技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF- 592分之19500
器件
水平
2N7228
2N7228U
JAN
JANTX
JANTXV
绝对最大额定值（T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流
T
C
= +25°C
连续漏电流
T
C
= +100°C
马克斯。功耗
T
C
= +25°C
漏极至源极导通电阻
工作&储存温度
注意：
（ 1 ）由1.2 W /°C，对于T线性下降
C
> + 25°C
(2) V
GS
= 10Vdc的，我
D
= 8A
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 1mAdc
栅源电压（阈值）
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= +125°C
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= -55°C
栅电流
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V ，T
j
= +125°C
漏电流
V
GS
= 0V, V
DS
= 400V
V
GS
= 0V, V
DS
= 400V ，T
j
= +125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 8.0A脉冲
V
GS
= 10V ，我
D
= 12.0A脉冲
T
j
= +125°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 8.0A脉冲
二极管的正向电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 12A脉冲
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS(th)1
V
GS(th)2
V
GS(th)3
I
GSS1
I
GSS2
I
DSS1
I
DSS2
r
DS(on)1
r
DS(on)2
r
DS(on)3
V
SD
分钟。
500
马克斯。
单位
VDC
符号
V
DS
V
GS
I
D1
I
D2
P
tl
R
DS （ ON）
T
op
, T
英镑
价值
500
± 20
12.0
8.0
150
(1)
0.415
(2)
-55到+150
单位
VDC
VDC
ADC
ADC
W
Ω
°C
TO-254AA
2.0
1.0
4.0
5.0
±100
±200
25
0.25
0.415
0.515
0.90
1.7
VDC
NADC
U- PKG （ U3 ）
TO-276AB
μAdc
MADC
Ω
Ω
Ω
VDC
T4 - LDS -0051修订版1（ 072808 ）
第1页2
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF- 592分之19500
动态特性
参数/测试条件
栅极电荷：
导通状态的栅极电荷
门源费
栅漏电荷
开关特性
参数/测试条件
开关时间测试：
导通延迟时间
冲洗时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的反向恢复时间
I
D
= 12A ，V
GS
= 10V直流，
门极驱动电阻= 7.5Ω ，
V
DD
= 250V直流
的di / dt
≤
100A / μs的，V
DD
≤
30V,
I
F
= 12A
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
分钟。
马克斯。
35
190
170
130
1600
单位
符号
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
分钟。
马克斯。
120
19
70
单位
nC
V
GS
= 10V ，我
D
= 12A
V
DS
= 50V
ns
ns
T4 - LDS -0051修订版1（ 072808 ）
第2页2
D
TO-254
G
S
功率MOS IV
最大额定值
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
参数
漏源电压
栅源电压
TM
2N7228
500伏
JX2N7228*
JV2N7228*
0.415
*符合MIL -S - 592分之19500 31/7/92
JEDEC挂号N - 通道高电压功率MOSFET
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
2N7228
单位
伏
500
±20
12
R
at
ed
he
民
连续漏电流@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
雪崩电流
1
1
8
安培
48
12
150
瓦
总功率耗散@ T
C
= 25°C
P
D
总功率耗散@ T
C
= 100°C
线性降额因子
E
AS
E
AR
T
J
,T
英镑
T
L
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
60
1.2
750
15
W / K
mJ
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接条件： 0.063"案件从10秒。
nc
-55到150
300
°C
静态电气特性
符号
BV
DSS
V
GS
（ TH ）
I
DSS
I
GSS
I
D
（上）
特性/测试条件
va
la
典型值
最大
单位
伏
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
栅极阈值电压
500
2
4
25
250
±100
12
0.415
0.900
0.515
A
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V)
在国家漏极电流
2
A
nA
安培
(V
DS
＆ GT ;我
D
（接通）个R
DS
（ON ）最大值，V
GS
= 10V)
2
2
2
漏源导通电阻
R
DS
（上）
漏源导通电阻
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ，我
D
= 8.0A)
(V
GS
= 10V ，我
D
= 8.0A ，T
C
= 125°C)
(V
GS
= 10V ，我
D
= 12.0A)
欧
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
美国
405 S.W.哥伦比亚街
德，俄勒冈州97702 -1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
欧洲
大道J.F.肯尼迪蝙蝠B4公园Cadéra北
051-5015修订版D
动态特性
符号
C
DC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
漏到外壳电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
R
G
= 2.35
民
典型值
最大
2N7228
单位
12
2410
356
125
103
14
42
14
21
38
12
24
2900
pF
530
235
150
21
70
35
190
ns
nC
170
130
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
12
48
1.7
296
3.5
1600
8.8
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D
[续] ）
反向恢复时间（I
S
= -I
D
[续] ， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -I
D
[续] ， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
1
2
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
K / W
3
0.83
31
重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线。 （图1）
脉冲测试：脉冲宽度< 380
S,
占空比< 2 ％
1.0
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.5
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
0.005
