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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第368页 > 2SA1052
2SA1052
PNP硅外延
REJ03G0634-0300
（上ADE- 208-1006A ）
Rev.3.00
Aug.10.2005
应用
低频放大器
概要
瑞萨封装代码： PLSP0003ZB -A
（包名称： MPAK ）
3
1
2
1.发射器
2.基
3.收集
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
发射极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
P
C
Tj
TSTG
评级
–30
–30
–5
–100
100
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
Rev.3.00 2005年8月10日第1页5
2SA1052
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号
集电极基极击穿电压
V
（ BR ） CBO
集电极到发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
发射极基极击穿电压
V
（ BR ） EBO
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
发射Cuto FF电流
I
EBO
直流电流传输比
h
FE
*
1
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
基地发射极电压
V
BE
注： 1， 2SA1052为h分组
FE
如下。
GRADE
C
D
标志
MC
MD
h
FE
160到320
250至500
民
–30
–30
–5
—
—
160
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
—
—
—
–0.5
–0.5
500
–0.2
–0.75
单位
V
V
V
A
A
V
V
测试条件
I
C
= –10
A,
I
E
= 0
I
C
= -1毫安，R
BE
=
∞
I
E
= –10
A,
I
C
= 0
V
CB
= -20 V，I
E
= 0
V
EB
= -2 V，I
C
= 0
V
CE
= -12 V，I
C
= -2毫安
I
C
= -10毫安，我
B
= -1毫安
V
CE
= -12 V，I
C
= -2毫安
Rev.3.00 2005年8月10日第2页5
2SA1052
主要特点
最大集电极耗散曲线
典型的输出特性（ 1）
–5
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
300
集电极电流I
C
（MA ）
–25
–4
–20
–3
–2
–15
–10
–5
A
I
B
= 0
200
100
–1
0
50
100
150
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
环境温度Ta （C ）
集电极发射极电压V
CE
(V)
典型的输出特性（ 2）
–5
–25
–5
典型的传输特性
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
–4
–20
–15
–4
V
CE
= –12 V
–2
–10
–5
A
I
B
= 0
–2
–1
–1
0
–5
–10
–15
–20
–25
0
–0.2
–0.4
–0.6
25
–0.8
–3
–3
TA = 75
°C
–1.0
集电极发射极电压V
CE
(V)
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
基极至发射极电压V
BE
(V)
增益带宽积主场迎战
集电极电流
400
V
CE
= –12 V
增益带宽乘积F
T
（兆赫）
500
500
V
CE
= –12 V
直流电流传输比H
FE
400
300
200
300
200
100
100
0
–0.01
–0.1
–1.0
–10
–100
0
–0.5
–1.0
–2
–5
–10
–20
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
Rev.3.00 2005年8月10日第3页5
2SA1052
集电极到发射极饱和
电压与集电极电流
–0.28
–0.24
–0.20
–0.16
–0.12
–0.08
–0.04
0
–1
–2
–5
–10
–20
–50 –100
T
7
a=
5
°
C
25
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
I
C
= 10 I
B
集电极电流I
C
（MA ）
Rev.3.00 2005年8月10日第4
2SA1052
包装尺寸
JEITA封装代码
SC-59A
瑞萨代码
PLSP0003ZB-A
包名称
MPAK （ T） / MPAK （T ）V ，
MPAK / MPAKV
质量[典型值]
0.011g
D
e
A
Q
c
E
H
E
L
L
1
A
3
L
P
参考
符号
尺寸以毫米为单位
A
A
X M传
A
b
e
A
2
A
A
1
S
b
b
1
c
b
2
A-A部分
e
1
c
1
I
1
终端位置的区域格局
A
A
1
A
2
A
3
b
b
1
c
c
1
D
E
e
H
E
L
L
1
L
P
x
b
2
e
1
I
1
Q
民
1.0
0
1.0
0.35
0.1
2.7
1.35
2.2
0.35
0.15
0.25
喃
1.1
0.25
0.42
0.4
0.13
0.11
1.5
0.95
2.8
最大
1.3
0.1
1.2
0.5
0.15
3.1
1.65
3.0
0.75
0.55
0.65
0.05
0.55
1.05
1.95
0.3
订购信息
部件名称
2SA1052MCTR-E
2SA1052MDTR-E
3000
QUANTITY
中海集装箱
φ
178毫米卷轴， 8毫米浮雕大坪
注：对于某些牌号，产量可能被终止。请联系瑞萨销售办事处，检查状态
