晶体管
中功率晶体管
(*32V,
*0.5A)
2SA1036K / 2SA1577 / 2SA854S
FFeatures
1 ）大我
C
.
I
CMAX 。
=
*500mA
2 ）低V
CE （ SAT ）
。非常适用于低电压
操作。
3 ）补充了2SC2411K /
2SC1741S / 2SC4097 。
FStructure
外延平面型
PNP硅晶体管
FExternal
尺寸
（单位：毫米）
(96-86-B11)
204
晶体管
FAbsolute
最大额定值（Ta = 25_C ）
2SA1036K / 2SA1577 / 2SA854S
FElectrical
特性（Ta = 25_C ）
FPackaging
规格和h
FE
h
FE
值被分类如下。
205
晶体管
FElectrical
特性曲线
2SA1036K / 2SA1577 / 2SA854S
206
2SA1036K
PNP通用晶体管
P B
铅（Pb ） - 免费
1
2
3
SOT-23
最大额定值
(Ta=25°C)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗
T
A
=25°C
结温
储存温度
*P
D
最大。不得超出。
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
Tj
TSTG
价值
-32
-40
-5.0
-500
*
0.2
+150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
器件标识
2SA1036KP = HP ， 2SA1036KQ = HQ ， 2SA1036KR = HR
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
1/4
02-Mar-06
2SA1036K
电气特性
特征
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -1mA ，我
E
= 0A
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -100μA ，我
B
= 0A
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 100μA ，我
C
=0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= -20V ，我
C
= 0A
发射Cuto FF电流
V
EB
= -4V ，我
C
= 0A
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
民
-32
-40
典型值
-
-
最大
-
-
单位
V
V
-5.0
-
-
-
-
-
-
1.0
1.0
V
A
A
基本特征
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -100mA ，我
B
= -10mA
直流电流传输口粮
V
CE
= -3V ，我
C
= -10mA
V
CE （ SAT ）
-
-
-0.4
V
h
FE
82
-
390
V
小信号特性
过渡频
V
CE
= -5V ，我
E
= 20mA时， F = 100MHz的
输出电容
V
CB
= -10V ，我
E
= 0A ， F = 1.0MHz的
fT
COB
-
-
200
7
-
-
兆赫
pF
分类
FE
秩
范围
P
82-180
Q
120-270
R
180-390
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2/4
02-Mar-06
2SA1036K
电气特性曲线
-500
集电极电流：我
C
(
毫安）
集电极电流：我
C
(
毫安）
-1mA
-0.8mA
-0.7mA
-0.6mA
-0.5mA
-0.4mA
-0.3mA
-0.2mA
-0.1mA
集电极电流：我
C
(
毫安）
钽-200 = 100℃
25 C
-100
-55 C
-50
-20
-10
-5
-2
-1
-0.5
V
CE
=-3
V
-100
TA = 25℃
-0.9mA
-500
TA = 25℃
-5.0mA
-4.5mA
-4.0mA
-3.5mA
-3.0mA
-2.5mA
-2.0mA
-1.5mA
-1.0mA
-0.5mA
-80
-400
-60
-300
-40
-200
-20
-100
-0.2
-0.1
0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -1.6 -1.8 -2.0 -2.2
0
0
-1
-2
-3
-4
I
B
=0A
-5
0
I
B
=0A
0
-5
-10
基地发射极电压： V
BE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图1发射极接地传播史
1000
500
图2接地发射极输出
特性（I）的
1000
500
图3地面发射极输出
特性（ ΙΙ ）
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(
V)
Ta
=
25 C
TA = 25℃
V
CE
=-
3V
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
-0.02
-1 -2
I
C
/I
B
=
50
20
10
直流电流增益：H
FE
直流电流增益：H
FE
200
100
50
V
CE
=-5V
-3V
-1V
Ta
=
100 C
200
100
50
25 C
-
55 C
20
-1
-2
-5 -10 -20
-50 -100 -200 -500 -1000
20
-1
-2
-5 -10 -20
-50 -100 -200 -500 -1000
-5 -10 -20
-50 -100 -200 -500
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图4直流电流增益VS
集电极电流（ Ι ）
图5直流电流增益与
集电极电流（ ΙΙ ）
Ta
=
25 C
V
CE
=-
5V
图6集电极发射极饱和
电压与集电极电流（ Ι ）
集电极输出电容：玉米棒
(
pF的）
发射极输入电容： CIB
(
pF的）
-0.5
集电极饱和
电压： V
CE （ SAT ）
(
V)
跃迁频率：F
T
(
兆赫）
-1.0
l
C
/l
B
=
10
-0.3
-0.2
-0.1
1000
500
100
50
20
10
5
2
-0.5
Ta
=
25 C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
I
C
=
0A
Ta
