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2SA1036K
晶体管
中功率晶体管
2SA1036K
特点
1 )大我
C
.
I
CMAX 。
= -500mA
2 )低V
CE (SAT) 。
非常适用于低电压
操作。
3 )补充了2SC2411K 。
外形尺寸
(单位:毫米)
2SA1036K
2.9
±
0.2
1.9
±
0.2
0.95 0.95
(1)
(2)
±
1.1 +0.2
-0.1
0.8
±
0.1
1.6 +0.2
-0.1
2.8
±
0.2
0~0.1
结构
外延平面型
PNP硅晶体管
(3)
0.4 +0.1
-0.05
所有的终端都
相同的尺寸
0.15 +0.1
-0.06
ROHM : SMT3
EIAJ : SC- 59
(1 )发光体
(2)相应的
( 3 )集电极
缩写符号:H
指H
FE
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
40
32
5
0.5
0.2
150
55
+150
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
P
C最大值。
不得超出。
0.3~0.6
Rev.A的
1/3
2SA1036K
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极电流OUTOFF
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
COB
分钟。
40
32
5
82
典型值。
200
7
马克斯。
1
1
0.6
390
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=
1mA
I
E
=
100A
V
CB
=
20V
V
EB
=
4V
I
C
/I
B
=
300mA/30mA
V
CE
=
3V,
I
C
=
100mA
V
CE
=
5V,
I
E
= 20mA时, F = 100MHz的
V
CB
=
10V,
I
E
= 0A , F = 1MHz的
条件
I
C
=
100A
包装规格
CODE
TYPE
2SA1036K
h
FE
PQR
基本订购单位(件)
TAPING
T146
3000
h
FE
值进行分类如下。
h
FE
P
82至180
Q
120至270
R
180 390
电气特性曲线
-500
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
-200
TA = 100℃
25 C
-100
-55 C
-50
-20
-10
-5
-2
-1
-0.5
-1mA
-0.8mA
-0.7mA
-0.6mA
集电极电流:我
C
(MA )
V
CE
=-3
V
-100
TA = 25℃
-0.9mA
-500
TA = 25℃
-5.0mA
-4.5mA
-4.0mA
-3.5mA
-3.0mA
-2.5mA
-2.0mA
-1.5mA
-1.0mA
-80
-400
-60
-0.5mA
-0.4mA
-300
-40
-0.3mA
-0.2mA
-0.1mA
-200
-20
-100
-0.5mA
-0.2
-0.1
0 -0.2
-0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -1.6 -1.8 -2.0 -2.2
0
I
B
=0A
0
-1
-2
-3
-4
-5
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
0
I
B
=0A
0
-5
-10
基地发射极电压: V
BE
(V)
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
图1发射极接地传播史
图2接地发射极输出
特性(
Ι
)
图3地面发射极输出
特性(
ΙΙ
)
Rev.A的
2/3
2SA1036K
晶体管
TA = 25℃
1000
V
CE
=-
3V
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(V)
1000
Ta
=
25 C
直流电流增益:H
FE
500
V
CE
=-5V
-3V
-1V
200
直流电流增益:H
FE
500
-1
-0.5
Ta
=
100 C
200
25 C
100
100
-
55 C
-0.2
-0.1
-0.05
I
C
/I
B
=
50
20
10
50
50
20
-1
-2
-5 -10 -20
-50 -100 -200 -500 -1000
20
-1
-2
-5 -10 -20
-50 -100 -200 -500 -1000
-0.02
-1 -2
-5 -10 -20
-50 -100 -200 -500
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
图4直流电流增益与
集电极电流(
Ι
)
图5直流电流增益与
集电极电流(
ΙΙ
)
图6集电极发射极饱和
电压与集电极电流(
Ι
)
-1.0
-0.5
集电极饱和
电压: V
CE ( SAT )
(V)
跃迁频率:F
T
(兆赫)
l
C
/l
B
=
10
Ta
=
25 C
V
CE
=-
5V
1000
500
集电极输出电容:玉米棒
(PF )
发射极输入电容: CIB
(PF )
100
50
-0.3
-0.2
-0.1
Ta
=
25 C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
I
C
=
0A
Ta
=
100 C
25 C
-0.05
-55 C
200
100
50
0.5
1
2
5
10
20
50
20
10
5
2
-0.5
-0.03
-0.02
-0.01
-1
-2
-5
-10 -20
-50 -100 -200 -500 -1000
-1
-2
-5
-10
-20
-50
集电极电流:我
C
(MA )
发射极电流:我
E
(MA )
图7集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流(
ΙΙ
)
图8的增益带宽积主场迎战
发射极电流
集电极 - 基极电压: V
CB
(V)
发射极 - 基极电压: V
EB
(V)
图9 Collectur输出电容与
集电极 - 基极电压。发射器输入
电容与发射极 - 基电压
Rev.A的
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
2SA1036K
晶体管
中功率晶体管
2SA1036K
特点
1 )大我
C
.
I
CMAX 。
= -500mA
2 )低V
CE (SAT) 。
非常适用于低电压
操作。
3 )补充了2SC2411K 。