订购产品之前生产。
Rev.3.00 2005年8月10日第5
SMD型
PNP硅外延
2SA1052
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
IC
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
低频放大器
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
+0.1
1.3
-0.1
特点
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
发射极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
P
C
Tj
T
英镑
等级
-30
-30
-5
-100
100
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
符号
Testconditons
民
-30
-30
-5
-0.5
-0.5
100
500
-0.2
-0.75
V
V
典型值
最大
单位
V
V
V
mA
mA
V
（ BR ） CBO
I
C
= -10 IA ，我
E
= 0
V
（ BR ） CEO
I
C
= -1毫安，R
BE
=
V
（ BR ） EBO
I
E
= -10 IA ，我
C
= 0
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CB
= -20 V，I
E
= 0
V
EB
= -2 V，I
C
= 0
V
CE
= -12 V，I
C
= -2毫安
V
CE （ SAT ）
I
C
= -10毫安，我
B
= -1毫安
V
BE
V
CE
= -12 V，I
C
= -2毫安
h
FE
分类
记号
的hFE
MB
100 200
MC
160 320
MD
250 500
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
2SA1052
PNP硅外延
应用
低频放大器
概要
MPAK
3
1
2
1.发射器
2.基
3.收集
2SA1052
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
发射极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
P
C
Tj
TSTG
评级
–30
–30
–5
–100
100
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
集电极基极击穿
电压
符号
V
（ BR ） CBO
民
–30
–30
–5
—
—
100
—
—
D
MD
250至500
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
—
—
—
–0.5
–0.5
500
–0.2
–0.75
V
V
单位
V
V
V
A
A
测试条件
I
C
= –10
A,
I
E
= 0
I
C
= -1毫安，R
BE
=
∞
I
E
= –10
A,
I
C
= 0
V
CB
= -20 V，I
E
= 0
V
EB
= -2 V，I
C
= 0
V
CE
= -12 V，I
C
= -2毫安
I
C
= -10毫安，我
B
= -1毫安
V
CE
= -12 V，I
C
= -2毫安
集电极到发射极击穿V
（ BR ） CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极电压
注意：
GRADE
标志
h
FE
B
MB
100至200
C
MC
160到320
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
*
1
V
CE （ SAT ）
V
BE
1. 2SA1052用h分组
FE
如下。
见2SA1031的特性曲线。
2
2SA1052
最大集电极耗散曲线
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
150
100
50
0
100
150
50
环境温度Ta （C ）
3
单位：mm
0.65
0.10
3 – 0.4
+ 0.05
–
0.16
– 0.06
+ 0.10
1.5
±
0.15
+ 0.2
– 0.6
0 – 0.1
0.95
0.95
1.9
±
0.2
2.95
±
0.2
0.3
0.65
1.1
– 0.1
+ 0.2
2.8
日立代码
JEDEC
EIAJ
重量（参考值）
MPAK
—
符合
0.011 g
注意事项
1.日立公司并不保证或日立或任何权利，任何第三方的专利授权许可，
本文档中包含的信息，版权，商标或其他知识产权。
日立公司承担着可能出现的第三方的权利问题，包括不承担任何责任
知识产权与使用本文档中包含的信息连接。
2.产品和产品规格可能会随时更改，恕不另行通知。确认您拥有
收到最终的设计，购买或使用前的最新产品标准或规范。
3.日立一切努力，以确保其产品的高品质和可靠性。不过，
使用该产品，要求特别高的应用程序之前，请联系日立的销售办事处
质量和可靠性或者它的失效或故障可能直接威胁人的生命或造成危险
人身伤害，如航天，航空，核电，燃烧控制，运输，
交通，安全设备，或用于生命支持医疗器械。
4.设计你的应用程序，使产品由日立公司保证范围内使用特别
对于最大额定值，工作电源电压范围，热辐射等特性，安装
条件和其他特征。日立负有故障或损坏不承担任何责任使用时
超越了保障范围。即使在保障范围内，考虑通常预期
失败率或半导体器件的失效模式，并采用系统性的措施，如故障 -
保险柜，使结合日立产品的设备不会造成人身伤害，火灾或其它
间接损失是由于日立产品的操作。
5，本产品不设计成抗辐射。
6.没有一种是允许复制或重复的，任何形式的，该文献的全部或部分，而不
书面批准日立。
7.联系方式日立的销售办事处对本文档或Hitachi半导体任何问题
产品。
株式会社日立制作所
半导体&集成电路。
立邦大厦， 2-6-2 ， Ohte酒店町，千代田区，东京100-0004 ，日本
联系电话：东京（ 03 ） 3270-2111传真： （ 03 ） 3270-5109
网址
北美洲
： HTTP ： semiconductor.hitachi.com/
