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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1062
·
描述
与TO- 3PN封装
·补键入2SC2486
·高集电极耗散功率
应用
·高功率音频放大器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（ TA = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-120
-120
-5
-7
-12
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -10mA ;我
B
=0
I
C
= -5A ，我
B
=-0.5A
I
C
=-5A;V
CE
=-5V
V
CB
= -120V ;我
E
=0
V
EB
= -3V ;我
C
=0
I
C
= -20mA ; V
CE
=-5V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -5A ; V
CE
=-5V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
20
40
20
民
-120
2SA1062
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
f
T
典型值。
最大
单位
V
-2.0
-1.8
-50
-50
V
V
A
A
200
20
兆赫
h
FE-2
分类
R
40-80
Q
60-120
P
100-200
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1062
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1062
描述
·带
TO- 3PN封装
.Complement
键入2SC2486
高
集电极耗散功率
应用
高
功率音频放大器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-120
-120
-5
-7
-12
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -10mA ;我
B
=0
I
C
= -5A ，我
B
=-0.5A
I
C
=-5A;V
CE
=-5V
V
CB
= -120V ;我
E
=0
V
EB
= -3V ;我
C
=0
I
C
= -20mA ; V
CE
=-5V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -5A ; V
CE
=-5V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
20
40
20
20
民
-120
2SA1062
典型值。
最大
单位
V
-2.0
-1.8
-50
-50
V
V
μA
μA
200
兆赫
h
FE-2
分类
R
40-80
Q
60-120
P
100-200
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1062
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1062
描述
·带
TO- 3PN封装
.Complement
键入2SC2486
高
集电极耗散功率
应用
高
功率音频放大器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-120
-120
-5
-7
-12
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -10mA ;我
B
=0
I
C
= -5A ，我
B
=-0.5A
B
2SA1062
民
-120
典型值。
最大
单位
V
-2.0
-1.8
-50
-50
20
40
20
20
200
V
V
μA
μA
I
C
=-5A;V
CE
=-5V
V
CB
= -120V ;我
E
=0
V
EB
= -3V ;我
C
=0
I
C
= -20mA ; V
CE
=-5V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -5A ; V
CE
=-5V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
兆赫
h
FE-2
分类
R
40-80
Q
60-120
P
100-200
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1062
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
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推荐型号
206-411LPP
2SD2486R
2SK1685
206-117LPP
2N6276
226KFM400MQU
2SA1715
22-26-9042
25LC320-E/ST
25LC320E/ST
24AA00T-IP
212X01S224FN1
239001H
2SC3467C
2SC3388
20046HS-06A00
226TMA063M
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2SK3518-01MR
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    2SA1062
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