INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1006 2SA1006A 2SA1006B
描述
·带
的TO-220封装
.Complement
键入2SC2336 ，
2SC2336A,2SC2336B
应用
·音频
频功率放大器
·
高频功率放大器
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
2SA1006
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SA1006A
2SA1006B
2SA1006
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SA1006A
2SA1006B
V
EBO
I
C
I
CM
P
T
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25℃
总功耗
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
25
150
-55~150
℃
℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-180
-200
-250
-180
-200
-250
-5
-1.5
-3.0
1.5
W
V
A
A
V
V
单位
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
ob
f
T
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
2SA1006 2SA1006A 2SA1006B
条件
I
C
= -0.5A ;我
B
=-50mA
I
C
= -0.5A ;我
B
=-50mA
V
CB
= -150V ，我
E
=0
V
EB
= -3V ;我
C
=0
I
C
= -5mA ; V
CE
=-5V
I
C
= -150mA ; V
CE
=-5V
I
E
=0 ; V
CB
=-10V,f=1MHz
I
C
= -100mA ; V
CE
=10V
民
典型值。
最大
-1.0
-1.5
-1
-1
单位
V
V
μA
μA
30
60
45
80
320
pF
兆赫
h
FE-2
分类
R
60-120
Q
100-200
P
160-320
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1006 2SA1006A 2SA1006B
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1006 2SA1006A 2SA1006B
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1006 2SA1006A 2SA1006B
5
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1006 2SA1006A 2SA1006B
描述
·带
的TO-220封装
.Complement
键入2SC2336 ，
2SC2336A,2SC2336B
应用
·音频
频功率放大器
高频功率放大器
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
固电
IN
导½
半
参数
条件
2SA1006
2SA1006A
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
的HAn
C
ES
G
2SA1006B
2SA1006
2SA1006A
2SA1006B
ICO
EM
发射极开路
开基
集电极开路
OR
UCT
ND
价值
-180
-200
-250
-180
-200
-250
-5
-1.5
-3.0
单位
V
V
V
EBO
I
C
I
CM
P
T
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
V
A
A
T
a
=25℃
总功耗
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
1.5
W
25
150
-55~150
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
ob
f
T
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
2SA1006 2SA1006A 2SA1006B
条件
I
C
= -0.5A ;我
B
=-50mA
I
C
= -0.5A ;我
B
=-50mA
V
CB
= -150V ，我
E
=0
V
EB
= -3V ;我
C
=0
I
C
= -5mA ; V
CE
=-5V
I
C
= -150mA ; V
CE
=-5V
I
E
=0 ; V
CB
=-10V,f=1MHz
I
C
= -100mA ; V
CE
=10V
民
典型值。
最大
-1.0
-1.5
-1
-1
单位
V
V
μA
μA
30
60
45
80
320
pF
兆赫
h
FE-2
分类
R
Q
固电
IN
导½
半
P
160-320
60-120
100-200
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1006 2SA1006A 2SA1006B
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1006 2SA1006A 2SA1006B
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1006 2SA1006A 2SA1006B
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
5
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1006 2SA1006A 2SA1006B
·
描述
·
用TO-220封装
·补键入2SC2336 ，
2SC2336A,2SC2336B
应用
·音频功放
·
高频功率放大器
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
参数
2SA1006
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SA1006A
2SA1006B
2SA1006
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SA1006A
2SA1006B
V
EBO
I
C
I
CM
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
a
=25
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-180
-200
-250
-180
-200
-250
-5
-1.5
-3.0
1.5
W
25
150
-55~150
V
A
A
V
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
符号
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
ob
f
T
2SA1006 2SA1006A 2SA1006B
条件
I
C
= -0.5A ;我
B
=-50mA
I
C
= -0.5A ;我
B
=-50mA
V
CB
= -150V ，我
E
=0
V
EB
= -3V ;我
C
=0
I
C
= -5mA ; V
CE
=-5V
I
C
= -150mA ; V
CE
=-5V
I
E
=0 ; V
CB
=-10V,f=1MHz
I
C
= -100mA ; V
CE
=10V
民
典型值。
最大
-1.0
-1.5
-1
-1
单位
V
V
A
A
30
60
45
80
320
pF
兆赫
h
FE-2
分类
R
60-120
Q
100-200
P
160-320
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1006 2SA1006A 2SA1006B
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1006 2SA1006A 2SA1006B
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1006 2SA1006A 2SA1006B
5
QQ：2881677436 复制
