2N720A
硅NPN晶体管
数据表
描述
Semicoa半导体提供：
筛选和处理符合MIL -PRF- 19500
附录E
JAN级（ 2N720AJ ）
JANTX级别（ 2N720AJX ）
JANTXV级（ 2N720AJV ）
QCI适用的级别
每MIL -STD- 750方法100 ％模目视检查
2072的JANTXV
辐射测试（总剂量）要求
应用
通用
低功耗
NPN硅晶体管
特点
密封TO- 18金属罐
在芯片配置也可
芯片几何尺寸4500
参考文献：
MIL-PRF-19500/182
好处
请联系Semicoa的特殊配置
www.SEMICOA.com或（ 714 ） 979-1900
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流，连续
功耗，T
A
= 25
O
C
线性降额超过37.5
O
C
功耗，T
C
= 25
O
C
线性降额超过25
O
C
工作结温
储存温度
热阻
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
P
T
T
J
T
英镑
资质等级： JAN ， JANTX ，
JANTXV
辐射测试可用
T
C
= 25 ° C除非另有说明
等级
80
120
7
500
0.5
3.08
1.8
10.3
-65到+200
325
单位
伏
伏
伏
mA
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
° C / W
R
θJA
Copyright 2002年
牧师F
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
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2N720A
硅NPN晶体管
数据表
电气特性
在T规定的特性
A
= 25°C
开关特性
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
发射基截止电流
基本特征
参数
符号
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
V
BESAT
V
CESAT
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CER
I
CBO1
I
CBO2
I
CBO3
I
EBO1
I
EBO2
测试条件
I
C
= 30毫安
I
C
= 10毫安，R
BE
= 10
V
CB
= 120伏
V
CB
= 90伏
V
CE
= 90伏，T
A
= 150
O
C
V
EB
= 7伏
V
EB
= 5伏
民
80
100
100
10
15
100
10
典型值
最大
单位
伏
伏
A
nA
A
A
nA
脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2.0%
直流电流增益
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
动态特性
参数
震级 - 共发射极，短
电路正向电流传输比
短路正向电流传输
比
短路输入阻抗
开路输出导纳
开路反向电压传输
比
开路输出电容
开关特性
脉冲响应
测试条件
I
C
= 1毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10伏
I
C
= 150毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10伏，
T
A
= -55
O
C
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
民
20
35
40
20
典型值
最大
单位
120
1.3
5.0
伏
伏
符号
|h
FE
|
h
FE1
h
FE2
h
ie
h
oe
h
re
C
敖包
测试条件
V
CE
= 10伏，我
C
= 50毫安，
F = 20MHz的
F = 1千赫
V
CE
= 5伏，我
C
= 1毫安
V
CE
= 10伏，我
C
= 5毫安
V
CB
= 10V ，我
C
= 5毫安
V
CB
= 10V ，我
C
= 5毫安
V
CB
= 10V ，我
C
= 5毫安
V
CB
= 10伏，我
C
= 0 mA时，
100千赫< F < 1兆赫
民
3
35
45
4
典型值
最大
10
100
150
8
0.5
1.5x10
-4
单位
2
15
pF
t
on
+ t
关闭
30
ns
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