技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF- 592分之19500
器件
水平
2N7228
2N7228U
JAN
JANTX
JANTXV
绝对最大额定值（T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流
T
C
= +25°C
连续漏电流
T
C
= +100°C
马克斯。功耗
T
C
= +25°C
漏极至源极导通电阻
工作&储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
D1
I
D2
P
tl
R
DS （ ON）
T
op
, T
英镑
价值
500
± 20
12.0
8.0
150
(1)
0.415
(2)
-55到+150
单位
VDC
VDC
ADC
ADC
W
Ω
°C
TO-254AA
注意：
（ 1 ）由1.2 W /°C，对于T线性下降
C
> + 25°C
(2) V
GS
= 10Vdc的，我
D
= 8A
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 1mAdc
栅源电压（阈值）
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= +125°C
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= -55°C
栅电流
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V ，T
j
= +125°C
漏电流
V
GS
= 0V, V
DS
= 400V
V
GS
= 0V, V
DS
= 400V ，T
j
= +125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 8.0A脉冲
V
GS
= 10V ，我
D
= 12.0A脉冲
T
j
= +125°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 8.0A脉冲
二极管的正向电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 12A脉冲
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS(th)1
V
GS(th)2
V
GS(th)3
I
GSS1
I
GSS2
I
DSS1
I
DSS2
r
DS(on)1
r
DS(on)2
r
DS(on)3
V
SD
分钟。
500
2.0
1.0
4.0
5.0
±100
±200
25
0.25
0.415
0.515
0.90
1.7
NADC
μAdc
MADC
Ω
Ω
Ω
VDC
U- PKG （ U3 ）
TO-276AB
马克斯。
单位
VDC
VDC
T4 - LDS -0051版本2 （ 101154 ）
第1页4
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
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联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
动态特性
参数/测试条件
栅极电荷：
导通状态的栅极电荷
门源费
栅漏电荷
开关特性
参数/测试条件
开关时间测试：
导通延迟时间
冲洗时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的反向恢复时间
符号
I
D
= 12A ，V
GS
= 10V直流，
栅极驱动阻抗=
7.5Ω,
V
DD
= 250V直流
的di / dt
≤
100A / μs的，V
DD
≤
30V,
I
F
= 12A
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
分钟。
马克斯。
35
190
170
130
1600
单位
符号
V
GS
= 10V ，我
D
= 12A
V
DS
= 50V
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
分钟。
马克斯。
120
19
70
单位
nC
ns
ns
T4 - LDS -0051版本2 （ 101154 ）
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6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
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包装尺寸
尺寸
LTR 。
BL
CH
LD
LL
LO
LS
MHD
姆欧
TL
TT
TW
第一学期
第二学期
第三学期
英寸
民
最大
.535
.545
.249
.035
.510
.260
.045
.570
MILLIMETERS
民
最大
13.59 13.84
6.32
0.89
12.95
6.60
1.14
14.48
记
.150 BSC
.150 BSC
.139
.665
.790
.040
.535
.149
.685
.800
.050
.545
漏
来源
门
3.81 BSC
3.81 BSC
3.53
16.89
20.07
1.02
13.59
3.78
17.40
20.32
1.27
13.84
3, 4
3, 4
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
3.玻璃液面包括维D和E.
4.所有的端子从壳体分离。
5.根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
图1 。
物理尺寸的TO- 254AA
T4 - LDS -0051版本2 （ 101154 ）
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6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
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联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
包装尺寸
尺寸
LTR 。
BL
BW
CH
LH
LL
1
LL
2
LS
1
LS
2
LW
1
LW
2
Q
1
Q
2
第一学期
第二学期
第三学期
英寸
民
最大
.620
.630
.445
.010
.410
.152
.455
.142
.020
.420
.162
MILLIMETERS
民
最大
15.75 16.00
11.30
0.26
10.41
3.86
11.56
3.60
0.50
10.67
4.11
.210 BSC
0.105 BSC
.370
.135
.030
.035
漏
来源
门
.380
.145
5.33 BSC
2.67 BSC
9.40
3.43
0.76
0.89
9.65
3.68
注意事项：
1.
2.
3.
4.