单脉冲
注意：
PDM
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
051-5015修订版D
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
2N7228
20
I D ，漏电流（安培）
VGS = 6V ， 6.5V & 10V
I D ，漏电流（安培）
20
VGS=10V
VGS=6.5V
VGS=6V
5.5V
16
5.5V
12
5V
8
4.5V
4V
0
50
100
150
200
250
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型输出特性
20
0
16
12
5V
8
4.5V
4
4
4V
2
4
6
8
10
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，典型输出特性
RDS（ON） ，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
3.0
V
GS
0
0
TJ = -55°C
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
I D ，漏电流（安培）
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
16
2.5
12
TJ = + 125°C
2.0
VGS=10V
8
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
1.5
4
1.0
VGS=20V
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，一般传输特性
16
0
0
0.5
0
10
20
30
40
50
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
1.2
BVDSS ，漏极 - 源极击穿
电压（归）
VGS （ TH ） ，阈值电压（伏）
（归一化）
I D ，漏电流（安培）
1.1
12
1.0
8
0.9
4
0.8
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
RDS（ON） ，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
2.5
I = 0.5 I [续]
D
D
0
25
0.7
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.4
V
GS
= 10V
2.0
1.2
1.5
1.0
1.0
0.8
0.5
0.6
051-5015修订版D
0.0
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
0.4
-50
-25
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
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戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF- 592分之19500
器件
水平
2N7228
2N7228U
JAN
JANTX
JANTXV
绝对最大额定值（T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流
T
C
= +25°C
连续漏电流
T
C
= +100°C
马克斯。功耗
T
C
= +25°C
漏极至源极导通电阻
工作&储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
D1
I
D2
P
tl
R
DS （ ON）
T
op
, T
英镑
价值
500
± 20
12.0
8.0
150
(1)
0.415
(2)
-55到+150
单位
VDC
VDC
ADC
ADC
W
Ω
°C
TO-254AA
注意：
（ 1 ）由1.2 W /°C，对于T线性下降
C
> + 25°C
(2) V
GS
= 10Vdc的，我
D
= 8A
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 1mAdc
栅源电压（阈值）
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= +125°C
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= -55°C
栅电流
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V ，T
j
= +125°C
漏电流
V
GS
= 0V, V
DS
= 400V
V
GS
= 0V, V
DS
= 400V ，T
j
= +125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 8.0A脉冲
V
GS
= 10V ，我
D
= 12.0A脉冲
T
j
= +125°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 8.0A脉冲
二极管的正向电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 12A脉冲
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS(th)1
V
GS(th)2
V
GS(th)3
I
GSS1
I
GSS2
I
DSS1
I
DSS2
r
DS(on)1
r
DS(on)2
r
DS(on)3
V
SD
分钟。
500
2.0
1.0
4.0
5.0
±100
±200
25
0.25
0.415
0.515
0.90
1.7
NADC
μAdc
MADC
Ω
Ω
Ω
VDC
U- PKG （ U3 ）
TO-276AB
马克斯。
单位
VDC
VDC
T4 - LDS -0051版本2 （ 101154 ）
第1页4
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
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动态特性
参数/测试条件
栅极电荷：
导通状态的栅极电荷
门源费
栅漏电荷
开关特性
参数/测试条件
开关时间测试：
导通延迟时间
冲洗时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的反向恢复时间
符号
I
D
= 12A ，V
GS
= 10V直流，
栅极驱动阻抗=
7.5Ω,
V
DD
= 250V直流
的di / dt
≤
100A / μs的，V
DD
≤
30V,
I
F
= 12A
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
分钟。
马克斯。
35
190
170
130
1600
单位
符号
V
GS
= 10V ，我
D
= 12A
V
DS
= 50V
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
分钟。
马克斯。
120
19
70
单位
nC
ns
ns
T4 - LDS -0051版本2 （ 101154 ）
第2页4
技术数据表
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戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
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包装尺寸
尺寸
LTR 。
BL
CH
LD
LL
LO
LS
MHD
姆欧
TL
TT
TW
第一学期
第二学期
第三学期
英寸
民
最大
.535
.545
.249
.035
.510
.260
.045
.570
MILLIMETERS
民
最大
13.59 13.84
6.32
0.89
12.95
6.60
1.14
14.48
记
.150 BSC
.150 BSC
.139
.665
.790
.040
.535
.149
.685
.800
.050
.545
漏
来源
门
3.81 BSC
3.81 BSC
3.53
16.89
20.07
1.02
13.59
3.78
17.40
20.32
1.27
13.84
3, 4
3, 4
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
3.玻璃液面包括维D和E.