欧洲
： http://www.hitachi-eu.com/hel/ecg
亚洲（新加坡）
： http://www.has.hitachi.com.sg/grp3/sicd/index.htm
亚洲（台湾）
： http://www.hitachi.com.tw/E/Product/SICD_Frame.htm
亚洲（香港） ： http://www.hitachi.com.hk/eng/bo/grp3/index.htm
日本
： http://www.hitachi.co.jp/Sicd/indx.htm
欲了解更多信息，写信至：
日立半导体
（美国）有限公司
179东塔斯曼驱动器，
圣何塞， CA 95134
联系电话： <1> （ 408 ） 433-1990
传真： <1> （ 408 ） 433-0223
日立欧洲公司
电子元件组
Dornacher大街3
D- 85622克恩，慕尼黑
德国
联系电话： <49> （ 89 ） 9 9180-0
传真： <49> （ 89 ） 9 29 30 00
日立欧洲公司
电子元件组。
Whitebrook公园
较低的Cookham路
梅登黑德
伯克希尔SL6 8YA ，英国
联系电话： <44> （ 1628 ） 585000
传真： <44> （ 1628 ） 778322
日立（亚洲） 。有限公司
16哥烈码头20-00 ＃
日立塔
新加坡049318
联系电话： 535-2100
传真： 535-1533
日立亚洲有限公司
台北分公司
3F ，洪郭建设。 167号，
敦华北路，台北（ 105 ）
联系电话： <886> （ 2 ） 2718-3666
传真： <886> （ 2 ） 2718-8180
日立亚洲（香港）有限公司
第三组（电子元器件）
7 / F。 ，北塔，世界金融中心，
海港城，广东道，尖沙咀，
香港九龙
联系电话： <852> （ 2 ） 735 9218
传真： <852> （ 2 ） 730 0281
电传： 40815国际展贸中心HX
版权所有“日立制作所， 1999年保留所有权利。日本印刷。
产品speci fi cation
2SA1052
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
低频放大器
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
+0.1
1.3
-0.1
特点
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
发射极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
P
C
Tj
T
英镑
等级
-30
-30
-5
-100
100
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
符号
Testconditons
民
-30
-30
-5
-0.5
-0.5
100
500
-0.2
-0.75
V
V
典型值
最大
单位
V
V
V
mA
mA
V
（ BR ） CBO
I
C
= -10 IA ，我
E
= 0
V
（ BR ） CEO
I
C
= -1毫安，R
BE
=
V
（ BR ） EBO
I
E
= -10 IA ，我
C
= 0
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CB
= -20 V，I
E
= 0
V
EB
= -2 V，I
C
= 0
V
CE
= -12 V，I
C
= -2毫安
V
CE （ SAT ）
I
C
= -10毫安，我
B
= -1毫安
V
BE
V
CE
= -12 V，I
C
= -2毫安
h
FE
分类
记号
的hFE
MB
100 200
MC
160 320
MD
250 500
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1
查看更多2SA1052PDF信息
推荐型号
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2030.0544
20DKD10
24B1212
2SB544G
2SK2283
2SK2652
20020110-H161A01LF
2082-4382-07N
202D148X0015A3
296UC501A3B
206-425P
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28C011TRT1FI
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2SJ196
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型号
厂家
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SA1052
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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深圳市银芯龙科技有限公司
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电话：13510131896
联系人：欧阳
地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
2SA1052
RENESAS
15+
99000
SC59A
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电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
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电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SA1052
HITACHI
2024
20918
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