PD-97174A
抗辐射
逻辑电平功率MOSFET
表面贴装（ SMD - 2 ）
产品概述
产品型号
辐射水平
IRHLNA797064 100K拉德（SI ）
IRHLNA793064
300K拉德（SI ）
R
DS （ ON）
0.015
0.015
I
D
-56A*
-56A*
2N7622U2
IRHLNA797064
60V ， P- CHANNEL
技术
SMD-2
国际整流器公司的R7
TM
逻辑电平功率
的MOSFET提供了简单的解决方案接口
在CMOS和TTL控制电路，功率器件
空间等辐射环境中。该
阈值电压保持在可接受的
在整个工作温度范围经营
并张贴辐射。本，同时保持实现
单粒子栅穿和单粒子烧毁
免疫力。
这些设备中的应用，如用于
在PWM电流升压低信号源，电压
比较器和运算放大器。
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
5V CMOS和TTL兼容
快速开关
硬化单粒子效应（ SEE ）
低总栅极电荷
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
陶瓷封装
表面贴装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @VGS = -4.5V ， TC = 25°C
ID @VGS = -4.5V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
*目前被封装的限制
对于脚注参考最后一页
300 （ 5秒）
3.3 （典型值）
-56*
-56*
-224
250
2.0
±10
1060
-56
25
-3.7
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
g
www.irf.com
1
06/11/07
IRHLNA797064 ， 2N7622U2
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
V
GS （ TH） / ΔTJ
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
-60
—
—
-1.0
—
82
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
-0.06
—
—
4.1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4.0
10520
2780
310
2.3
—
—
0.015
-2.0
—
—
-1.0
-10
-100
100
190
53
56
38
265
210
70
—
—
—
—
V
V /°C的
V
毫伏/°C的
S
A
nA
测试条件
VGS = 0V ，ID = -250μA
参考至25℃ ， n = -1.0mA
VGS = -4.5V ，ID = -56A
VDS = VGS ，ID = -250μA
VDS = -15V ， IDS = -56A
VDS = -48V ， VGS = 0V
VDS = -48V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = -10V
VGS = 10V
VGS = -4.5V ，ID = -56A
VDS = -30V
VDD = -30V ， ID = -56A ，
VGS = -6.0V ， RG = 2.35Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
西塞
OSS
RSS
Rg
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
nC
ns
nH
pF
从中心测量
漏极焊盘源垫的中心
VGS = 0V ， VDS = -25V
F = 1.0MHz的
F = 1.0MHz的，开漏
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-56*
-224
-5.0
159
430
测试条件
A
V
ns
nC
T
j
= 25°C ， IS = -56A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = -56A ， di / dt的
≤
-100A/s
VDD
≤
-25V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
*目前被封装的限制
热阻
参数
RthJC
RthJ -PCB
结到外壳
结至PC板
最小典型最大单位
—
—
—
1.6
0.5
—
° C / W
测试条件
焊接到2＆方形铜cladboard
注：对应的香料和军刀车型可在国际整流器公司的网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
辐射特性
预辐照
IRHLNA797064 ， 2N7622U2
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源极导通状态
电阻（SMD -2）的
二极管的正向电压？
高达300K拉德（SI ）
1
民
-60
-1.0
—
—
—
—
—
—
最大
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
V
GS
= -10V
V
GS
= 10V
V
DS
= -48V, V
GS
=0V
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -56A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -56A
V
GS
= 0V时，我
D
= -56A
—
-2.0
-100
100
-10
0.015
0.015
-5.0
1.部件号IRHLNA797064 ， IRHLNA793064
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
LET
（兆电子伏/ （毫克/平方厘米） ）
Br
I
Au
37
60
82
2
能量范围
（兆电子伏）
305
370
390
(m)
39
34
30
@ VGS =
VDS （ V）
@ VGS = @ VGS = @ VGS = @ VGS = @ VGS = @ VGS = @ VGS =
0V
-60
-60
-60
2V
-60
-60
-60
4V
-60
-60
-60
5V
-60
-40
-
6V
-40
-20
-
7V
-30
-
-
8V
-25
-
-
10V
-20
-
-
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
0
1
2
3
4
5
VGS
6
7
8
9 10
Br
I
Au
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
VDS
所示的。
单粒子效应，安全工作区
3
预辐照
IRHLNA797064 ， 2N7622U2
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（M
)
25
20
ID = -56A
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（ MΩ）
30
18
T J = 150℃
16
TJ = 150℃
15
10
T J = 25°C
5
0
2
4
6
8
10
12
14
12
T J = 25°C
VGS = -4.5V
8
0
20
40
60
80
100
-I D，漏电流（ A）
10
-V GS ，门-to - 源电压（V ）
图5 。
典型导通电阻VS
栅极电压
图6 。
典型导通电阻VS
漏电流
- V （ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压（ V）
75
2.0
70
-VGS （次）栅极阈值电压（ V）
ID = -1.0mA
1.5
65
1.0
60
0.5
55
ID = -50μA
ID = -250μA
ID = -1.0mA
ID = -150mA
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
50
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
TJ ，温度（° C）
T J ，温度（° C）
图7 。
典型的漏 - 源
击穿电压与温度
图8 。
典型的阈值电压VS
温度
www.irf.com
5
QQ：2881677436 复制
