2PD601ARL ; 2PD601ASL
50 V ， 100毫安NPN通用晶体管
版本01 - 2008年11月6日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN通用晶体管采用小型SOT23 （ TO- 236AB ）表面贴装
器件（SMD ）塑料封装。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
2PD601ARL
2PD601ASL
2PD601ARL/DG
2PD601ASL/DG
[1]
/ DG ：不含卤素。
类型编号
[1]
PNP补充
JEDEC
TO-236AB
TO-236AB
2PB709ARL
2PB709ASL
2PB709ARL/DG
2PB709ASL/DG
SOT23
SOT23
1.2产品特点
I
I
I
I
通用晶体管
两个电流增益的选择
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
小型SMD塑料包装
1.3应用
I
通用开关和放大器阳离子
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
C
h
FE
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
直流电流增益
h
FE
R组
h
FE
S组
V
CE
= 10 V;
I
C
= 2毫安
210
290
-
-
340
460
条件
开基
民
-
-
典型值
-
-
最大
50
100
单位
V
mA
恩智浦半导体
2PD601ARL ; 2PD601ASL
50 V ， 100毫安NPN通用晶体管
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
结温
环境温度
储存温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
-
55
65
最大
60
50
6
100
200
100
250
150
+150
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
6.热特性
表7中。
符号
R
号（j -a）的
[1]
热特性
参数
条件
[1]
民
-
典型值
-
最大
500
单位
K / W
从结点在自由空气的热阻
到环境
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
参数
条件
V
CB
= 60 V ;我
E
= 0 A;
T
j
= 150
°C
I
EBO
h
FE
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
h
FE
R组
h
FE
S组
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 2 V;
I
C
= 100毫安
V
CE
= 10 V;
I
C
= 2毫安
V
CE
= 10 V;
I
C
= 2毫安
[1]
民
-
-
-
90
210
290
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
10
5
10
-
340
460
单位
nA
A
nA
集电极 - 基极截止电流V
CB
= 60 V ;我
E
= 0 A
2PD601AXL_1
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恩智浦半导体
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表8 。
特征
- 续
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
CESAT
f
T
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
跃迁频率
条件
I
C
= 100毫安;
I
B
= 10毫安
V
CE
= 10 V;
I
C
= 2毫安;
F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V;
I
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
[1]
民
-
100
典型值
-
-
最大
250
-
单位
mV
兆赫
C
c
集电极电容
-
-
3
pF
[1]
脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
8.测试信息
8.1质量信息
该产品已对外贸易资质网络编辑根据汽车电子协会
（ AEC ）标准
Q101 - 压力测试对外贸易资质科幻阳离子的分立半导体，
并
适用于汽车应用。
9.封装外形
3.0
2.8
3
1.1
0.9
0.45
0.15
2.5 1.4
2.1 1.2
1
2
1.9
尺寸（mm）
0.48
0.38
0.15
0.09
04-11-04
图1 。
封装外形SOT23封装（ TO- 236AB ）
2PD601AXL_1
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恩智浦半导体
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10.包装信息
表9 。
包装方法
指示的-xxx是的12NC订货代码的最后三位数字。
[1]
类型编号
[2]
2PD601ARL
2PD601ASL
2PD601ARL/DG
2PD601ASL/DG
[1]
[2]
如需进一步信息和包装方法的途径，请参阅
第14节。
/ DG ：不含卤素。
包
SOT23
描述
4毫米间距8毫米磁带和卷轴
包装数量
3000
-215
10000
-235
11.焊接
3.3
2.9
1.9
焊区
阻焊
3
1.7
2
锡膏
0.6
(3×)
占领区
尺寸（mm）
0.5
(3×)
0.6
(3×)
1
sot023_fr
0.7
(3×)
图2 。
再溢流焊接足迹SOT23封装（ TO- 236AB ）
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