UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2N7002Z
300毫安， 60V N沟道
增强型
功率MOSFET
描述
在UTC
2N7002Z
采用先进的技术来提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作与低门
电压。这个装置是适合于用作负载开关或在
PWM应用。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
<7.5
*低反向传输电容（C
RSS
=典型3.0 pF的）
* ESD保护
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
符号
3.Drain
2.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
2N7002ZL-AE2-R
2N7002ZG-AE2-R
包
SOT-23-3
引脚分配
1
2
3
S
G
D
填料
带盘
记号
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版权所有 2012 Unisonic技术有限公司
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QW-R502-273.G
2N7002Z
绝对最大额定值
(T
A
= 25C ，除非另有说明）。
参数
漏源电压
栅源电压
符号
V
DSS
V
GSS
功率MOSFET
评级
单位
60
V
±20
V
连续
300
漏电流
I
D
mA
脉冲（注2 ）
800
225
mW
功耗
P
D
降额以上的牛逼
A
=25°C
1.6
毫瓦/°C的
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度为10μs ≦ ，占空比≦ 1 ％
电气特性
(T
A
= 25C ，除非另有说明）。
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻（注）
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=10A
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
= 10V ，我
D
=1mA
V
GS
= 10V ，我
D
=0.3A
V
GS
= 5V ，我
D
=0.05A
民
60
1.0
±10
1.0
1.85
2.5
7.5
7.5
50
25
5.0
20
30
1.5
0.8
300
典型值
最大单位
V
A
A
V
pF
pF
pF
ns
ns
V
A
mA
动力参数
输入电容
C
国际空间站
输出电容
C
OSS
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
反向传输电容
C
RSS
切换参数
导通延迟时间
t
D（上）
I
D
= 0.2 A，V
DD
=30V, V
GS
=10V,
R
L
=150, R
G
=10
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
漏源二极管的特性和最大额定值
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0V ， IS = 300mA（对注）
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流
最大连续漏源二极管
Is
正向电流
注：脉冲宽度≦ 300μS ，占空比≦ 1 ％
25
10
3.0
12
20
0.88
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QW-R502-273.G
2N7002Z
测试电路和波形
功率MOSFET
切换测试电路
开关波形
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2N7002Z
典型特征
漏极电流与漏源
击穿电压
功率MOSFET
300
250
1.2
1.0
漏电流，我
D
（MA ）
0.8
0.6
0.4
0.2
0
漏极电流与栅极阈值电压
漏电流，我
D
(A)
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80
漏源击穿电压BV
DSS
(V)
0
2.0
0.5
1.0
1.5
栅极阈值电压，V
TH
(V)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
漏源导通电阻
特征
140
120
漏电流，我
D
（MA ）
100
80
60
40
20
漏极电流与源极到漏极电压
漏电流，我
D
(A)
V
GS
=10V
I
D
=300mA
0
0
1.0
0.5
2.5
1.5
2.0
漏源极电压，V
DS
(V)
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
源极到漏极电压，V
SD
(V)
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