4.所有的端子从壳体分离。
5.根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
图1 。
物理尺寸的TO- 254AA
T4 - LDS -0051版本2 （ 101154 ）
第3页4
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包装尺寸
尺寸
LTR 。
BL
BW
CH
LH
LL
1
LL
2
LS
1
LS
2
LW
1
LW
2
Q
1
Q
2
第一学期
第二学期
第三学期
英寸
民
最大
.620
.630
.445
.010
.410
.152
.455
.142
.020
.420
.162
MILLIMETERS
民
最大
15.75 16.00
11.30
0.26
10.41
3.86
11.56
3.60
0.50
10.67
4.11
.210 BSC
0.105 BSC
.370
.135
.030
.035
漏
来源
门
.380
.145
5.33 BSC
2.67 BSC
9.40
3.43
0.76
0.89
9.65
3.68
注意事项：
1.
2.
3.
4.
尺寸为英寸。
毫米给出的唯一信息。
盖子必须从漏极，栅极和源极电隔离。
根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
图2中。
尺寸和表面贴装结构封装外形（ TO- 276AB ） 2N7224U ，
2N7225U ， 2N7227U和2N7228U 。
T4 - LDS -0051版本2 （ 101154 ）
第4页4
2N7228
机械数据
尺寸mm （英寸）
13.59 (0.535)
13.84 (0.545)
3.53 (0.139)
DIA 。
3.78 (0.149)
6.32 (0.249)
6.60 (0.260)
1.02 (0.040)
1.27 (0.050)
N沟道
功率MOSFET
V
DSS
I
D（续）
R
DS （ ON）
特点
密封隔离
包
雪崩能量评级
30.35 (1.195)
31.40 (1.235)
16.89 (0.665)
17.40 (0.685)
13.59 (0.535)
13.84 (0.545)
1
2
3
0.89 (0.035)
1.14 (0.045)
3.81 (0.150)
BSC
20.07 (0.790)
20.32 (0.800)
500V
12A
0.415
3.81 (0.150)
BSC
简单的驱动要求
也可在表面
贴装封装
易于并联的
TO- 254AA - 金属封装
引脚1 - 漏极
2脚 - 来源
3脚 - 门
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
, T
英镑
T
L
R
θJC
R
θCS
R
θJA
栅 - 源电压
连续漏电流
(V
GS
= 10V ，T
例
= 25°C)
连续漏电流
(V
GS
= 10V ，T
例
= 100°C)
漏电流脉冲
1
功率耗散@ T
例
= 25°C
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流
1
重复性雪崩能量
1
峰值二极管恢复
3
工作和存储温度范围
焊接温度测量
1/16
“ （ 1.6毫米）的情况下，持续10秒。
热阻结到外壳
热阻案例散热器（典型值）
热阻结到环境
±20V
12A
8A
48A
150W
1.2W/°C
750mJ
12A
15mJ
3.5V/ns
-55 ℃150℃
300°C
0.83°C/W
0.21°C/W
48°C/W
笔记
1 ）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温
2) @ V
DD
= 50V ，L
≥
9.4mH ，R
G
= 25Ω ，山顶我
L
= 12A ，起始物为
J
= 25°C
3) @ I
SD
≤
如图12A所示， di / dt的
≤
130A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
, T
J
≤
150 ° C，建议
G
= 2.35
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
网址：
http://www.semelab.co.uk
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
4/99
2N7228
电气特性
（环境温度Tamb = 25° C除非另有说明）
参数
BV
DSS
T
J
R
DS （ ON）
静电额定值
漏极 - 源极击穿电压
击穿电压
静态漏 - 源极导通状态
阻力
2
正向跨导
2
零栅极电压漏极电流
正向栅 - 源极漏
反向栅极 - 源极漏
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
漏 - 案例电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
门 - 漏极（ “米勒” ）费
导通时的延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0
I
D
= 1毫安
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
V
DS
= V
GS
V
DS
≥
15V
V
GS
= 0
V
GS
= 20V
V
GS
= –20V
I
D
= 8A
I
D
= 12A
I
D
= 250A
I
DS
= 8A
V
DS
