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分立半导体
数据表
M3D425
2PC4617J
NPN通用晶体管
产品speci fi cation
取代1999年5月4日的数据
2001年8月03
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
特点
功耗媲美SOT23
低输出电容
低饱和电压V
CESAT
低电流(最大100 mA时)
低电压(最大50V)时。
应用
通用开关和放大
如电信小型化的应用领域和
多媒体。
手册, halfpage
2PC4617J
钉扎
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
3
3
1
2
MAM410
描述
NPN晶体管封装在一个超小型塑料
贴片的SC- 89 ( SOT490 )封装。
PNP补充: 2PA1774J 。
记号
类型编号
2PC4617QJ
2PC4617RJ
2PC4617SJ
标识代码
ZQ
ZR
ZS
Fig.1
1
顶视图
2
简化外形( SC- 89 ; SOT490 )和
符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
1.参考SC- 89 ( SOT490 )标准安装条件。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
25
°C;
注1
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
50
50
5
100
200
200
250
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
2001年8月03
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
1.参考SC- 89 ( SOT490 )标准安装条件。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
2PC4617QJ
2PC4617RJ
2PC4617SJ
V
CESAT
C
c
f
T
1.脉冲测试:吨
p
300
s; δ ≤
0.02.
集电极 - 发射极饱和
电压
集电极电容
跃迁频率
I
C
= 50毫安;我
B
= 5毫安;注1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 12 V ; F = 1 MHz的
条件
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
E
= 0; V
CB
= 30 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 4 V
I
C
= 1毫安; V
CE
= 6 V ;注1
120
180
270
分钟。
5
参数
条件
马克斯。
500
2PC4617J
单位
K / W
从结点到环境的热阻在自由空气中;注1
马克斯。
100
100
270
390
560
200
1.5
单位
nA
A
nA
mV
pF
兆赫
I
C
= 2毫安; V
CE
= 12 V ; F = 100 MHz的; 100
注1
2001年8月03
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
2PC4617J
SOT490
D
B
E
A
X
HE
v
M
A
3
A
1
e1
e
bp
2
w
M
B
Lp
细节X
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
0.8
0.6
b
p
0.33
0.23
c
0.2
0.1
D
1.7
1.5
E
0.95
0.75
e
1.0
e
1
0.5
H
E
1.7
1.5
L
p
0.5
0.3
v
0.1
w
0.1
概要
VERSION
SOT490
参考文献:
IEC
JEDEC
EIAJ
SC-89
欧洲
投影
发行日期
98-10-23
2001年8月03
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
数据表状态
数据表状态
(1)
客观的数据
产品
状态
(2)
发展
释义
2PC4617J
此数据表包含从客观特定网络阳离子产品数据
发展。飞利浦半导体公司保留修改的权利
特定网络阳离子以任何方式,恕不另行通知。
此数据表包含了从初步的规格数据。
补充资料将在晚些时候公布。飞利浦
半导体公司保留更改特定网络阳离子不正确
注意到,为了提高设计和提供更优秀的
产品。
此数据表包含了从产品speci fi cation数据。飞利浦
半导体公司保留随时更改在任何时间,以正确的
改进设计,制造和供应。变化将是
根据客户产品/流程变更通报
NOTI科幻阳离子( CPCN )过程SNW - SQ- 650A 。
初步数据
QUALI科幻阳离子
产品数据
生产
笔记
1.启动或完成设计之前,请咨询最新发布的数据表。
2.本数据手册中描述的设备(S )的产品的状态可能已经改变,因为这个数据表是
出版。最新的信息可在互联网上的网址http://www.semiconductors.philips.com 。
释义
短特定形式的网络阳离子
在短格式中的数据
规格从与一个完整的数据资料中提取
同类型的编号和标题。有关详细信息,请参阅
相关数据表或数据手册。
极限值定义
给定的限值中
按照绝对最大额定值系统
( IEC 60134 ) 。应力以上的一个或多个限制的
值可能导致器件的永久性损坏。
这些压力额定值的设备,只有经营
在这些或在上述那些的任何其他条件,在给定的
规范的特点部分将得不到保证。
暴露于长时间限制值可能
影响器件的可靠性。
应用信息
应用程序是
本文所述的任何这些产品都是为
仅用于说明目的。飞利浦半导体制作
任何陈述或保证,这些应用将
适于不经进一步测试或指定的使用
修改。
免责声明
生命支持应用
这些产品都没有
专为生活中使用的支持设备,设备或
系统在这些产品的故障可
合理预期造成人身伤害。飞利浦
使用或销售这些产品的半导体客户
在这些应用中使用这样做在自己的风险和
同意完全赔偿飞利浦半导体的任何
损失从这些应用程序产生的。
有权进行修改
飞利浦半导体
保留修改的权利,恕不另行通知,在
产品,包括电路,标准单元,和/或
软件,为了描述或包含于
提高设计和/或性能。飞利浦
半导体公司不承担任何责任或法律责任
使用任何这些产品,传达没有牌照或标题
任何专利,版权或口罩工作的权利,这些
产品,不作任何陈述或保证的
这些产品均不含专利,版权,或掩码
工作侵权,除非另有说明。
2001年8月03
5
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