2PB709BRL ; 2PB709BSL
50 V ， 200毫安PNP通用晶体管
版本1 - 2010年6月28日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
PNP通用晶体管采用小型SOT23 （ TO- 236AB ）表面贴装
器件（SMD ）塑料封装。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
2PB709BRL
2PB709BSL
SOT23
JEDEC
TO-236AB
2PD601BRL
2PD601BSL
NPN补
类型编号
1.2特点和优点
集电极电流I
C
≤ 200
mA
两个电流增益的选择
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
小型SMD塑料包装
1.3应用
通用开关和放大
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
C
h
FE
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
直流电流增益
h
FE
R组
h
FE
S组
V
CE
=
10
V;
I
C
=
2
mA
条件
开基
民
-
-
210
210
290
典型值
-
-
-
-
-
最大
50
200
460
340
460
单位
V
mA
恩智浦半导体
2PB709BRL ; 2PB709BSL
50 V ， 200毫安PNP通用晶体管
2.管脚信息
表3中。
针
1
2
3
钉扎
描述
BASE
辐射源
集热器
1
2
2
sym013
简化的轮廓
3
图形符号
3
1
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
2PB709BRL
2PB709BSL
-
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
4.标记
表5 。
标记代码
标识代码
[1]
MN *
MP *
类型编号
2PB709BRL
2PB709BSL
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
-
-
-
最大
60
50
6
200
250
200
单位
V
V
V
mA
mA
mA
2PB709BRL_2PB709BSL
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恩智浦半导体
2PB709BRL ; 2PB709BSL
50 V ， 200毫安PNP通用晶体管
表6 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
参数
总功耗
结温
环境温度
储存温度
条件
T
AMB
≤
25
°C
[1]
民
-
-
55
65
最大
250
150
+150
+150
单位
mW
°C
°C
°C
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
300
P
合计
（ mW）的
200
006aaa990
100
0
75
25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
FR4 PCB，标准的足迹
图1 。
功率降额曲线
6.热特性
表7中。
符号
R
号（j -a）的
R
日（J -SP ）
[1]
热特性
参数
条件
[1]
民
-
-
典型值
-
-
最大
500
140
单位
K / W
K / W
从结点在自由空气的热阻
到环境
热阻结
焊锡点
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
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恩智浦半导体
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50 V ， 200毫安PNP通用晶体管
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
δ
=1
0.75
0.50
0.33
0.20
0.10
0.05
10
0.02
0.01
0
006aaa991
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，标准的足迹
图2 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
参数
集电极 - 基极截止
当前
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
h
FE
R组
h
FE
S组
V
CESAT
f
T
C
c
[1]
条件
V
CB
=
60
V ;我
E
= 0 A
V
CB
=
60
V ;我
E
= 0 A;
T
j
= 150
°C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0 A
V
CE
=
10
V ;我
C
=
2
mA
民
-
-
-
210
210
290
典型值
-
-
-
-
-
-
-
200
-
最大
10
5
10
460
340
460
250
-
3
单位
nA
μA
nA
I
EBO
h
FE
集电极 - 发射极
饱和电压
跃迁频率
集电极电容
I
C
=
100
毫安;
I
B
=
10
mA
V
CE
=
6
V ;我
C
=
10
毫安;
F = 100 MHz的
V
CB
=
10
V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
[1]
-
100
-
mV
兆赫
pF
脉冲测试：吨
p
≤
300
μs; δ ≤
0.02.
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50 V ， 200毫安PNP通用晶体管
500
h
FE
400
(1)
006aac457
0.1
I
C
(A)
0.08
006aac458
I
B
（毫安） =
0.75
0.7
0.65 0.6
0.55
0.5
0.45
0.4
0.3
0.2
0.1
0.05
300
(2)
0.06
0.35
0.25
0.15
200
(3)
0.04
100
0.02
0
10
1
1
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
0.0
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
V
CE
(V)
V
CE
=
10
V
(1) T
AMB
= 150
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
55 °C
T
AMB
= 25
°C
图3 。
2PB709BRL ：直流电流增益的函数
集电极电流;典型值
1
图4 。
2PB709BRL ：集电极电流的函数
集电极 - 发射极电压;典型值
006aac459
V
CESAT
(V)
10
1
(1)
(2)
(3)
10
2
10
1
1
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
I
C
/I
B
= 10
(1) T
AMB
= 150
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
55 °C
图5 。
2PB709BRL ：集电极 - 发射极饱和电压集电极电流的功能;典型值
2PB709BRL_2PB709BSL
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