= 0.8BV
DSS
T
J
= 125°C
I
D
= 1毫安
分钟。
500
典型值。
马克斯。
单位
V
ΔBV
DSS
温度COEF网络cient
参考至25℃
0.68
0.415
0.515
2
6.5
25
250
100
–100
2700
600
240
12
55
5
27
120
19
70
35
190
170
130
12
48
4
V /°C的
V
S(
A
nA
)
(
4/99
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
g
fs
I
DSS
I
GSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
DC
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
L
D
V
GS
= 0
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
I
D
= 12A
V
DS
= 0.5BV
DSS
V
DD
= 250V
I
D
= 12A
R
G
= 2.35
pF
nC
ns
源 - 漏极二极管的特性
连续源电流
脉冲源电流
1
二极管的正向电压
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
2
向前开启时间
封装特性
内部排水电感
测量从6mm向下漏导致的模具中心
I
S
= 12A
V
GS
= 0
I
F
= 12A
T
J
= 25°C
微不足道
8.7
d
i
/ d
t
≤
100A / μs的V
DD
≤
50V
T
J
= 25°C
A
V
ns
C
1.7
1600
14
L
S
内部源极电感
从6mm下来源铅源焊盘测
8.7
笔记
1 ）重复评价 - 脉冲宽度有限的最大
2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300s,
δ ≤
2%
结温
* I
S
通过销直径电流的限制。
nH
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
网址：
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电子信箱：
sales@semelab.co.uk
2N7224 ， 2N7225 ， 2N7227和2N7228
资质等级：
JAN ， JANTX ，并
JANTXV
柔顺
N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF- 592分之19500
描述
这家开关晶体管是合格的军人到JANTXV水平高
可靠性的应用。这些器件还低调ü表面贴装可
封装。 Microsemi的还提供了许多其他的晶体管产品，以满足更高和更低
额定功率与在这两个通孔或地表各种开关速度的要求
安装包。
重要提示：
有关最新信息，请访问我们的网站：
http://www.microsemi.com 。
TO- 254AA封装
特点
JEDEC注册的2N7224 ， 2N7225 ， 2N7227和2N7228数列。
JAN ， JANTX ，并JANTXV资格提供符合MIL -PRF- 592分之19500 。
（见
PART NOMENCLATURE
所有可用的选项。 ）
符合RoHS标准设计。
也可用于：
U（ SMD - 1
TO- 267AB ）封装
（表面贴装）
2N7224U & 2N7228U
应用/优势
低调的设计。
军事和其它高可靠性应用。
最大额定值
@ T
A
= + 25°C ，除非另有说明
参数/测试条件
操作&存储结温范围
热阻结到外壳
总功耗
@ T
A
= +25 °C
(1)
@ T
C
= +25 °C
栅源电压，直流
(2)
漏电流， DC @ T
C
= +25 C
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
(2)
漏电流， DC @ T
C
= +100 C
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
(3)
断态电流（峰值总值）
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
源出电流
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
注意事项：
1.
2.
符号
T
J
＆放大器;牛逼
英镑
R
θJC
P
T
V
GS
I
D1
价值
-55到+150
0.83
4
150
± 20
34.0
27.4
14.0
12.0
21
17
9
8
136
110
56
48
34.0
27.4
14.0
12.0
单位
o
°C
C / W
W
V
A
I
D2
A
MSC - 劳伦斯
6湖街，
劳伦斯， MA 01841
电话： 1-800-446-1158或
(978) 620-2600
传真： （ 978 ） 689-0803
MSC - 爱尔兰
戈特路商业园，
恩尼斯有限公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044
传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
网址：
www.Microsemi.com
I
DM
A（ PK）
I
S
A
线性降额1.2 W / C对于T
C
> +25 C 。
下面的公式导出的最大理论的ID限制。 ID被封装和内部限制
电线，并且还可以通过销直径的限制：
3.
