【2SA1031 ， 2SA1032PNP硅外延应用低频率的低噪声放大器互补配对2SC458 （ LG】,IC型号2SA1031,2SA1031 PDF资料,2SA1031经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SA1031 ， 2SA1032

PNP硅外延

应用

低频率的低噪声放大器

互补配对2SC458 （ LG）和2SC2310

概要

TO-92 （1）

1.发射器

2.收集

3. BASE

2SA1031 ， 2SA1032

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

发射极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

TSTG

2SA1031

–30

–5

–100

100

300

150

-55到+150

2SA1032

–55

–50

–5

–100

100

300

150

-55到+150

单位

°C

2SA1031 ， 2SA1032

电气特性

（ TA = 25°C ）

2SA1031

项

收藏家基地

击穿电压

集电极到发射极

击穿电压

发射器基

击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流转接率

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

EBO

民

–30

–5

—

100

—

200

—

典型值

—

280

3.3

—

最大

—

–0.5

500

–0.8

–0.2

—

4.0

2SA1032

民

–55

–50

–5

—

100

—

200

—

典型值

—

280

3.3

—

最大

—

–0.5

320

–0.8

–0.2

—

4.0

兆赫

单位

测试条件

= –10

= 0

= -1毫安，R

∞

= –10

= 0

= -18 V，I

= 0

= -2 V，I

= 0

= –12 V,

= -2毫安

= –12 V,

= -2毫安

= -10毫安，

= -1毫安

= –12 V,

= -2毫安

= -10 V，I

= 0,

F = 1 MHz的

= –6 V,

= -0.1毫安，

= 500

F = 120赫兹

基极至发射极电压V

集电极到发射极

饱和电压

CE （ SAT ）

增益带宽乘积F

集电极输出

电容

噪声系数

COB

注意：

1. 2SA1031与2SA1032是用h分组

如下。

160到320

250至500

—

100至200

2SA1031

2SA1032

2SA1031 ， 2SA1032

最大集电极耗散曲线

集电极耗散功率P

（ mW）的

300

集电极电流I

（MA ）

典型的输出特性（ 1）

–10

–25

–8

–20

–6

–4

–15

–10

–5

= 0

100

150

环境温度Ta （C ）

–0.2

–0.4

–0.6

–0.8

–1.0

集电极发射极电压V

(V)

200

100

–2

典型的输出特性（ 2）

–10

–25

集电极电流I

（MA ）

集电极电流I

（MA ）

–8

–20

–15

–4

–5

典型的传输特性

= –5 V

–4

–10

–5

= 0

–2

–1

–5

–10

–15

–20

–25

–0.2

–0.4

–0.6

–0.8

–6

–3

TA = 75

°C

–1.0

集电极发射极电压V

(V)

基极至发射极电压V

(V)

2SA1031 ， 2SA1032

直流电流传输比主场迎战

集电极电流

700

600

= –5 V

增益带宽乘积F

（兆赫）

直流电流传输比H

500

400

= –10 V

增益带宽积主场迎战

集电极电流

500

400

300

200

300

100

200

–0.01

–0.1

–1.0

–10

–100

–0.5

–1.0

–2

–5

–10

–20

集电极电流I

（MA ）

集电极电流I

（MA ）

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

集电极到发射极饱和

电压与集电极电流

–0.28

–0.24

–0.20

–0.16

–0.12

–0.08

–0.04

–1

–2

–5

–10

–20

–50 –100

集电极电流I

（MA ）

= 10 I

我们所有的客户

关于文件中提到的名字，如日立的变化

电气与日立XX ，瑞萨科技公司

三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨

科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟

和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等

因此，虽然日立，日立制作所，日立半导体，和其他日立牌

名称被提到的文件中，这些名称实际上已全部被改变成瑞萨

科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标，标识和

企业声明，没有改变任何已对文档的内容，并且

这些变化不构成任何改动文件本身的内容。

瑞萨科技公司主页： http://www.renesas.com

瑞萨科技公司

客户服务部

2003年4月1日

注意事项

保持安全第一在你的电路设计！

1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好

和更可靠的，但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦

半导体可能导致人身伤害，火灾或财产损失。

记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的

例如（i ）替代的布置，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃的材料或措施

（三）预防对任何故障或事故。

对于这些材料的注意事项

1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨的选择

科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何

在任何知识产权或任何其他权利的许可，属于瑞萨科技

公司或第三方。

2.瑞萨科技公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权

第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或

这些材料所含的电路应用实例。

3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息

算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并

受瑞萨科技公司，恕不另行通知更改由于产品改进或

其他原因。因此，建议客户联系瑞萨科技公司

或经授权的瑞萨科技产品分销商的最新产品信息

在购买之前，这里所列的产品。

这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。

瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失不承担责任

从这些不准确或错误上升。

另请注意发布的瑞萨科技公司通过各种信息

意味着，包括瑞萨科技半导体首页

（ http://www.renesas.com ）。

4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，

图表，程序和算法，请务必之前评估的所有信息作为一个整体系统

制作上的信息和产品的适用性作出最后决定。瑞萨科技

公司不承担任何损失，责任或其他损失所产生的任何责任

此处包含的信息。

5.瑞萨科技半导体产品不是设计或在设备制造中使用

或根据情况使用的系统中，人的生命是潜在的威胁。请联系

瑞萨科技公司或瑞萨科技公司授权的产品销售商

考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或使用时

系统运输，车辆，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。

6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或再现

全部或部分这些物料。

7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是

日本政府根据许可证出口，不能导入到其他国家

超过批准的目的地。

任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例

被禁止的目的国。

8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息

包含在其中。

2SA1031 ， 2SA1032

PNP硅外延

应用

低频率的低噪声放大器

互补配对2SC458 （ LG）和2SC2310

概要

TO-92 （1）

1.发射器

2.收集

3. BASE

2SA1031 ， 2SA1032

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

发射极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

TSTG

2SA1031

–30

–5

–100

100

300

150

-55到+150

2SA1032

–55

–50

–5

–100

100

300

150

-55到+150

单位

°C

2SA1031 ， 2SA1032

电气特性

（ TA = 25°C ）

2SA1031

项

收藏家基地

击穿电压

集电极到发射极

击穿电压

发射器基

击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流转接率

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

EBO

民

–30

–5

—

100

—

200

—

典型值

—

280

3.3

—

最大

—

–0.5

500

–0.8

–0.2

—

4.0

2SA1032

民

–55

–50

–5

—

100

—

200

—

典型值

—

280

3.3

—

最大

—

–0.5

320

–0.8

–0.2

—

4.0

兆赫

单位

测试条件

= –10

= 0

= -1毫安，R

∞

= –10

= 0

= -18 V，I

= 0

= -2 V，I

= 0

= –12 V,

= -2毫安

= –12 V,

= -2毫安

= -10毫安，

= -1毫安

= –12 V,

= -2毫安

= -10 V，I

= 0,

F = 1 MHz的

= –6 V,

= -0.1毫安，

= 500

F = 120赫兹

基极至发射极电压V

集电极到发射极

饱和电压

CE （ SAT ）

增益带宽乘积F

集电极输出

电容

噪声系数

COB

注意：

1. 2SA1031与2SA1032是用h分组

如下。

160到320

250至500

—

100至200

2SA1031

2SA1032