外形尺寸
(单位:毫米)
2SA1036K
2.9
±
0.2
1.9
±
0.2
0.95 0.95
(1)
(2)
±
1.1 +0.2
-0.1
0.8
±
0.1
1.6 +0.2
-0.1
2.8
±
0.2
0~0.1
结构
外延平面型
PNP硅晶体管
(3)
0.4 +0.1
-0.05
所有的终端都
相同的尺寸
0.15 +0.1
-0.06
ROHM : SMT3
EIAJ : SC- 59
(1 )发光体
(2)相应的
( 3 )集电极
缩写符号:H
指H
FE
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
40
32
5
0.5
0.2
150
55
+150
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
P
C最大值。
不得超出。
0.3~0.6
Rev.A的
1/3
2SA1036K
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极电流OUTOFF
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
COB
分钟。
40
32
5
82
典型值。
200
7
马克斯。
1
1
0.6
390
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=
1mA
I
E
=
100A
V
CB
=
20V
V
EB
=
4V
I
C
/I
B
=
300mA/30mA
V
CE
=
3V,
I
C
=
100mA
V
CE
=
5V,
I
E
= 20mA时, F = 100MHz的
V
CB
=
10V,
I
E
= 0A , F = 1MHz的
条件
I
C
=
100A
包装规格
CODE
TYPE
2SA1036K
h
FE
PQR
基本订购单位(件)
TAPING
T146
3000
h
FE
值进行分类如下。
h
FE
P
82至180
Q
120至270
R
180 390
电气特性曲线
-500
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
-200
TA = 100℃
25 C
-100
-55 C
-50
-20
-10
-5
-2
-1
-0.5
-1mA
-0.8mA
-0.7mA
-0.6mA
集电极电流:我
C
(MA )
V
CE
=-3
V
-100
TA = 25℃
-0.9mA
-500
TA = 25℃
-5.0mA
-4.5mA
-4.0mA
-3.5mA
-3.0mA
-2.5mA
-2.0mA
-1.5mA
-1.0mA
-80
-400
-60
-0.5mA
-0.4mA
-300
-40
-0.3mA
-0.2mA
-0.1mA
-200
-20
-100
-0.5mA
-0.2
-0.1
0 -0.2
-0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -1.6 -1.8 -2.0 -2.2
0
I
B
=0A
0
-1
-2
-3
-4
-5
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
0
I
B
=0A
0
-5
-10
基地发射极电压: V
BE
(V)
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
图1发射极接地传播史
图2接地发射极输出
特性(
Ι
)
图3地面发射极输出
特性(
ΙΙ
)
Rev.A的
2/3
2SA1036K
晶体管
TA = 25℃
1000
V
CE
=-
3V
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(V)
1000
Ta
=
25 C
直流电流增益:H
FE
500
V
CE
=-5V
-3V
-1V
200
直流电流增益:H
FE
500
-1
-0.5
Ta
=
100 C
200
25 C
100
100
-
55 C
-0.2
-0.1
-0.05
I
C
/I
B
=
50
20
10
50
50
20
-1
-2
-5 -10 -20
-50 -100 -200 -500 -1000
20
-1
-2
-5 -10 -20
-50 -100 -200 -500 -1000
-0.02
-1 -2
-5 -10 -20
-50 -100 -200 -500
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
图4直流电流增益与
集电极电流(
Ι
)
图5直流电流增益与
集电极电流(
ΙΙ
)
图6集电极发射极饱和
电压与集电极电流(
Ι
)
-1.0
-0.5
集电极饱和
电压: V
CE ( SAT )
(V)
跃迁频率:F
T
(兆赫)
l
C
/l
B
=
10
Ta
=
25 C
V
CE
=-
5V
1000
500
集电极输出电容:玉米棒
(PF )
发射极输入电容: CIB
(PF )
100
50
-0.3
-0.2
-0.1
Ta
=
25 C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
I
C
=
0A
Ta
=
100 C
25 C
-0.05
-55 C
200
100
50
0.5
1
2
5
10
20
50
20
10
5
2
-0.5
-0.03
-0.02
-0.01
-1
-2
-5
-10 -20
-50 -100 -200 -500 -1000
-1
-2
-5
-10
-20
-50
集电极电流:我
C
(MA )
发射极电流:我
E
(MA )
图7集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流(
ΙΙ
)
图8的增益带宽积主场迎战
发射极电流
集电极 - 基极电压: V
CB
(V)
发射极 - 基极电压: V
EB
(V)
图9 Collectur输出电容与
集电极 - 基极电压。发射器输入
电容与发射极 - 基电压
Rev.A的
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    终端采购配单精选

    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:800888908 复制
    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

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    终端采购配单精选

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