I
DM
= 4 ×1
D1
作为计算附注2 。
T4 - LDS -0102 ，第3版（ 121485 ）
2012 Microsemi的公司
第1页9
2N7224 ， 2N7225 ， 2N7227和2N7228
机械及包装
案例：陶瓷和黄金在镀镍钢。
端子：镀金镀镍钨/铜。
标记：产品型号，日期代码和极性符号。
重量6.5克。
SEE
包装尺寸
在最后一页。
PART NOMENCLATURE
JAN
可靠性水平
JAN = JAN水平
JANTX = JANTX级别
JANTXV = JANTXV水平
空白=商业
2N7224
JEDEC型号
（见
电气特性
表）
符号
的di / dt
I
F
R
G
V
DD
V
DS
V
GS
符号定义&
德网络nition
率二极管电流的变化，而在反向恢复模式，记录最大值。
正向电流
栅极驱动阻抗
漏极供电电压
漏源电压，直流
栅源电压，直流
T4 - LDS -0102 ，第3版（ 121485 ）
2012 Microsemi的公司
第2 9
2N7224 ， 2N7225 ， 2N7227和2N7228
电气特性
@ T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数/测试条件
开关特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0 V，I
D
= 1.0毫安
栅源电压（阈值）
V
DS
≥ V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
≥ V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
J
= +125°C
V
DS
≥ V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
J
= -55°C
栅电流
V
GS
= ± 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= ± 20 V, V
DS
= 0 V ，T
J
= +125°C
漏电流
V
GS
= 0 V, V
DS
= 80 V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 160 V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 320 V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 400 V
漏电流
V
GS
= 0 V, V
DS
= 80 V，T
J
= +125 °C
V
GS
= 0 V, V
DS
= 160 V，T
J
= +125 °C
V
GS
= 0 V, V
DS
= 320 V，T
J
= +125 °C
V
GS
= 0 V, V
DS
= 400 V ，T
J
= +125 °C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10 V，I
D
= 21.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 17.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 9.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.0 A的脉冲
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10 V，I
D
= 34.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 27.4的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 14.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 12.0的脉冲
静态漏源导通电阻
T
J
= +125°C
V
GS
= 10 V，I
D
= 21.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 17.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 9.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.0 A的脉冲
二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
D
= 34.0的脉冲
V
GS
= 0 V，I
D
= 27.4的脉冲
V
GS
= 0 V，I
D
= 14.0的脉冲
V
GS
= 0 V，I
D
= 12.0的脉冲
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
符号
分钟。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
100
200
400
500
2.0
1.0
4.0
5.0
±100
±200
V
V
GS(th)1
V
GS(th)2
V
GS(th)3
I
GSS1
I
GSS2
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
V
nA
I
DSS1
25
A
I
DSS2
0.25
mA
r
DS(on)1
0.070
0.100
0.315
0.415
0.081
0.105
0.415
0.515
r
DS(on)2
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
r
DS(on)3
0.11
0.17
0.68
0.90
1.8
1.9
1.7
1.7
V
SD
V
T4 - LDS -0102 ，第3版（ 121485 ）
2012 Microsemi的公司
第3 9
2N7224 ， 2N7225 ， 2N7227和2N7228
电气特性
@ T
A
= 25 ℃，除非另有说明（续）
动态特性
参数/测试条件
栅极电荷：
导通状态的栅极电荷
V
GS
= 10 V，I
D
= 34.0 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 27.4 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 14.0 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 12.0 A，V
DS
= 50 V
门源费
V
GS
= 10 V，I
D
= 34.0 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 27.4 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 14.0 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 12.0 A，V
DS
= 50 V
栅漏电荷
V
GS
= 10 V，I
D
= 34.0 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 27.4 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 14.0 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 12.0 A，V
DS
= 50 V
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
符号
分钟。
马克斯。
单位
Q
G（ ON）的
125
115
110
120
22
22
18
19
65
60
65
70
nC
Q
gs
nC
Q
gd
nC
开关特性
参数/测试条件
导通延迟时间
I
D
= 34.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 50 V
I
D
= 27.4 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 100 V
I
D
= 14.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 200 V
I
D
= 12.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 250 V
冲洗时间
I
D
= 34.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 50 V
I
D
= 27.4 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 100 V
I
D
= 14.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 200 V
I
D
= 12.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 250 V
打开-O FF延迟时间
I
D
= 34.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 50 V
I
D
= 27.4 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 100 V
I
D
= 14.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 200 V
I
D
= 12.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 250 V
下降时间
I
D
= 34.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 50 V
I
D
= 27.4 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 100 V
I
D
= 14.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 200 V
I
D
= 12.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 250 V
二极管的反向恢复时间
的di / dt = 100 A / μs的，V
DD
= 30 V，I
F
= 34.0 A
的di / dt = 100 A / μs的，V
DD
= 30 V，I
F
= 27.4 A
的di / dt = 100 A / μs的，V
DD
= 30 V，I
F
= 14.0 A
的di / dt = 100 A / μs的，V
DD
= 30 V，I
F
= 12.0 A
符号
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
分钟。
马克斯。
单位
t
D（上）
35
ns
t
r
190
ns
t
D（关闭）
170
ns
t
f
130
ns
t
rr
500
950
1200
1600
ns
T4 - LDS -0102 ，第3版（ 121485 ）
2012 Microsemi的公司
第4页第9
2N7224 ， 2N7225 ， 2N7227和2N7228
图的
热响应（Z
θJC
)
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图1
热阻抗曲线
T4 - LDS -0102 ，第3版（ 121485 ）
2012 Microsemi的公司
第5 9
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