UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2N7002ZW
初步
功率MOSFET
300米安培， 60伏特DUAL
N沟道增强
模式MOSFET
描述
在UTC
2N7002ZW
采用先进的技术来提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和低门电压时
操作。这个装置是适合于用作负载开关或在
PWM应用。
特点
*低反向传输电容（C
RSS
=典型3.0 pF的）
* ESD保护
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
符号
3.Drain
2.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
2N7002ZWL-AL3-R
2N7002ZWG-AL3-R
包
SOT-323
引脚分配
1
2
3
S
G
D
填料
带盘
记号
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2011 Unisonic技术有限公司
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QW-R502-539.a
2N7002ZW
参数
漏源电压
栅源电压
初步
符号
V
DSS
V
GSS
功率MOSFET
绝对最大额定值
(T
a
= 25°C)
评级
单位
V
60
V
±20
连续
300
漏电流
I
D
mA
脉冲（注2 ）
800
功耗
200
mW
P
D
降额以上的牛逼
A
=25°C
1.6
毫瓦/°C的
结温
T
J
°C
+150
储存温度
T
英镑
°C
-55 ~ +150
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
(T
a
=25°C)
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻（注）
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=10A
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
= 10V ，我
D
=1mA
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5A ，T
J
=125°C
V
GS
= 5V ，我
D
=0.05A
民
60
1.0
±10
1.0
1.85
2.5
13.5
7.5
50
25
5.0
20
30
1.5
0.8
115
典型值
最大单位
V
A
A
V
pF
pF
pF
ns
ns
V
A
mA
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
导通延迟时间
t
D（上）
I
D
= 0.2 A，V
DD
=30V, V
GS
=10V,
R
L
=150, R
G
=10
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
漏源二极管的特性和最大额定值
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0V ，是= 115毫安（注）
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流
最大连续漏源二极管
Is
正向电流
注： 1。设备安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸。最小焊盘尺寸。
2.脉冲宽度≦ 300μS ，占空比≦ 1 ％
25
10
3.0
12
20
0.88
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QW-R502-539.a
2N7002ZW
初步
功率MOSFET
测试电路和波形
图。 2A开关测试电路
图。 2B的开关波形
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超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
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可靠，可恕不另行通知。
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