=
100 C
25 C
-0.05
-55
C
200
100
50
0.5
1
2
5
10
20
50
-0.03
-0.02
-0.01
-1
-2
-5
-10 -20
-50 -100 -200 -500 -1000
-1
-2
-5
-10
-20
-50
集电极电流：我
C
（MA ）
发射极电流：我
E
（MA ）
图7集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（ ΙΙ ）
图8的增益带宽积主场迎战
发射极电流
图9 Collectur输出电容与
集电极 - 基极电压。发射器输入
电容与发射极 - 基电压
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
WEITRON
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3/4
02-Mar-06
2SA1036K
SOT- 23外形尺寸
A
SOT-23
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
民
0.35
1.19
2.10
0.85
0.46
1.70
2.70
0.01
0.89
0.30
0.076
最大
0.51
1.40
3.00
1.05
1.00
2.10
3.10
0.13
1.10
0.61
0.25
顶视图
D
E
G
H
B
C
K
J
L
M
WEITRON
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4/4
02-Mar-06
2SA1036K
ⅵELECTRICAL
特性曲线
-500
集电极电流：我
C
（MA ）
数据表
集电极电流：我
C
（MA ）
钽-200 = 100℃
25 C
-100
-55 C
-50
-20
-10
-5
-2
-1
-0.5
-1mA
-80
-0.8mA
-0.7mA
-0.6mA
集电极电流：我
C
（MA ）
V
CE
=-3
V
-100
TA = 25℃
-0.9mA
-500
TA = 25℃
-5.0mA
-4.5mA
-4.0mA
-3.5mA
-3.0mA
-2.5mA
-2.0mA
-1.5mA
-1.0mA
-400
-60
-0.5mA
-0.4mA
-300
-40
-0.3mA
-20
-0.2mA
-0.1mA
0
-200
-100
-0.5mA
-0.2
-0.1
0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -1.6 -1.8 -2.0 -2.2
I
B
=0A
0
-1
-2
-3
-4
-5
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
0
I
B
=0A
0
-5
-10
基地发射极电压： V
BE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图1发射极接地传播史
图2接地发射极输出
特性（
Ι
)
图3地面发射极输出
特性（
ΙΙ
)
1000
TA = 25℃
1000
V
CE
=-
3V
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
Ta
=
25 C
-1
-0.5
直流电流增益：H
FE
V
CE
=-5V
-3V
-1V
200
直流电流增益：H
FE
500
500
Ta
=
100 C
200
25 C
100
100
-
55 C
-0.2
-0.1
-0.05
I
C
/I
B
=
50
20
10
-0.02
-1 -2
-5 -10 -20
-50 -100 -200 -500
50
50
20
-1
-2
-5 -10 -20
-50 -100 -200 -500 -1000
20
-1
-2
-5 -10 -20
-50 -100 -200 -500 -1000
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图4直流电流增益与
集电极电流（
Ι
)
图5直流电流增益与
集电极电流（
ΙΙ
)
图6集电极发射极饱和
电压与集电极电流（
Ι
)
-0.5
跃迁频率：F
T
（兆赫）
-1.0
l
C
/l
B
=
10
Ta
=
25 C
V
CE
=-
5V
1000
500
集电极输出电容：玉米棒
（PF ）
发射极输入电容： CIB
（PF ）
集电极饱和
电压： V
CE （ SAT ）
(V)
100
50
-0.3
-0.2
-0.1
Ta
=
25 C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
I
C
=
0A
Ta
=
100 C
25 C
-0.05
-55 C
-0.03
-0.02
-0.01
-1
200
100
50
0.5
1
2
5
10
20
50
20
10
5
2
-0.5
-2
-5
-10 -20
-50 -100 -200
-500 -1000
-1
-2
-5
-10
-20
-50
集电极电流：我
C
（MA ）
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
图7集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（
ΙΙ
)
图8的增益带宽积主场迎战
发射极电流
图9 Collectur输出电容与
集电极 - 基极电压。发射器输入
电容与发射极 - 基电压
www.rohm.com
c
○
2009年ROHM有限公司保留所有权利。
2/2
2009.12 - Rev.B的
通告
笔记
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"Products" ） 。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。
时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。
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信息， ROHM ，应当承担此类损害概不负责。
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为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你，或明或
隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
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使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-