尺寸为英寸。
毫米给出的唯一信息。
盖子必须从漏极，栅极和源极电隔离。
根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
图2中。
尺寸和表面贴装结构封装外形（ TO- 276AB ） 2N7224U ，
2N7225U ， 2N7227U和2N7228U 。
T4 - LDS -0051版本2 （ 101154 ）
第4页4
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF- 592分之19500
器件
水平
2N7227
2N7227U
JAN
JANTX
JANTXV
绝对最大额定值（T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流
T
C
= +25°C
连续漏电流
T
C
= +100°C
马克斯。功耗
T
C
= +25°C
漏极至源极导通电阻
工作&储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
D1
I
D2
P
tl
R
DS （ ON）
T
op
, T
英镑
价值
400
± 20
14.0
9.0
150
(1)
0.315
(2)
-55到+150
单位
VDC
VDC
ADC
ADC
W
Ω
°C
TO-254AA
注意：
（ 1 ）由1.2 W /°C，对于T线性下降
C
> + 25°C
(2) V
GS
= 10Vdc的，我
D
= 9A
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 1mAdc
栅源电压（阈值）
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= +125°C
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= -55°C
栅电流
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V ，T
j
= +125°C
漏电流
V
GS
= 0V, V
DS
= 320V
V
GS
= 0V, V
DS
= 320V ，T
j
= +125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 9.0A脉冲
V
GS
= 10V ，我
D
= 14.0A脉冲
T
j
= +125°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 9.0A脉冲
二极管的正向电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 14A脉冲
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS(th)1
V
GS(th)2
V
GS(th)3
I
GSS1
I
GSS2
I
DSS1
I
DSS2
r
DS(on)1
r
DS(on)2
r
DS(on)3
V
SD
分钟。
400
2.0
1.0
4.0
5.0
±100
±200
25
0.25
0.315
0.415
0.68
1.7
NADC
μAdc
MADC
Ω
Ω
Ω
VDC
U- PKG （ U3 ）
TO-276AB
马克斯。
单位
VDC
VDC
T4 - LDS -0050版本2 （ 101154 ）
第1页4
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
动态特性
参数/测试条件
栅极电荷：
导通状态的栅极电荷
门源费
栅漏电荷
开关特性
参数/测试条件
开关时间测试：
导通延迟时间
冲洗时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的反向恢复时间
符号
I
D
= 14A ，V
GS
= 10V直流，
栅极驱动阻抗=
7.5Ω,
V
DD
= 200V直流
的di / dt
≤
100A / μs的，V
DD
≤
30V,
I
F
= 14A
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
分钟。
马克斯。
35
190
170
130
1200
单位
符号
V
GS
= 10V ，我
D
= 14A
V
DS
= 50V
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
分钟。
马克斯。
110
18
65
单位
nC
ns
ns
T4 - LDS -0050版本2 （ 101154 ）
第2页4
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
包装尺寸
尺寸
LTR 。
BL
CH
LD
LL
LO
LS
MHD
姆欧
TL
TT
TW
第一学期
第二学期
第三学期
英寸
民
最大
.535
.545
.249
.035
.510
.260
.045
.570
MILLIMETERS
民
最大
13.59 13.84
6.32
0.89
12.95
6.60
1.14
14.48
记
.150 BSC
.150 BSC
.139
.665
.790
.040
.535
.149
.685
.800
.050
.545
漏
来源
门
3.81 BSC
3.81 BSC
3.53
16.89
20.07
1.02
13.59
3.78
17.40
20.32
1.27
13.84
3, 4
3, 4
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
3.玻璃液面包括维D和E.
4.所有的端子从壳体分离。
5.根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
图1 。
物理尺寸的TO- 254AA
T4 - LDS -0050版本2 （ 101154 ）
第3页4
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
包装尺寸
尺寸
LTR 。
BL
BW
CH
LH
LL
1
LL
2
LS
1
LS
2
LW
1
LW
2
Q
1
Q
2
第一学期
第二学期
第三学期
英寸
民
最大
.620
.630
.445
.010
.410
.152
.455
.142
.020
.420
.162
MILLIMETERS
民
最大
15.75 16.00
11.30
0.26
10.41
3.86
11.56
3.60
0.50
10.67
4.11
.210 BSC
0.105 BSC
.370
.135
.030
.035
漏
来源
门
.380
.145
5.33 BSC
2.67 BSC
9.40
3.43
0.76
0.89
9.65
3.68
注意事项：
1.
2.
3.
4.
尺寸为英寸。
毫米给出的唯一信息。
盖子必须从漏极，栅极和源极电隔离。
根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
图2中。
尺寸和表面贴装结构封装外形（ TO- 276AB ） 2N7224U ，
2N7225U ， 2N7227U和2N7228U 。
T4 - LDS -0050版本2 （ 101154 ）
第4页4
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF- 592分之19500
器件
水平
2N7224
2N7224U
JAN
JANTX
JANTXV
符号
V
DS
V
GS
价值
100
± 20
34
21
150
(1)
0.070
(2)
-55到+150
单位
VDC
VDC
ADC
ADC
W
Ω
°C
绝对最大额定值（T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流
T
C
= +25°C
连续漏电流
T
C
= +100°C
马克斯。功耗
T
C
= +25°C
漏极至源极导通电阻
工作&储存温度
注意：
（ 1 ）由1.2 W /°C，对于T线性下降
C
> + 25°C
(2) V
GS
= 10Vdc的，我
D
= 21A
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 1mAdc
栅源电压（阈值）
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= +125°C
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= -55°C
栅电流
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V ，T
j
= +125°C
漏电流
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V ，T
j
= +125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 21A脉冲
V
GS
= 10V ，我
D
= 34A脉冲
T
j
= +125°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 21A脉冲
二极管的正向电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 34A脉冲
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS(th)1
V
GS(th)2
V
GS(th)3
I
GSS1
I
GSS2
I
DSS1
I
DSS2
分钟。
100
马克斯。
单位
VDC
I
D1
I
D2
P
tl
R
DS （ ON）
T
op
, T
英镑
TO-254AA
2.0
1.0
4.0
5.0
±100
±200
25
0.25
VDC
NADC
U- PKG （ SMD - 1 ）
(TO-267AB)
μAdc
MADC
r
DS(on)1
r
DS(on)2
r
DS(on)3
V
SD
0.070
0.081
0.11
1.8
Ω
Ω
Ω
VDC
T4 - LDS - 0102修订版1（ 090097 ）
第1页2
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF- 592分之19500
动态特性
参数/测试条件
栅极电荷：
导通状态的栅极电荷
门源费
栅漏电荷
开关特性
参数/测试条件
开关时间测试：
导通延迟时间
冲洗时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的反向恢复时间
I
D
= 21A ，V
GS
= 10V直流，
栅极驱动阻抗= 2.35Ω ，
V
DD
= 50VDC
的di / dt
≤
100A / μs的，V
DD
≤
30V,
I
D
= 34A
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
分钟。
马克斯。
35
190
170
130
500
单位
符号
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
分钟。
马克斯。
125
22
65
单位
nC
V
GS
= 10V ，我
D
= 34A
V
DS
= 50V
ns
ns
T4 - LDS - 0102修订版1（ 090097 ）
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