2SA1048
东芝三极管
PNP硅外延型（厘过程）
2SA1048
音频放大器应用
小型封装
高电压： V
首席执行官
=
50
V（分钟）
高
FE ：
h
FE
= 70~400
优秀
FE
线性：H
FE
(I
C
=
0.1
毫安） /小时
FE
(I
C
=
2
毫安） = 0.95 （典型值）。
低噪声（典型值） NF = 1分贝， 10分贝（最大值）
补充2SC2458
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
50
5
150
50
200
125
55~125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-4E1A
重量：0.21克（典型值）。
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
温度/电流/电压和温度的显著变化，
等）可能会导致本产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
电气特性
（大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
（注）
V
CE （SAT）
f
T
C
ob
NF
测试条件
V
CB
= 50
V，I
E
=
0
V
EB
= 5
V，I
C
=
0
V
CE
= 6
V，I
C
= 2
mA
I
C
= 100
妈，我
B
= 10
mA
V
CE
= 10
V，I
C
= 1
mA
V
CB
= 10
V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
V
CE
= 6
V，I
C
= 0.1
毫安，女
=
1千赫，
R
G
=
10 kΩ
民
70
80
典型值。
0.1
4
1.0
最大
0.1
0.1
400
0.3
7
10
V
兆赫
pF
dB
单位
μA
μA
注：H
FE
分类○： 70 140 ， Y： 120 240 ， GR ： 200 400
1
2007-11-01
2SA1048
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中
制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
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东芝或第三方。
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兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
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3
2007-11-01
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