讯设备，电子电器，娱乐设备） 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM
不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或
系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险（如医疗
仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，
燃料控制器或其他安全装置） 。 ROHM应承担的任何方式使用任何责任
任何产品的上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途，请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
根据外汇及对外贸易法来控制，你会被要求
获得许可或根据法律允许。
感谢您的访问，以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以，请与我们联系。
ROHM的客户支持系统
http://www.rohm.com/contact/
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2009 ROHM有限公司保留所有权利。
R0039A
2SA1036K
PNP硅
公司Bauelemente
的" - C"后缀指定卤素&无铅
A
L
通用晶体管
SC-59
暗淡
A
B
C
D
D
民
2.70
1.30
1.00
0.35
1.70
0.00
0.10
0.20
1.25
2.25
最大
3.10
1.70
1.30
0.50
2.30
0.10
0.26
0.60
1.65
3.00
特点
S
2
3
顶视图
B
1
n
n
n
符合RoHS产品
大我
C
.
ICMAX
。 = -500毫安
低V
CE （ SAT ）
。非常适用于低电压操作。
H
G
H
C
K
J
G
J
K
L
S
集热器
标记： HP ， HQ ， HR
*
BASE
辐射源
O
单位：mm外形尺寸
最大额定值* T
A
=25
C
除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
结温和存储温度
参数
价值
-40
-32
-5
-500
200
-55~150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能
受损。
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
除非
TEST
否则
特定网络版）
民
-40
-32
-5
-1
-1
82
390
-0.4
200
7
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
条件
Ic=-100A,I
E
=0
Ic=-1mA,I
B
=0
I
E
=-100A,I
C
=0
V
CB
=-20V,I
E
=0
V
EB
=-4V,I
C
=0
V
CE
=-3V,I
C
=-10mA
I
C
=-100mA,I
B
=-10mA
V
CE
=-5V,I
C
=-20mA,f=100MHz
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
分类
秩
范围
http://www.SeCoSGmbH.com
h
FE
P
82 - 180
Q
120 - 270
R
180 - 390
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
页面
1
of
2
2SA1036K
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极电流OUTOFF
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
40
32
5
82
典型值。
200
7
马克斯。
1
1
0.6
390
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=
1mA
I
E
=
100A
V
CB
=
20V
V
EB
=
4V
I
C
/I
B
=
300mA/30mA
V
CE
=
3V,
I
C
=
100mA
V
CE
=
5V,
I
E
= 20mA时， F = 100MHz的
V
CB
=
10V,
I
E
= 0A ， F = 1MHz的
条件
I
C
=
100A
包装规格
包
CODE
TYPE
2SA1036K
h
FE
PQR
基本订购单位（件）
TAPING
T146
3000
h
FE
值进行分类如下。
项
h
FE
P
82至180
Q
120至270
R
180 390
电气特性曲线
-500
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
-200
TA = 100℃
25 C
-100
-55 C
-50
-20
-10
-5
-2
-1
-0.5
-1mA
-0.8mA
-0.7mA
-0.6mA
集电极电流：我
C
（MA ）
V
CE
=-3
V
-100
TA = 25℃
-0.9mA
-500
TA = 25℃
-5.0mA
-4.5mA
-4.0mA
-3.5mA
-3.0mA
-2.5mA
-2.0mA
-1.5mA
-1.0mA
-80
-400
-60
-0.5mA
-0.4mA
-300
-40
-0.3mA
-0.2mA
-0.1mA
-200
-20
-100
-0.5mA
-0.2
-0.1
0 -0.2
-0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -1.6 -1.8 -2.0 -2.2
0
I
B
=0A
0
-1
-2
-3
-4
-5
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
0
I
B
=0A
0
-5
-10
基地发射极电压： V
BE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图1发射极接地传播史
图2接地发射极输出
特性（
Ι
)
图3地面发射极输出
特性（
ΙΙ
)
Rev.A的
2/3
附录
笔记
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指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
QQ：2881677436 复制
