

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BE

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

-50

μA

-1

mA

-50

60

40

300

45

200

μA

pF

兆赫

开关时间

t

r

t

s

t

f

上升时间

贮存时间

下降时间

I

C

= - 7.5A ; R

L

=4Ω

I

B1

=- I

B2

=-0.75A

-0.15

-0.50

-0.11

μs

μs

μs

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